集水坑设计方法、装置及计算机可读存储介质制造方法及图纸

技术编号:35295740 阅读:14 留言:0更新日期:2022-10-22 12:43
本发明专利技术公开了一种集水坑设计方法、装置及计算机可读存储介质,所述方法包括获取集水坑的类型参数以及实例参数,类型参数包括集水坑长度、集水坑宽度、集水坑深度、集水坑坑底厚度以及集水坑坑壁厚度,实例参数包括建筑功能、本层层高、本层建筑面层以及结构升降板高度;将类型参数以及实例参数填充至参数化集水坑族;根据填充后的参数化集水坑族生成集水坑的目标三维模型,并根据填充后的参数化集水坑族计算得到集水坑的高度;根据集水坑的高度生成集水坑明细表,输出目标三维模型以及集水坑明细表。解决了在设计集水坑的过程中,人工测量集水坑高度的差错率较高导致设计的集水坑不满足设计需求的问题。满足设计需求的问题。满足设计需求的问题。

【技术实现步骤摘要】
集水坑设计方法、装置及计算机可读存储介质


[0001]本专利技术涉及建筑领域,尤其涉及集水坑设计方法、装置及计算机可读存储介质。

技术介绍

[0002]地下室底板等建筑设施为了满足建筑要求经常需要设置集水坑,集水坑可用于暂时存放需要排出的污水或者其他杂用水,在设计集水坑的过程中,集水坑底的净高是比较容易被设计师忽略的且在涉及过程中未进行管线绕行,会出现集水坑底的实际净高无法满足整体净高要求,以及布置完机电管线后不满足整体净高要求的情况,基于此,为了提高工程质量,往往需要对集水坑的实际高度进行测量,通常为在采用BIM技术生成集水坑的模型后,对集水坑模型的实际净高进行人工测量,然而人工测量的差错率较高,容易导致设计的集水坑不满足设计需求。
[0003]上述内容仅用于辅助理解本专利技术的技术方案,并不代表承认上述内容是现有技术。

技术实现思路

[0004]本专利技术的主要目的在于提供一种集水坑设计方法、装置及计算机可读存储介质,旨在解决设计集水坑的过程中,人工测量集水坑高度的差错率较高的问题。
[0005]为实现上述目的,本专利技术提供一种集水坑设计方法,所述方法包括以下步骤:
[0006]获取集水坑的类型参数以及实例参数,所述类型参数包括集水坑长度、集水坑宽度、集水坑深度、集水坑坑底厚度以及集水坑坑壁厚度,所述实例参数包括建筑功能、本层层高、本层建筑面层以及结构升降板高度;
[0007]将所述类型参数以及实例参数填充至参数化集水坑族;
[0008]根据填充后的参数化集水坑族生成集水坑的目标三维模型,并根据填充后的参数化集水坑族计算得到所述集水坑的高度;
[0009]根据所述集水坑的高度生成集水坑明细表,输出所述目标三维模型以及所述集水坑明细表。可选地,所述根据填充后的参数化集水坑族计算得到所述集水坑的高度的步骤包括:
[0010]获取所述实例参数中的本层层高、本层建筑面层以及结构升降板高度、以及所述类型参数中的集水坑深度;
[0011]根据所述本层层高、本层建筑面层、结构升降板高度以及所述集水坑深度确定所述集水坑的高度。
[0012]可选地,根据所述本层层高、本层建筑面层、结构升降板高度以及所述集水坑深度确定所述集水坑的高度的步骤包括:
[0013]获取所述本层层高以及所述集水坑深度的差值,将所述差值作为第一高度差值;
[0014]根据所述本层建筑面层以及所述结构升降板高度确定高度补偿值;
[0015]根据所述第一高度差值以及所述高度补偿值确定所述集水坑的高度。
[0016]可选地,所述根据填充后的参数化集水坑族计算得到所述集水坑的高度的步骤之后,还包括:
[0017]将所述高度与预设高度进行比对;
[0018]在所述高度与预设高度的差值的绝对值大于或等于预设阈值时,根据所述差值生成调整信息,所述调整信息包括所述集水坑深度的调整信息。
[0019]可选地,所述将所述高度与预设高度比对的步骤包括:
[0020]根据所述集水坑的建筑功能确定所述预设高度;
[0021]将所述高度与所述建筑功能对应的预设高度进行比对。
[0022]可选地,所述根据所述集水坑的高度生成集水坑明细表,输出所述目标三维模型以及所述集水坑明细表的步骤包括:
[0023]根据所述集水坑的类型参数、实例参数、所述集水坑的高度以及所述调整信息生成集水坑明细表,将所述集水坑明细表以及所述目标三维模型关联;
[0024]输出所述目标三维模型以及所述集水坑明细表。
[0025]此外,为实现上述目的,本专利技术还提供一种集水坑设计装置,所述集水坑设计装置包括:
[0026]参数获取模块,用于获取集水坑的类型参数以及实例参数,所述类型参数包括集水坑长度、集水坑宽度、集水坑深度、集水坑坑底厚度以及集水坑坑壁厚度,所述实例参数包括建筑功能、本层层高、本层建筑面层以及结构升降板高度;
[0027]模型生成模块,用于将所述类型参数以及实例参数填充至参数化集水坑族,根据填充后的参数化集水坑族生成所述集水坑的目标三维模型;
[0028]高度计算模块,用于根据填充后的参数化集水坑族计算得出所述集水坑的高度;
[0029]明细表生成模块,用于根据所述集水坑的高度生成集水坑明细表;
[0030]输出模块,用于输出所述目标三维模型以及所述集水坑明细表。
[0031]可选地,所述集水坑设计装置还包括:
[0032]高度检验模块,用于将计算得到的所述集水坑的高度与预设高度比对,并根据所述高度与所述预设高度的差值确定设计参数的调整信息。
[0033]可选地,所述集水坑设计装置包括:存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的集水坑设计程序,所述集水坑设计程序被所述处理器执行时实现如上所述的集水坑设计方法的步骤。
[0034]此外,为实现上述目的,本专利技术还提供一种计算机可读存储介质,所述计算机可读存储介质上存储有集水坑设计程序,所述集水坑设计程序被处理器执行时实现如上所述的集水坑设计方法的步骤。
[0035]本专利技术实施例提出的一种集水坑设计方法、装置及计算机可读存储介质,所述方法包括获取集水坑的类型参数以及实例参数,所述类型参数包括集水坑长度、集水坑宽度、集水坑深度、集水坑坑底厚度以及集水坑坑壁厚度,所述实例参数包括建筑功能、本层层高、本层建筑面层以及结构升降板高度;将所述类型参数以及实例参数填充至参数化集水坑族;根据填充后的参数化集水坑族生成集水坑的目标三维模型,并根据填充后的参数化集水坑族计算得到所述集水坑的高度;根据所述集水坑的高度生成集水坑明细表,输出所述目标三维模型以及所述集水坑明细表。通过获取集水坑的类型参数以及实例参数,并根
据类型参数以及实例参数填充至参数化集水坑族,所述参数化集水坑用于基于BIM技术构建所述集水坑的目标三维模型以及基于所述类型参数以及实例参数计算得到所述集水坑的高度,实现了在构建模型的同时也可以自动计算出集水坑的高度,而无需在构建模型后,基于模型进行人工测量,提高了计算集水坑高度的自动化,并且本申请通过实例参数结合类型参数对集水坑的高度进行自动测量,相较于现有技术通过本层层高以及集水坑坑底厚度计算得出的高度,计算得出的集水坑高度的精度更高。
附图说明
[0036]图1是本专利技术实施例方案涉及的硬件运行环境的装置结构示意图;
[0037]图2为本专利技术集水坑设计方法第一实施例的流程示意图;
[0038]图3为填充后的参数化集水坑族的示意图;
[0039]图4为本专利技术集水坑设计方法第一实施例步骤S40的细化流程示意图;
[0040]图5为本专利技术集水坑设计方法第一实施例步骤S42的细化流程示意图;
[0041]图6为本专利技术集水坑设计方法第一实施例的流程示意图;
[0042]图7为本专利技术集水坑设计方法第一实施例的流程示意图;
[0043]图8为本专利技术集水坑明细表的示本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集水坑设计方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:获取集水坑的类型参数以及实例参数,所述类型参数包括集水坑长度、集水坑宽度、集水坑深度、集水坑坑底厚度以及集水坑坑壁厚度,所述实例参数包括建筑功能、本层层高、本层建筑面层以及结构升降板高度;将所述类型参数以及实例参数填充至参数化集水坑族;根据填充后的参数化集水坑族生成集水坑的目标三维模型,并根据填充后的参数化集水坑族计算得到所述集水坑的高度;根据所述集水坑的高度生成集水坑明细表,输出所述目标三维模型以及所述集水坑明细表。2.如权利要求1所述的集水坑设计方法,其特征在于,所述根据填充后的参数化集水坑族计算得到所述集水坑的高度的步骤包括:获取所述实例参数中的本层层高、本层建筑面层以及结构升降板高度、以及所述类型参数中的集水坑深度;根据所述本层层高、本层建筑面层、结构升降板高度以及所述集水坑深度确定所述集水坑的高度。3.如权利要求2所述的集水坑设计方法,其特征在于,根据所述本层层高、本层建筑面层、结构升降板高度以及所述集水坑深度确定所述集水坑的高度的步骤包括:获取所述本层层高以及所述集水坑深度的差值,将所述差值作为第一高度差值;根据所述本层建筑面层以及所述结构升降板高度确定高度补偿值;根据所述第一高度差值以及所述高度补偿值确定所述集水坑的高度。4.如权利要求1所述的集水坑设计方法,其特征在于,所述根据填充后的参数化集水坑族计算得到所述集水坑的高度的步骤之后,还包括:将所述高度与预设高度进行比对;在所述高度与预设高度的差值的绝对值大于或等于预设阈值时,根据所述差值生成调整信息,所述调整信息包括所述集水坑深度的调整信息。5.如权利要求4所述的集水坑设计方法,其特征在于,所述将所述高度与预设高度比对的步骤包括:根据所述集水坑的建筑功能确定所述预设高度;将所述高度与所述建筑功能对应的预设高度进...

【专利技术属性】
技术研发人员:马铭杰薛小强刘远霞
申请(专利权)人:深圳市华森建筑工程咨询有限公司
类型:发明
国别省市:

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