一种防止焊柱冲断的封装基板及叠层封装结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种防止焊柱冲断的封装基板及叠层封装结构，包括基板，基板顶面中心开设入料口，入料口四周均布流料槽，流料槽内端与入料口连通，流料槽外端延伸至基板顶面边缘，基板顶面中间为芯片键合区，芯片键合区中安装芯片，芯片键合区四周围绕设置焊柱林，流料槽中部位于芯片下方，流料槽外端伸入焊柱林。本实用新型专利技术通过对封装基板进行开槽，加速了包封料到达芯片和键合线位置的时间，使包封料在粘度最小的状态下将芯片和焊柱包裹住，有效提升了封装的可靠性和良品。本实用新型专利技术仅在基板上表面开槽，在不改变现有传统基板的安装布局方式条件下，即可解决封装过程中常常出现的包封料冲断焊柱的问题，适用于大多数集成电路的封装。路的封装。路的封装。

【技术实现步骤摘要】
一种防止焊柱冲断的封装基板及叠层封装结构


[0001]本技术属于集成电路封装
，涉及一种防止焊柱冲断的封装基板及叠层封装结构。

技术介绍

[0002]塑封器件诞生于20世纪60年代，由于具有成本低、尺寸小、重量轻和可批量生产等优点，塑封微电子器件逐渐被工业界所广泛认可。通过业界多年的共同努力，塑封器件在封装材料、芯片钝化以及生产工艺等方面逐渐成熟。随着塑封技术的发展，各种先进的封装技术出现，如叠层封装（Package on Package，PoP）。PoP是一种可以将两个及以上封装组件上下堆叠实现3D高密度集成的封装技术，上下组件通过焊柱阵列、介质层或柔性基板等方式实现电气连接，相关技术已在智能手机、数码相机、便携式穿戴设备等多种消费类电子产品信息处理器中得到了广泛应用。然而现有塑封过程中，用于塑封的填充料会对基板边缘的焊柱产生冲击和挤压，从而导致其被冲断；同时还会造成芯片产生一定程度的位移，对于塑封芯片的可靠性产生重大影响。
[0003]本技术通过在封装基板上开槽的方式，控制塑封过程中塑封料的流动路径，从而减少塑封料对于芯片和焊柱的冲击和挤压，减小对于后续工艺和塑封可靠性的影响。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种防止焊柱冲断的封装基板及叠层封装结构，能解决塑封的填充料会对基板边缘的焊柱产生冲击和挤压，从而导致其被冲断的问题。
[0005]按照本技术提供的技术方案：一种防止焊柱冲断的封装基板，包括基板，基板顶面中心开设入料口，入料口四周均布流料槽，流料槽内端与入料口连通，流料槽外端延伸至基板顶面边缘，基板顶面中间为芯片键合区，芯片键合区中安装芯片，芯片键合区四周围绕设置焊柱林，流料槽中部位于芯片下方，流料槽外端伸入焊柱林。
[0006]作为本技术的进一步改进，芯片键合区、焊柱林、入料口、流料槽中填充包封料。
[0007]作为本技术的进一步改进，焊柱林包括若干个竖直的焊柱，焊柱间留有焊柱储料间隙。
[0008]作为本技术的进一步改进，部分焊柱下部位于流料槽中。
[0009]作为本技术的进一步改进，基板底部四周围绕设置BGA植球林，BGA植球林包括若干个竖直的BGA植球，BGA植球间留有植球储料间隙。
[0010]作为本技术的进一步改进，基板类型包括Core基板和Coreless基板。
[0011]作为本技术的进一步改进，流料槽的加工方法为激光刻蚀、湿法化学刻蚀、高精度机械加工或等离子体刻蚀中的一种。
[0012]作为本技术的进一步改进，流料槽的加工方法为激光刻蚀、湿法化学刻蚀、高精度机械加工或等离子体刻蚀中的多种组合。
[0013]作为本技术的进一步改进，芯片与基板的键合方式包括Wire Bond键合连接和倒装连接。
[0014]一种叠层封装结构，包括如上所述的基板，基板上方设有上层基板，上层基板顶部键合上层芯片，上层基板底部设有上层BGA植球林，上层BGA植球林包括若干个竖直的上层BGA植球，基板与上层基板之间填充包封料，焊柱顶部与上层BGA植球接触。
[0015]本申请的积极进步效果在于：
[0016]本技术通过对封装基板进行开槽，加速了包封料到达芯片和键合线位置的时间，使包封料在粘度最小的状态下将芯片和焊柱包裹住，有效提升了封装的可靠性和良品。本技术仅在基板上表面开槽，在不改变现有传统基板的安装布局方式条件下，即可解决封装过程中常常出现的包封料冲断焊柱的问题。本技术的封装基板产品适用于大多数集成电路的封装。
附图说明
[0017]图1是本技术防止焊柱冲断的封装基板的主视图。
[0018]图2是本技术防止焊柱冲断的封装基板的俯视图。
[0019]图3是本技术叠层封装结构的示意图。
具体实施方式
[0020]需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互结合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本技术。
[0021]为了使本领域技术人员更好地理解本技术方案，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本技术保护的范围。
[0022]需要说明的是，本技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本技术的实施例。此外，“包括”和“具有”等类似术语，是指除了已经在“包括”和“具有”中所罗列的那些内容以外，还可以“包括”和“具有”其它尚未罗列的内容；例如，可以包含一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备，不必限于已经清楚地列出的那些步骤或单元，而是可以包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
[0023]以下具体实施方式的描述中，坐标参考图1，以图1中垂直纸面向里的方向为前，垂直纸面向外的方向为后，以图1中的左右方向为左右，图1中的上下方向为上下。
[0024]图1
‑
图3中，包括基板1、焊柱2、流料槽3、芯片4、BGA植球5、包封料6，上层BGA植球7、上层基板8、上层芯片9、焊线10等。
[0025]如图1
‑
2所示，本技术为一种防止焊柱冲断的封装基板，包括基板1，基板1顶面中心开设入料口11，入料口11四周均布流料槽3，流料槽3内端与入料口11连通，流料槽3外端延伸至基板1顶面边缘，基板1顶面中间为芯片键合区，芯片键合区中安装芯片4，芯片
键合区四周围绕设置焊柱林，流料槽3中部位于芯片4下方，流料槽3外端伸入焊柱林。
[0026]芯片键合区、焊柱林、入料口11、流料槽3中填充包封料6。
[0027]焊柱林包括若干个竖直的焊柱2，呈阵列布置，焊柱2间留有焊柱2储料间隙。部分焊柱2下部位于流料槽3中。
[0028]基板1底部四周围绕设置BGA植球林，BGA植球林包括若干个竖直的BGA植球5，呈阵列布置，BGA植球5间留有植球储料间隙。
[0029]基板1类型包括Core基板和Coreless基板。
[0030]流料槽3的加工方法为激光刻蚀、湿法化学刻蚀、高精度机械加工或等离子体刻蚀中的一种，或者这些方法的结合。借助于流料槽3的引流作用，当包封料6注入入料口11时将沿着流料槽3快速向四角流动，迅速将位于流料槽3上方键合好的芯片4以及芯片四周的焊柱林包裹住，并逐渐完全包裹芯片键合区。
[0031]芯片4与基板1的键合方式包括Wire Bond键合连接和倒装连接（Flip Chip）。
[0032]包封料6采用环氧树脂与固化剂本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种防止焊柱冲断的封装基板，其特征在于，包括基板（1），基板（1）顶面中心开设入料口（11），入料口（11）四周均布流料槽（3），流料槽（3）内端与入料口（11）连通，流料槽（3）外端延伸至基板（1）顶面边缘，基板（1）顶面中间为芯片键合区，芯片键合区中安装芯片（4），芯片键合区四周围绕设置焊柱林，流料槽（3）中部位于芯片（4）下方，流料槽（3）外端伸入焊柱林。2.如权利要求1所述的防止焊柱冲断的封装基板，其特征在于，芯片键合区、焊柱林、入料口（11）、流料槽（3）中填充包封料（6）。3.如权利要求1所述的防止焊柱冲断的封装基板，其特征在于，焊柱林包括若干个竖直的焊柱（2），焊柱（2）间留有焊柱（2）储料间隙。4.如权利要求1所述的防止焊柱冲断的封装基板，其特征在于，部分焊柱（2）下部位于流料槽（3）中。5.如权利要求1所述的防止焊柱冲断的封装基...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎赛瑶，李轶楠，杨昆，姚昕，梁梦楠，
申请(专利权)人：无锡中微高科电子有限公司，
类型：新型
国别省市：