一种降低整流器件芯片封装体内应力的封装结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种降低整流器件芯片封装体内应力的封装结构，包括引脚，连接线，芯片，绝缘胶，封装体，焊料。由于应力一般集中于产品内部突变位置，如芯片的角边位置。本实用新型专利技术在芯片的四周边涂覆绝缘胶，封装体覆盖芯片后，芯片四周边与封装体之间有一层绝缘胶，降低了封装体内应力的影响。本实用新型专利技术的优点是，芯片边缘与塑封体之间采用涂覆层缓冲，可实现应力分散与消减，芯片受应力影响程度远小于传统的封装结构。由此实现了低膨胀系数的芯片与高膨胀系数的塑封料之间的配合，同时阻档外界的湿度影响，大幅提升产品的可靠性，本实用新型专利技术应用于50A以下桥式整流器。用新型应用于50A以下桥式整流器。用新型应用于50A以下桥式整流器。

【技术实现步骤摘要】
一种降低整流器件芯片封装体内应力的封装结构


[0001]本技术涉及一种桥式整流器，特别涉及50A以下的单相桥式整流器或三相桥式整流器。

技术介绍

[0002]传统的桥式整流器采用整体环氧树脂包封结构，如附图3所示，因环氧树脂的固化收缩率较高以及膨胀系数与铜引脚和芯片不匹配,，器件内部芯片在完成封装后需要承受较大的应力，而普通芯片为单晶硅材料制成，由于单晶硅的特性，在受到应力时易损伤进而导致器件功能降低或损坏。
[0003]多年来，经过对环氧树脂不断改进以及芯片保护层不断完善，在应力消除方面已经取得较大的发展，对于某些芯片而言已经可以克服应力的影响，但对于多数芯片而言，应力仍然是一种十分严重困扰问题。

技术实现思路

[0004]为解决现有整流器内部应力的问题，本技术提供一种降低整流器件芯片封装体内应力的封装结构，包括引脚，连接线，芯片，绝缘胶，封装体，焊料。由于应力一般集中于产品内部突变位置，如芯片的角边位置。本技术在芯片的四周边涂覆绝缘胶，封装体覆盖芯片后，芯片四周边与封装体之间有一层绝缘胶，以降低封装体内应力的影响。
[0005]所述封装体内的芯片背面用焊料与引脚焊接，芯片的正面用焊料与铜片焊接，或用铝线或铝带直接键合。
[0006]所述绝缘胶是硅氧烷，或是聚酰亚胺。
[0007]所述引脚为4只或5只。
[0008]所述封装体为环氧树脂、或黑胶、或模塑料全包覆。
[0009]所述封装体灌封后的整流器厚度为2.5
‑
6mm。
[0010]本技术的优点是，芯片边缘与塑封体之间采用涂覆层缓冲，可实现应力分散与消减，芯片受应力影响程度远小于传统的封装结构。从而突破了芯片与塑封体之间的膨胀系数不匹配的问题，由此实现了低膨胀系数的芯片与高膨胀系数的塑封料之间的配合，同时阻档外界的湿度影响，大幅提升产品的可靠性，本技术应用于50A以下桥式整流器。
附图说明
[0011]图1是本技术外形平面图；
[0012]图2是图1的侧视图；
[0013]图3是传统的桥式整流器采用整体环氧树脂包封结构正视图；
[0014]图4是传统的桥式整流器采用整体环氧树脂包封结构侧视图；
[0015]图5是图4局部剖视放大图；
[0016]图6是本技术用绝缘胶涂覆芯片四周边正视图；
[0017]图7是图6侧视图；
[0018]图8是图7局部剖视放大图；
[0019]图中标号说明：
[0020]1‑
芯片；2
‑
连接线；3
‑
引脚；4
‑
封装体；5
‑
绝缘胶；
[0021]图3、4中标号说明：
[0022]101
‑
跳线；102
‑
封装体；103
‑
芯片；104
‑
导线架。
具体实施方式
[0023]请参阅附图6、7所示，所述芯片1用焊料焊接引脚3和连接线2，或用连接线直接键合，并用封装体4灌封，芯片1与封装体4之间用绝缘胶5缓冲。
[0024]所述绝缘胶5是硅氧烷或聚酰亚胺。
[0025]所述引脚3为4只或5只。
[0026]所述封装体4采用环氧树脂、或黑胶、或模塑料胶半包覆。
[0027]所述封装体4灌封后的整流器厚度为2.5
‑
6 mm。
[0028]本技术每个封装外形包含引脚3共四支或五支，连接线2共四支（或组）或六支（或组），芯片1共四个或六个；所述产品长度为20~35mm, 宽度为17~25mm, 厚度为2.5~6 mm，中间有圆形或椭圆形锁镙丝孔。
[0029]本技术针对桥式整流器件而设计，一般用于50A以下的整流器。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种降低整流器件芯片封装体内应力的封装结构，包括引脚，连接线，芯片，绝缘胶，封装体，焊料，其特征在于，在芯片的四周边涂覆绝缘胶，封装体覆盖芯片后，芯片四周边与封装体之间有一层绝缘胶，以降低封装体内应力的影响。2.按权利要求1所述一种降低整流器件芯片封装体内应力的封装结构，其特征在于，所述封装体内的芯片背面用焊料与引脚焊接，芯片的正面用焊料与铜片焊接，或用铝线或铝带直接键合。3.按权利要求1所述一种降低整流器件芯片封装体内应力的封装结...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏镇宇，杨旭，杨晓磊，
申请(专利权)人：上海旭福电子有限公司，
类型：新型
国别省市：