一种基板结构、基板结构的制作方法及显示面板技术

本发明专利技术公开了一种基板结构、基板结构的制作方法及显示面板，其中基板结构包括基板、形成于基板固晶面的限位层、形成于限位层内的限位槽以及限位凸起，限位槽自限位层的表面沿限位槽的厚度方向贯穿限位层，限位凸起自限位槽的侧壁沿平行于基板的固晶面的方向朝向限位槽内延伸，限位凸起形成为微弹性的限位凸起。当将芯片转移至基板结构上时，限位凸起能够对转移至基板上的芯片进行限位固定。由于限位凸起具有微弹性，当芯片卡合至限位槽内时，不对芯片结构产生损伤，提高了芯片的转移良率。并且，由于在芯片转移过程中无需在基板的表面形成粘附层，避免了在修复芯片时去除该粘附层的步骤，简化了操作步骤，同时也提高了修复效率及修复良率。及修复良率。及修复良率。

【技术实现步骤摘要】
一种基板结构、基板结构的制作方法及显示面板


[0001]本专利技术涉及芯片转移
，具体涉及一种基板结构、基板结构的制作方法及显示面板。

技术介绍

[0002]Micro LED(Micro Light Emitting Diode，微型发光二极管)技术是指发光芯片面积小于100μm的LED技术，一般在基板上形成高密度的LED阵列，LED显示屏上的每一个像素可定制、单独驱动点亮，像素点距离从毫米级降低至微米级。Mic LED的优点表现得很明显，它继承了无机LED的高效率、高亮度、高可靠度及反应时间快等特点，并且具有自发光，无需背光源的特性，更具节能、机构简易、体积小、薄型等优势。
[0003]Micro LED与传统LED最大的区别是“巨量转移”技术，将几十万，甚至几百万的亚像素LED颗粒，通过高精度的工程转移技术精确定位并“焊接”到驱动板的适当位置。现有的Micro LED转移技术主要包括激光转移、印章转移、静电力转移、电磁力转移及流体转移等技术。其中，除了流体转移之外，其他几种技术都需要将芯片对准承接基板的电极并释放到承接基板上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板结构，其特征在于，包括：基板；限位层，形成于所述基板的固晶面上；限位槽，自所述限位层的表面沿所述限位层的厚度方向贯穿所述限位层；限位凸起，自所述限位槽的侧壁沿平行于基板的固晶面的方向朝向所述限位槽内延伸，所述限位凸起形成为微弹性的限位凸起。2.根据权利要求1所述的基板结构，其特征在于，所述限位层为多层结构，沿远离所述基板的方向，所述限位层包括依次叠置的第一子限位层、中间层及第二子限位层，所述限位槽自所述限位层的表面沿厚度方向依次贯穿所述第二子限位层、中间层及第一子限位层。3.根据权利要求2所述的基板结构，其特征在于，所述限位凸起形成于所述限位槽内的所述中间层的侧壁上。4.根据权利要求1或3所述的基板结构，其特征在于，所述限位凸起远离所述限位槽侧壁的一端形成为弧面。5.根据权利要求3所述的基板结构，其特征在于，所述第一子限位层、所述第二子限位层对应于所述限位槽的侧壁均为倾斜侧壁，所述第一子限位层对应的侧壁为第一倾斜侧壁，所述第二子限位层对应的侧壁为第二倾斜侧壁，所述第一倾斜侧壁及所述第二倾斜侧壁的倾斜方向相反。6.根据权利要求2所述的基板结构，其特征在于，所述第一子限位层的弹性模量大于所述中间层的弹性模量，所述第二子限位层的弹性模量大于所述中间层的弹性模量。7.根据权利要求2所述的基板结构，其特征在于，所述第一子限位层、所述第二子限位层为光刻胶层，所述限位凸起的材料为硅胶或者聚氨酯中的一种。8.一种基板结构的制作方法，其特征在于，包括：提供一基板；在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：马刚，
申请(专利权)人：厦门市芯颖显示科技有限公司，
类型：发明
国别省市：