一种5倍频压控振荡器制造技术

本发明专利技术属于振荡器技术领域，本发明专利技术公开了一种5倍频压控振荡器，包括：电阻R1、电阻R2、电阻R3、初级谐振开关电容阵列C1、次级谐振开关电容阵列C2、次级谐振变容管Var1、次级谐振变容管Var2、电容C3、电容C4、电容C5、谐振开关电容阵列C6、初级线圈L1、次级线圈L2、接地电感L3、电感L4、NMOS管M1、NMOS管M2、NMOS管M3、NMOS管M4、NMOS管M5、NMOS管M6和NMOS管M7；本发明专利技术解决了传统振荡器在毫米波频段具有较差的相位噪声、有限的调谐范围和极高的功耗的问题。有限的调谐范围和极高的功耗的问题。有限的调谐范围和极高的功耗的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种5倍频压控振荡器


[0001]本专利技术涉及振荡器
，具体涉及一种5倍频压控振荡器。

技术介绍

[0002]毫米波频段采用的复杂的调制和编码方式需要高度纯洁的信号，即对本地振荡器提出了严格的相位噪声要求。同时本地振荡器要实现宽调谐范围来覆盖特定的频段，并且为温度和工艺带来的频率误差保留足够的裕量。但是传统振荡器由于低变容管Q值和低有源管增益等原因，在毫米波频段通常具有较差的相位噪声、有限的调谐范围和极高的功耗，不能够满足现在的毫米波应用。

技术实现思路

[0003]针对现有技术中的上述不足，本专利技术提供的一种5倍频压控振荡器解决了传统振荡器在毫米波频段具有较差的相位噪声、有限的调谐范围和极高的功耗的问题。
[0004]为了达到上述专利技术目的，本专利技术采用的技术方案为：一种5倍频压控振荡器，包括：电阻R1、电阻R2、电阻R3、初级谐振开关电容阵列C1、次级谐振开关电容阵列C2、次级谐振变容管Var1、次级谐振变容管Var2、电容C3、电容C4、电容C5、谐振开关电容阵列C6、初级线圈L1、次级线圈L2、接地本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种5倍频压控振荡器，其特征在于，包括：电阻R1、电阻R2、电阻R3、初级谐振开关电容阵列C1、次级谐振开关电容阵列C2、次级谐振变容管Var1、次级谐振变容管Var2、电容C3、电容C4、电容C5、谐振开关电容阵列C6、初级线圈L1、次级线圈L2、接地电感L3、电感L4、NMOS管M1、NMOS管M2、NMOS管M3、NMOS管M4、NMOS管M5、NMOS管M6和NMOS管M7；所述NMOS管M1的漏极分别与电容C5的一端、初级线圈L1的一端和初级谐振开关电容阵列C1的一端连接，其源极分别与接地电感L3、电容C4的一端和NMOS管M2的源极连接，其栅极分别与次级线圈L2的一端、次级谐振开关电容阵列C2的一端和次级谐振变容管Var1的一端连接；所述NMOS管M2的栅极分别与次级线圈L2的另一端、次级谐振开关电容阵列C2的另一端和次级谐振变容管Var2的一端连接，其漏极分别与电容C3的一端、初级线圈L1的另一端和初级谐振开关电容阵列C1的另一端连接；所述次级谐振变容管Var2的另一端与次级谐振变容管Var1的另一端连接；所述NMOS管M3的栅极分别与电容C3...

【专利技术属性】
技术研发人员：索浦桓，谭文，
申请(专利权)人：成都通量科技有限公司，
类型：发明
国别省市：