光电耦合器的发射端和光电耦合器制造技术

技术编号:35321966 阅读:18 留言:0更新日期:2022-10-22 13:21
本实用新型专利技术提供了一种光电耦合器的发射端和光电耦合器,包括发射支架、固晶胶层、发射芯片、焊线和硅胶层,发射支架设置有相互分隔的第一基岛和第二基岛,第一基岛上设置有固晶区域,固晶区域为凹槽,第二基岛上设置有焊接区域;固晶胶层涂设于凹槽的槽底;发射芯片通过固晶胶层固定于凹槽内;焊线的一端连接至发射芯片,另一端连接至焊接区域;硅胶层包裹凹槽、固晶胶层和发射芯片。在发射支架上设置一个凹槽,利用液体硅胶往下流的特性,令偏置的硅胶往凹槽方向流以凹槽为中心形成一个半球面以完整包裹着发射芯片。另外,还能够减少硅胶用量,降低成本,提升效益。提升效益。提升效益。

【技术实现步骤摘要】
光电耦合器的发射端和光电耦合器


[0001]本技术实施例涉及但不限于电子元器件
,尤其涉及一种光电耦合器的发射端和光电耦合器。

技术介绍

[0002]对于光电耦合器封装,采用光隔离,因此设置有发射端和接受端,而发射端的发射芯片会受自身发热和外界的高低温而衰减,影响产品性能,所以现在光电耦合器都会在发射芯片焊线后加入点硅胶包裹工艺,而受硅胶流动性和点胶设备的不稳定性影响,生产过程硅胶未必能完全包裹发射芯片,造成芯片漏出而产品性能衰减或不稳定的现象。
[0003]对此,现有解决方案往往采用加大点硅胶胶量,而加大点胶胶量确实可以解决芯片包裹不完全漏出问题,但同时会由于硅胶高度的增加,使得硅胶与接受芯片的距离减小,由于光电耦合器是一种高压隔离的安规器件,往往用于产品的高压隔离,所以往往存在如下缺点:第一,硅胶和接收芯片距离小,高压电击穿发射和接收通路,光电耦合器失去隔离作用,直接损坏成品产品;第二,厂内测试,高压测试不良率高,验证影响生产效益,测试合格品实际使用风险大;第三,加大硅胶量,成本上升,效益下降。

技术实现思路

[0004]以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
[0005]本技术实施例提供了一种光电耦合器的发射端和光电耦合器,能够在减少硅胶用量的情况下也能完整包裹发射芯片,保证隔离作用,降低成本,提升效益。
[0006]第一方面,本技术实施例提供了一种光电耦合器的发射端,包括:
[0007]发射支架,设置有相互分隔的第一基岛和第二基岛,所述第一基岛上设置有固晶区域,所述固晶区域为凹槽,所述第二基岛上设置有焊接区域;
[0008]固晶胶层,涂设于所述凹槽的槽底;
[0009]发射芯片,通过所述固晶胶层固定于所述凹槽内;
[0010]焊线,一端连接至所述发射芯片,另一端连接至所述焊接区域;
[0011]硅胶层,包裹所述凹槽、所述固晶胶层和所述发射芯片。
[0012]根据本技术实施例的光电耦合器的发射端,具有如下技术效果:本技术实施例的光电耦合器的发射端包括发射支架、固晶胶层、发射芯片、焊线和硅胶层,其中,发射支架设置有相互分隔的第一基岛和第二基岛,第一基岛上设置有固晶区域,固晶区域为凹槽,第二基岛上设置有焊接区域;固晶胶层涂设于凹槽的槽底;发射芯片通过固晶胶层固定于凹槽内;焊线的一端连接至发射芯片,另一端连接至焊接区域;硅胶层包裹凹槽、固晶胶层和发射芯片。根据本技术实施例的技术方案,在发射支架上设置一个凹槽,利用液体硅胶往下流的特性,令偏置的硅胶往凹槽方向流以凹槽为中心形成一个半球面以完整包裹着发射芯片。即使硅胶位置偏移,硅胶依然可以通过发射支架平面和凹槽形成的高低梯
度由上往下流动,同时由于硅胶的张力会使硅胶形成的半球面也逐渐往凹槽中心形成,达到包裹发射芯片的效果。另外,还能够减少硅胶用量,降低成本,提升效益。
[0013]在一些实施例中,所述凹槽呈圆形状设置。
[0014]在一些实施例中,所述固晶胶层涂设于所述凹槽的槽底中央,所述发射芯片通过所述固晶胶层固定于所述凹槽的中央位置,所述硅胶层呈半球面状,所述硅胶层的顶部位于所述发射芯片的上方。
[0015]在一些实施例中,所述凹槽的槽底和槽壁设置有反光涂层,所述反光涂层用于将来自所述发射芯片的光线反射至光电耦合器的接收端。
[0016]在一些实施例中,所述凹槽的槽壁呈倾斜状设置,并且所述槽壁所在平面的法线方向指向所述发射芯片和所述接收端的接收芯片之间,以使所述槽壁处的所述反光涂层将来自所述发射芯片的光线反射至所述接收芯片。
[0017]在一些实施例中,所述凹槽的深度为0.1毫米。
[0018]在一些实施例中,所述发射芯片为红外线发光二极管。
[0019]第二方面,本技术实施例还提供了一种光电耦合器,包括接收端和如上述第一方面的发射端,所述发射端和所述接收端设置于同一管壳内。
[0020]根据本技术实施例的光电耦合器,具有如下技术效果:本技术实施例的光电耦合器包括接收端和发射端,其中,发射端包括发射支架、固晶胶层、发射芯片、焊线和硅胶层,其中,发射支架设置有相互分隔的第一基岛和第二基岛,第一基岛上设置有固晶区域,固晶区域为凹槽,第二基岛上设置有焊接区域;固晶胶层涂设于凹槽的槽底;发射芯片通过固晶胶层固定于凹槽内;焊线的一端连接至发射芯片,另一端连接至焊接区域;硅胶层包裹凹槽、固晶胶层和发射芯片。根据本技术实施例的技术方案,在发射支架上设置一个凹槽,利用液体硅胶往下流的特性,令偏置的硅胶往凹槽方向流以凹槽为中心形成一个半球面以完整包裹着发射芯片。即使硅胶位置偏移,硅胶依然可以通过发射支架平面和凹槽形成的高低梯度由上往下流动,同时由于硅胶的张力会使硅胶形成的半球面也逐渐往凹槽中心形成,达到包裹发射芯片的效果。另外,还能够减少硅胶用量,降低成本,提升效益。
[0021]在一些实施例中,所述管壳包括有黑胶层和白胶层,所述黑胶层包裹所述白胶层,所述发射芯片和所述接收端的接收芯片包裹于所述白胶层中。
[0022]在一些实施例中,所述接收端为光敏半导体管。
[0023]本技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本技术而了解。本技术的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
[0024]附图用来提供对本技术技术方案的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本技术的实施例一起用于解释本技术的技术方案,并不构成对本技术技术方案的限制。
[0025]图1是本技术的一个实施例提供的光电耦合器的发射端在点胶前的俯视图;
[0026]图2是图1中所示光电耦合器的发射端的侧视图;
[0027]图3是本技术的一个实施例提供的光电耦合器的发射端在点胶后的俯视图;
[0028]图4是图3中所示光电耦合器的发射端的侧视图;
[0029]图5是本技术的另一个实施例提供的光电耦合器的发射端在点胶前的侧视图;
[0030]图6是本技术的另一个实施例提供的光电耦合器的发射端在点胶后的侧视图。
具体实施方式
[0031]为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本技术进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术,并不用于限定本技术。
[0032]需要说明的是,虽然在装置示意图中进行了功能模块划分,在流程图中示出了逻辑顺序,但是在某些情况下,可以以不同于装置中的模块划分,或流程图中的顺序执行所示出或描述的步骤。说明书、权利要求书或上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象,而不必用于描述特定的顺序或先后次序。
[0033]在相关技术中,对于光电耦合器封装,采用光隔离本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光电耦合器的发射端,其特征在于,包括:发射支架,设置有相互分隔的第一基岛和第二基岛,所述第一基岛上设置有固晶区域,所述固晶区域为凹槽,所述第二基岛上设置有焊接区域;固晶胶层,涂设于所述凹槽的槽底;发射芯片,通过所述固晶胶层固定于所述凹槽内;焊线,一端连接至所述发射芯片,另一端连接至所述焊接区域;硅胶层,包裹所述凹槽、所述固晶胶层和所述发射芯片。2.根据权利要求1所述的光电耦合器的发射端,其特征在于,所述凹槽呈圆形状设置。3.根据权利要求2所述的光电耦合器的发射端,其特征在于,所述固晶胶层涂设于所述凹槽的槽底中央,所述发射芯片通过所述固晶胶层固定于所述凹槽的中央位置,所述硅胶层呈半球面状,所述硅胶层的顶部位于所述发射芯片的上方。4.根据权利要求1所述的光电耦合器的发射端,其特征在于,所述凹槽的槽底和槽壁设置有反光涂层,所述反光涂层用于将来自所述发射芯片的光线反射至光电耦合器的接收...

【专利技术属性】
技术研发人员:区耀华罗森春吴质朴何畏林士修
申请(专利权)人:深圳市奥伦德元器件有限公司
类型:新型
国别省市:

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