具有增强的缺陷抑制的抛光组合物和抛光衬底的方法技术

一种含水碱性化学机械抛光组合物，其包含具有芳香族基团的季鏻化合物，该季鏻化合物使能够实现氧化硅衬底上的增强的缺陷减少，并使能够在化学机械抛光期间实现良好的氧化硅去除速率。该化学机械抛光组合物是稳定的。该化学机械抛光组合物是稳定的。

【技术实现步骤摘要】
具有增强的缺陷抑制的抛光组合物和抛光衬底的方法


[0001]本专利技术涉及一种具有增强的缺陷减少与良好的电介质去除速率的碱性抛光组合物和抛光衬底的方法。更具体地，本专利技术涉及一种具有增强的缺陷减少与良好的电介质去除速率的碱性抛光组合物和抛光衬底的方法，其中抛光组合物包含具有芳香族基团的季鏻化合物以增强减少衬底上的缺陷，这些衬底包括氧化硅的电介质，并且其中从该衬底上去除该氧化硅中的至少一些。

技术介绍

[0002]在集成电路以及其他电子装置的制造中，将多层导电材料、半导电材料以及介电材料沉积在半导体晶片的表面上或从半导体晶片的表面上去除。可以通过若干种沉积技术来沉积导电材料、半导电材料以及介电材料的薄层。在现代加工中常见的沉积技术包括物理气相沉积(PVD)(也称为溅射)、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)、以及电化学电镀(ECP)。
[0003]随着材料层被依次地沉积和去除，晶片的最上表面变成非平面的。因为后续的半导体加工(例如，金属化)要求晶片具有平坦的表面，所以需要对晶片进行平坦化。平坦化可用于去除不希本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种化学机械抛光组合物，其由以下组成：水；磨料；任选地pH调节剂；任选地杀生物剂；大于7的pH；以及具有式(I)的季鏻化合物：其中R选自由以下组成的组：苯基、苄基和直链或支链C1‑
C4烷基；并且X是选自由Br
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、Cl
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、I
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、F
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和OH
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组成的组的阴离子。2.如权利要求1所述的化学机械抛光组合物，其中，所述化学机械抛光组合物由以下组成：水；0.1至40wt％的所述磨料；任选地所述pH调节剂；任选地所述杀生物剂；所述大于7的pH；0.001至1wt％的具有所述式(I)的所述季鏻化合物：其中R选自由以下组成的组：苯基、苄基和直链或支链C1‑
C4烷基；并且X是选自由Br
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、Cl
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、I
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、F
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和OH
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组成的组的阴离子。3.如权利要求1所述的化学机械抛光组合物，其中，所述化学机械抛光组合物由以下组成：水；5至25wt％的所述磨料，其中所述磨料是胶体二氧化硅磨料；所述pH调节剂；所述杀生物剂；8
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13的pH；0.01至1wt％的具有所述式(I)的所述季鏻化合物：
其中R选自由以下组成的组：苯基、苄基和直链或支链C1‑
C4烷基；并且X是选自由Br
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、Cl
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、I
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、F
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【专利技术属性】
技术研发人员：郭毅，
申请(专利权)人：罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司，
类型：发明
国别省市：