苯并环丁烯化合物及其制备方法、聚合物、低介电材料技术

本申请提供一种苯并环丁烯化合物，结构式为：其中，R1和R2分别独立地选自以下：H；取代或未取代的C1～C6的烷基、取代或未取代的C2～C6烯基；取代或未取代的苯基。本申请还提供苯并环丁烯化合物的制备方法、一种苯并环丁烯聚合物、含有苯并环丁烯聚合物的低介电材料。所述苯并环丁烯化合物中含有多个可交联位点，加热到一定温度四元环即可开环交联固化，没有小分子生成，固化后生成的苯并环丁烯聚合物交联度高，机械性能优良，化学稳定性和热稳定性优异，同时具有比较低的介电常数。同时具有比较低的介电常数。

【技术实现步骤摘要】
苯并环丁烯化合物及其制备方法、聚合物、低介电材料


[0001]本申请涉及低介电材料领域，尤其涉及一种苯并环丁烯化合物及其制备方法、苯并环丁烯聚合物、应用于该苯并环丁烯聚合物的低介电材料。

技术介绍

[0002]近年来，随着微电子领域的快速发展，超大规模集成电路器件的集成度越来越高，从而使得芯片尺寸越来越向小型化发展。然而，电子器件尺寸的进一步减小以及集成密度的进一步增大，将导致电阻
‑
电容上升、信号传输延迟、串扰噪声增强和功率损耗增大等一系列问题，对器件性能有很大影响。采用低介电材料作为电子层间介质是重要的解决途径之一，因此新型低介电材料的设计合成已成为当代科研学者所特别关注的问题。

技术实现思路

[0003]本申请实施例第一方面提供了一种苯并环丁烯化合物，结构式为：
[0004][0005]其中，R1和R2分别独立地选自以下：
[0006](a)H；
[0007](b)取代或未取代的C1～C6的烷基、取代或未取代的C2～C6的烯基，其中所述的取代是指基团上的一个或多个氢原子被选自以下的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种苯并环丁烯化合物，其特征在于，所述苯并环丁烯化合物的结构式为：其中，R1和R2分别独立地选自以下：(a)H；(b)取代或未取代的C1～C6的烷基、取代或未取代的C2～C6的烯基，其中所述的取代是指基团上的一个或多个氢原子被选自以下的取代基取代：C1～C4的烷基、C2～C4的烯基、C2～C4的炔基、未取代的苯基或苯环上的1～3个氢原子被C1～C4的烷基取代的苯基；(c)取代或未取代的苯基，其中所述的取代指基团上的一个或多个氢原子被选自以下的取代基取代：C1～C4的烷基、C2～C4的烯基、C2～C4的炔基、未取代的苯基。2.一种苯并环丁烯聚合物，其特征在于，所述苯并环丁烯聚合物的结构式为：其中，R1和R2分别独立地选自以下：(a)H；(b)取代或未取代的C1～C6的烷基、取代或未取代的C2～C6的烯基，其中所述的取代是指基团上的一个或多个氢原子被选自以下的取代基取代：C1～C4的烷基、C2～C4的烯基、C2～C4的炔基、未取代的苯基或苯环上的1～3个氢原子被C1～C4的烷基取代的苯基；(c)取代或未取代的苯基，其中所述的取代指基团上的一个或多个氢原子被选自以下的取代基取代：C1～C4的烷基、C2～C4的烯基、C2～C4的炔基、未取代的苯基。3.一种低介电材料，包括苯并环丁烯聚合物，其特征在于，所述苯并环丁烯聚合物的结构式为：
其中，R1和R2分别独立地选自以下：(a)H；(b)取代或未取代的C1～C6的烷基、取代或未取代的C2～C6烯基，其中所述的取代是指基团上的一个或多个氢原子被选自以下的取代基取代：C1～C4的烷基、C2～C4的烯基、C2～C4的炔基、未取代的苯基或苯环上的1～3个氢原子被C1～C4的烷基取代的苯基；(c)取代或未取代的苯基，其中所述的取代指基团上的一个或多个氢原子被选自以下的取代基取代：C1～C4的烷基、C2～C4的烯基、C2～C4的炔基、未取代的苯基。4.根据权利要求3所述的低介电材料，其特征在于，所述苯并环丁烯聚合物由苯并环丁烯单体聚合而成，所述苯并环丁烯单体的结构式为：5.一种苯并环丁烯化合物的制备方法，其特征在于，包括：将3,6
‑
二取代的苯并环丁烯与4
‑
溴苯并环丁烯进行偶联反应，得到产物苯并环丁烯化合物；其中，3,6
‑
二取代的苯并环丁烯中的R1和R2分别独立地选自以下：(a)H；(b)取代或未取代的...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨军校，曾志雄，胡欢，石庆宇，朱焰焰，
申请(专利权)人：西南科技大学，
类型：发明
国别省市：