喷墨用粘接剂、半导体装置的制造方法及电子零件制造方法及图纸

提供一种喷墨用粘接剂，其在使用喷墨装置进行涂布而被使用的粘接剂中，可以在粘接剂层中不易产生孔，另外在贴合后，可以减少暴露于高温时的脱气并提高耐湿可靠性。本发明专利技术的喷墨用粘接剂含有：其含有：具有1个(甲基)丙烯酰基的第一光固化性化合物、具有2个以上(甲基)丙烯酰基的第二光固化性化合物、光自由基引发剂、具有1个以上的环状醚基或环状硫醚基的热固化性化合物、能够与所述热固化性化合物发生反应的化合物，所述第一光固化性化合物含有(甲基)丙烯酸碳原子数8～21的烷基酯。(甲基)丙烯酸碳原子数8～21的烷基酯。(甲基)丙烯酸碳原子数8～21的烷基酯。

【技术实现步骤摘要】
喷墨用粘接剂、半导体装置的制造方法及电子零件
[0001]本申请是中国申请号为201680003482.3、专利技术名称为“喷墨用粘接剂、半导体装置的制造方法及电子零件”且申请日为2016年1月20日的专利申请的分案申请。


[0002]本专利技术涉及一种使用喷墨装置进行涂布而被使用的喷墨用粘接剂。另外，本专利技术涉及一种使用上述粘接剂的半导体装置的制造方法、以及使了用上述粘接剂的电子零件。

技术介绍

[0003]在对半导体元件和基板等支承部件进行接合时主要使用糊状的粘接剂作为半导体元件固定用粘接剂。近年来，伴随半导体元件的小型化、半导体封装的小型化、高性能化，对所使用的支承部件也要求小型化。针对这样的要求，在糊状的粘接剂中，产生润湿扩大而溢出等问题。另外，在糊状的粘接剂中，厚度控制困难，其结果，半导体元件倾斜而产生接合的不良等问题。因此，在近年来的半导体封装中，使用现有的糊状的粘接剂的接合中，不能充分地应对。
[0004]另外，近年来，如下述的专利文献1中所记载，可使用具有膜状的粘接剂层的粘接片。
[0005]使用有该粘接片的接合方法中，首先，在半导体晶片的背面粘贴粘接片(粘接剂层)，进一步在粘接剂层的另一个面贴合切割片。其后，通过切割，在贴合有粘接剂层的状态下将半导体晶片进行切片化而得到半导体元件。接着，拾起带粘接剂层的半导体元件，将其与支承部件进行接合。其后，经过接合、密封等组装工序，得到半导体装置。
[0006]但是，在使用有粘接片的半导体装置的制造中，存在如下问题：由于粘接片在切割时与切割刀粘合在一起，从而切断性降低，半导体芯片出现缺陷而成品率降低。另外，由于在基板等支承部件中存在配线图案等台阶，所以在台阶部分容易残留孔。孔成为使可靠性变差的原因。
[0007]另外，专利文献2中，公开有一种粘接剂，其含有放射线聚合性化合物、光引发剂和热固化性树脂。但是，这种粘接剂存在如下问题：在具有配线图案的台阶的基板中，产生孔，可靠性变低。
[0008]下述的专利文献3中公开有一种粘接剂，其含有：(1)环氧树脂、(2)自由基固化性树脂、(3)光自由基引发剂、及(4)潜在性环氧固化剂。(4)潜在性环氧固化剂是使(a)特定的式(I)表示的胺化合物、(b)分子内具有2个以上的氨基的多胺化合物、(c)有机聚异氰酸酯化合物、及(d)环氧化合物反应而得到的。但是，存在如下问题：即使使用这种粘接剂，在具有配线图案的台阶的基板中也会产生孔，可靠性变低。
[0009]另外，在现有的粘接剂中，有时贴合后的粘接性变低。另外，现有的粘接剂也存在如下问题：暴露于高温时，有时会发生脱气而污染周边部件，或者耐湿可靠性变低。
[0010]现有技术文献
[0011]专利文献
[0012]专利文献1:日本特开平3
‑
192178号公报
[0013]专利文献2:WO2011/058998A1
[0014]专利文献3:日本特开2013
‑
82836号公报

技术实现思路

[0015]专利技术所要解决的技术问题
[0016]本专利技术的目的在于，提供一种喷墨用粘接剂，其在使用喷墨装置进行涂布而被使用的粘接剂中，可以在粘接剂层中不易产生孔，另外可以在贴合后降低暴露在高温中时的脱气、且提高耐湿粘接可靠性。另外，本专利技术的目的还在于，提供一种使用上述粘接剂的半导体装置的制造方法、以及使用有上述粘接剂的电子零件。
[0017]用于解决技术问题的技术方案
[0018]根据本专利技术的宽广的方面，提供一种喷墨用粘接剂，其含有：
[0019]具有1个(甲基)丙烯酰基的第一光固化性化合物、具有2个以上(甲基)丙烯酰基的第二光固化性化合物、光自由基引发剂、具有1个以上的环状醚基或环状硫醚基的热固化性化合物、以及能够与所述热固化性化合物发生反应的化合物，所述第一光固化性化合物含有(甲基)丙烯酸碳原子数8～21的烷基酯。
[0020]在本专利技术的粘接剂的某种特定方面，所述第一光固化性化合物和所述第二光固化性化合物的合计100重量％中，所述第一光固化性化合物的含量为50重量％以上、99.9重量％以下，所述第二光固化性化合物的含量为0.1重量％以上、50重量％以下。。
[0021]在本专利技术的粘接剂的某种特定方面，所述具有1个以上的环状醚基或环状硫醚基的热固化性化合物含有具有1个以上的环氧基或环硫乙烷基的热固化性化合物。
[0022]在本专利技术的粘接剂的某种特定方面，所述具有1个以上的环状醚基或环状硫醚基的热固化性化合物含有具有1个以上的环氧基或环硫乙烷基的热固化性化合物。
[0023]在本专利技术的粘接剂的某种特定方面，所述粘接剂含有具有1个以上的(甲基)丙烯酰基、且具有1个以上的环状醚基或环状硫醚基的光及热固化性化合物。
[0024]在本专利技术的粘接剂的某种特定方面，所述具有1个以上的(甲基)丙烯酰基、且具有1个以上的环状醚基或环状硫醚基的光及热固化性化合物包含具有1个以上的(甲基)丙烯酰基、且具有1个以上的环氧基或环硫乙烷基的光及热固化性化合物。
[0025]在本专利技术的粘接剂的某种特定方面，所述光及热固化性化合物含有(甲基)丙烯酸4
‑
羟基丁酯缩水甘油醚。
[0026]在本专利技术的粘接剂的某种特定方面，根据JIS K2283测定的所述喷墨用粘接剂在25℃及10rpm下的粘度为5mPa
·
s以上、1600mPa
·
s以下。
[0027]根据本专利技术的宽广的方面，提供一种半导体装置的制造方法，其包括：
[0028]在用于搭载半导体元件的支承部件或半导体元件的表面上，使用喷墨装置涂布上述喷墨用粘接剂，形成粘接剂层的涂布工序；
[0029]通过照射光而使所述粘接剂层发生固化，形成B阶化粘接剂层的工序；
[0030]在所述B阶化粘接剂层的与所述支承部件或所述半导体元件侧的相反一侧的表面上叠层半导体元件的工序；
[0031]在叠层了所述半导体元件后，使所述B阶化粘接剂层发生热固化的工序。
[0032]根据本专利技术的宽广的方面，提供一种半导体装置的制造方法，其包括：
[0033]在半导体晶片的表面上，使用喷墨装置喷出上述喷墨用粘接剂，形成粘接剂层的涂布工序；
[0034]通过照射光而使所述粘接剂层发生固化，形成B阶化粘接剂层的工序；
[0035]在所述B阶化粘接剂层的与所述半导体晶片侧相反的表面上叠层保护玻璃，得到叠层体的工序；
[0036]使所述叠层体中的所述B阶化粘接剂层发生热固化的工序；
[0037]热固化后切断所述叠层体的工序。
[0038]根据本专利技术的宽广的方面，提供一种电子零件，其包括：第一电子零件主体、第二电子零件主体、以及将所述第一电子零件主体和所述第二电子零件主体连接在一起的粘接剂层，所述粘接剂层为上述喷墨用粘接剂的固化物。
[0039]在本专利技术的电子零件的某种特定方面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种喷墨用粘接剂，其含有：具有1个(甲基)丙烯酰基的第一光固化性化合物、具有2个以上(甲基)丙烯酰基的第二光固化性化合物、光自由基引发剂、具有1个以上的环状醚基或环状硫醚基的热固化性化合物、能够与所述热固化性化合物发生反应的化合物，所述第一光固化性化合物含有(甲基)丙烯酸碳原子数8～21的烷基酯。2.如权利要求1所述的喷墨用粘接剂，其中，所述第一光固化性化合物和所述第二光固化性化合物的合计100重量％中，所述第一光固化性化合物的含量为50重量％以上、99.9重量％以下，所述第二光固化性化合物的含量为0.1重量％以上、50重量％以下。3.如权利要求1或2所述的喷墨用粘接剂，其中，所述具有1个以上的环状醚基或环状硫醚基的热固化性化合物含有具有1个以上的环氧基或环硫乙烷基的热固化性化合物。4.如权利要求1～3中任一项所述的喷墨用粘接剂，其含有具有1个以上的(甲基)丙烯酰基、且具有1个以上的环状醚基或环状硫醚基的光及热固化性化合物。5.如权利要求4所述的喷墨用粘接剂，其中，所述具有1个以上的(甲基)丙烯酰基、且具有1个以上的环状醚基或环状硫醚基的光及热固化性化合物包含具有1个以上的(甲基)丙烯酰基、且具有1个以上的环氧基或环硫乙烷基的光及热固化性化合物。6.如权利要求5所述的喷墨用粘接剂，其中，所述光及热固化性化合物含有(甲基)丙烯酸4
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羟基丁酯缩水甘油醚。7.如权利要求1～6中任一项所述的喷墨用粘接剂，其中，根据JIS K2283...

【专利技术属性】
技术研发人员：谷川满，渡边贵志，藤田悠介，藤田义人，山田佑，
申请(专利权)人：积水化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：