一种多频宽带自解耦终端天线及电子设备制造技术

本申请提供了一种多频宽带自解耦终端天线及电子设备，能够在不增大空间占用的前提下，在多频宽带范围内改善终端天线之间的隔离度，提高对应终端设备的通信性能。多频宽带自解耦终端天线包括：辐射体，馈电端口以及接地端口。辐射体的一端与外界天线相对设置，且设置有馈电端口。辐射体的另一端为开放端。接地端口位于馈电端口与开放端之间。馈电端口至开放端的长度满足：第一解耦频率的电磁波由馈电端口传输至开放端，再被开放端反射至馈电端口时，相位改变π的奇数倍。馈电端口至接地端口的长度满足：第二解耦频率的电磁波由馈电端口传输至接地点，再被接地点反射至馈电端口时，在传输路径上的相位变化量与接地点的反射相位差之和为π的奇数倍。位差之和为π的奇数倍。位差之和为π的奇数倍。

【技术实现步骤摘要】
一种多频宽带自解耦终端天线及电子设备


[0001]本申请实施例涉及天线领域，尤其涉及一种多频宽带自解耦终端天线及电子设备。

技术介绍

[0002]随着通信技术的发展，终端设备中的天线数量也越来越多。由于终端设备中设置天线的空间有限，因此天线数量的增多会使各天线之间的变小，导致各天线之间的隔离度变差。
[0003]可以通过在天线间设置解耦结构或解耦器件来改善各天线之间的隔离度。然而，终端设备中各器件的布局非常紧凑，通常难以留出足够的空间设置解耦结构或解耦器件。此外，现有的解耦方案一般解耦带宽较窄，而终端设备中的终端天线需要覆盖多个频段，需要进行宽带解耦。
[0004]因此，如何在不增大占用空间的前提下，在多频宽带范围内改善天线之间的隔离度，成为亟待解决的问题。

技术实现思路

[0005]本申请提供了一种多频宽带自解耦终端天线及电子设备，能够在不增大空间占用的前提下，在多频宽带范围内改善终端天线之间的隔离度，有利于提高对应终端设备的通信性能。
[0006]为了达到上述目的，本申请实施例采用如下技术方案：
[0007]第一方面，提供一种多频宽带自解耦终端天线，多频宽带自解耦终端天线的解耦频率包括第一解耦频率和第二解耦频率，第一解耦频率和第二解耦频率不相等。多频宽带自解耦终端天线包括：辐射体，馈电端口以及接地端口。辐射体的一端与外界天线相对设置，且设置有馈电端口。辐射体的另一端为开放端。接地端口设置于辐射体上，且位于馈电端口与开放端之间。馈电端口与馈电点连接，接地端口与接地点连接。馈电端口至开放端的长度满足：第一解耦频率的电磁波由馈电端口传输至开放端，再被开放端反射至馈电端口时，相位改变π的奇数倍。馈电端口至接地端口的长度满足：第二解耦频率的电磁波由馈电端口传输至接地点，再被接地点反射至馈电端口时，在传输路径上的相位变化量与接地点的反射相位差之和为π的奇数倍。
[0008]基于该方案，外界天线中第一解耦频率的电磁波耦合至本申请实施例提供的多频宽带自解耦终端天线中时，会分为两条传输路径，分别称作第一耦合路径和第二耦合路径。第一耦合路径为电磁波通过馈电端口传输至馈电点。第二耦合路径为电磁波先由馈电端口传输至开放端，再被开放端反射至馈电端口。当第一耦合路径中的电磁波传输至馈电端口时的相位，与第二耦合路径中的电磁波传输至馈电端口时的相位相差π的奇数倍时，两条路径上电磁波的能量会相互抵消，从而减小外界天线对自身的干扰，改善自身与外界天线的隔离度。外界天线中第二解耦频率的电磁波耦合至本申请实施例提供的多频宽带自解耦终
端天线中时，也会分为两条传输路径，称作第三耦合路径和第四耦合路径。第三耦合路径为电磁波通过馈电端口传输至馈电点，第四耦合路径为电磁波先由馈电端口通过接地端口传输至接地点，再被接地点反射至馈电端口。当第三耦合路径中的电磁波传输至馈电端口时的相位，与第四耦合路径中的电磁波传输至馈电端口时的相位相差π的奇数倍时，两条路径上电磁波的能量会相互抵消，从而减小外界天线对自身的干扰，改善自身与外界天线的隔离度。
[0009]在一种可能的设计中，辐射体设置于介质基底上。馈电端口至开放端的长度L满足：
[0010]其中，i为大于或等于1的整数，n为第一解耦频率的电磁波在介质基底中的波长。基于该方案，可以较为精确地确定辐射体的总长度，以使第一解耦频率的电磁波由馈电端口传输至开放端，再被开放端反射至馈电端口时，相位改变π的奇数倍。
[0011]在一种可能的设计中，辐射体设置于介质基底上。馈电端口至接地端口的长度K满足：
[0012]其中，j为大于或等于1的整数，φ为接地点的反射相位差，m为第二解耦频率的电磁波在介质基底中的波长。基于该方案，可以较为精确地确定辐射体的馈电端口至接地端口的长度，以使第二解耦频率的电磁波由馈电端口传输至接地点，再被接地点反射至馈电端口时，相位改变π的奇数倍。
[0013]在一种可能的设计中，辐射体设置于介质基底上。馈电端口至开放端的长度为第一波长的四分之三。第一波长为第一解耦频率的电磁波在介质基底中的波长。馈电端口至接地端口的长度为第二波长的二分之一。第二波长为第二解耦频率的电磁波在介质基底中的波长。基于该方案，可以使多频宽带自解耦终端天线的尺寸较小的同时，改善自身与外界天线之间的隔离度。
[0014]在一种可能的设计中，接地端口与接地点直接连接时，接地点的反射相位差为π。接地端口与接地点通过电容连接时，接地点的反射相位差小于π。接地端口与接地点通过电感连接时，接地点的反射相位差大于π。基于该方案，可以在不影响所确定的接地端口至馈电端口的长度精确性的前提下，通过接地端口与接地点之间是否串联器件以及串联的器件类型便捷地对天线匹配和解耦频率进行调谐。
[0015]在一种可能的设计中，辐射体呈弯折状。辐射体弯折处的两端平行。多频宽带自解耦终端天线工作时，辐射体弯折处两端的电流平行且同向。基于该方案，可以增加多频宽带自解耦终端天线的工作带宽。
[0016]在一种可能的设计中，馈电点和接地点均设置于印制电路板上。馈电端口与馈电点通过铜箔或金属弹片连接。接地端口与接地点通过铜箔或金属弹片连接。基于该方案，可以使多频宽带自解耦终端天线的馈电或接地较为稳定。
[0017]第二方面，提供一种多频宽带自解耦终端天线，包括第一天线和第二天线。第一天
线为如第一方面任一项的多频宽带自解耦终端天线。第一天线的解耦频率包括第三解耦频率和第四解耦频率。第二天线为如第一方面任一项的多频宽带自解耦终端天线，第二天线的解耦频率包括第五解耦频率和第六解耦频率。第三解耦频率，第四解耦频率，第五解耦频率以及第六解耦频率均不相等。第一天线的辐射体的一端与第二天线的辐射体的一端相对设置。基于该方案，可以增加多频宽带自解耦终端天线的解耦带宽，提高多频宽带自解耦终端天线的隔离度。
[0018]在一种可能的设计中，第一天线的辐射体中馈电端口所在的一端与第二天线的辐射体中馈电端口所在的一端相对设置。或第一天线的辐射体中的开放端与第二天线的辐射体中馈电端口所在的一端相对设置。或第一天线的辐射体中的开放端与第二天线的辐射体中馈电端口所在的一端相对设置，且第一天线的辐射体中馈电端口所在的一端与第二天线的辐射体中的开放端相对设置。基于该方案，有利于减小多频宽带自解耦终端天线的尺寸。
[0019]应当理解的是，上述第二方面提供的技术方案，其技术特征均可对应到第一方面及其可能的设计中提供的多频宽带自解耦终端天线，因此能够达到的有益效果类似，此处不再赘述。
[0020]第三方面，提供一种电子设备，电子设备包括如第一方面任一项的多频宽带自解耦终端天线和/或第二方面任一项的多频宽带自解耦终端天线。
[0021]应当理解的是，上述第三方面提供的技术方案，其技术特征均可对应到第一方面及其可能的设计中提供的多频宽带自解耦终端天线，因此能够达到的有益效果类似，此处不再赘述。
附图说明
[0022]图1为一种终端天线的示意图；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多频宽带自解耦终端天线，其特征在于，所述多频宽带自解耦终端天线的解耦频率包括第一解耦频率和第二解耦频率，所述第一解耦频率和所述第二解耦频率不相等；所述多频宽带自解耦终端天线包括：辐射体，馈电端口以及接地端口；所述辐射体的一端与外界天线相对设置，且设置有所述馈电端口；所述辐射体的另一端为开放端；所述接地端口设置于所述辐射体上，且位于所述馈电端口与所述开放端之间；所述馈电端口与馈电点连接，所述接地端口与接地点连接；所述馈电端口至所述开放端的长度满足：所述第一解耦频率的电磁波由所述馈电端口传输至所述开放端，再被所述开放端反射至所述馈电端口时，相位改变π的奇数倍；所述馈电端口至所述接地端口的长度满足：所述第二解耦频率的电磁波由所述馈电端口传输至所述接地点，再被所述接地点反射至所述馈电端口时，在传输路径上的相位变化量与所述接地点的反射相位差之和为π的奇数倍。2.根据权利要求1所述的多频宽带自解耦终端天线，其特征在于，所述辐射体设置于介质基底上；所述馈电端口至所述开放端的长度L满足：其中，i为大于或等于1的整数，n为第一解耦频率的电磁波在所述介质基底中的波长。3.根据权利要求1所述的多频宽带自解耦终端天线，其特征在于，所述辐射体设置于介质基底上；所述馈电端口至所述接地端口的长度K满足：其中，j为大于或等于1的整数，φ为接地点的反射相位差，m为第二解耦频率的电磁波在所述介质基底中的波长。4.根据权利要求1所述的多频宽带自解耦终端天线，其特征在于，所述辐射体设置于介质基底上；所述馈电端口至所述开放端的长度为第一波长的四分之三；所述第一波长为所述第一解耦频率的电磁波在所述介质基底中的波长；所述馈电端口至所述接地端口的长度为第二波长的二分之一；所述第二波长为所述第二解耦频率的电磁波在所述介质基底中的波长。5.根据权利要求1所述的多频宽带自解耦终端天线，其特征在于，所述接地端口与所述接地点直接连接时，所述接地点的反射相位差为π；所述接地端口与所述接地点通过电容连接时，所述接...

【专利技术属性】
技术研发人员：张澳芳，魏鲲鹏，周高楠，褚少杰，
申请(专利权)人：荣耀终端有限公司，
类型：发明
国别省市：