发光装置和用于其的含氮化合物制造方法及图纸

本申请提供了发光装置和用于其的含氮化合物。该发光装置包括：第一电极；设置在第一电极上的空穴传输区；设置在空穴传输区上的发射层；设置在发射层上的电子传输区；和设置在电子传输区上的第二电极，其中空穴传输区包括由式1表示的含氮化合物：式1在式1中，变量在本文描述。本文描述。本文描述。

【技术实现步骤摘要】
发光装置和用于其的含氮化合物
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年4月16日提交的韩国专利申请第10
‑
2021
‑
0049647号的优先权和权益，其为了所有目的通过引用由此并入，如同在本文中充分地陈述。


[0003]本专利技术的实施方式大体上涉及显示装置，并且更具体地，涉及发光装置和用于发光装置的含氮化合物。

技术介绍

[0004]最近，发光显示器作为图像显示器的使用正在积极开发。发光显示器不同于液晶显示器，并且是所谓的自发光显示器，其中从第一电极和第二电极注入的空穴和电子在发射层中复合，使得发射层中的发光材料发射光以实现显示。
[0005]需要将发光装置用于显示器，减小发光装置的驱动电压，以及增加发光装置的发光效率和寿命。因此，还需要能够稳定实现这些特性的用于有机电致发光装置的材料。
[0006]该
技术介绍
章节中公开的上述信息仅用于对本专利技术构思的背景的理解，因此，其可含有不构成现有技术的信息。

技术实现思路

[0007]根据本专利技术的原理和阐释性实现方式而构造的发光装置包括用于该发光装置的新型含氮化合物，更具体地，当根据本专利技术的原理和实施方式制备的含氮化合物包括在发光装置的空穴传输区中时，发光装置具有高效率和/或其他有利的特性。
[0008]本专利技术构思的另外特征将在以下的描述中陈述，并且部分地将从描述中显而易见，或可通过本专利技术构思的实践而了解到。
[0009]根据本专利技术的一个方面，发光装置包括：第一电极；设置在第一电极上的空穴传输区；设置在空穴传输区上的发射层；设置在发射层上的电子传输区；和设置在电子传输区上的第二电极，其中空穴传输区包括由式1表示的含氮化合物：
[0010]式1
[0011][0012]在式1中，变量在本文描述。
[0013]空穴传输区可包括设置在第一电极上的空穴注入层；和设置在空穴注入层上的空
穴传输层，并且由式1表示的含氮化合物可包括在空穴注入层和空穴传输层中的至少一个中。
[0014]发光装置可进一步包括设置在空穴传输层上的电子阻挡层。
[0015]如本文描述的，式1可由式2表示。
[0016]如本文描述的，式1可由式3表示。
[0017]如本文描述的，式2可由式4表示。
[0018]如本文描述的，式2可由式5表示。
[0019]如本文描述的，式2可由式6表示。
[0020]如本文描述的，式2可由式7
‑
1至式7
‑
3中的任一个表示。
[0021]变量R
a
和R
b
可各自彼此独立地为氢原子、取代的或未取代的氧基、取代的或未取代的甲硅烷基、取代的或未取代的硫基、取代的或未取代的1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的2至20个碳原子的烯基、取代的或未取代的2至20个碳原子的炔基、取代的或未取代的6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的2至30个成环碳原子的杂芳基，条件是R
a
和R
b
可不同时为氢原子。
[0022]如本文描述的，由式1表示的含氮化合物可为化合物组1中的至少一种化合物。
[0023]如本文描述的，由式1表示的含氮化合物可为化合物组2中的至少一种化合物。
[0024]如本文描述的，由式1表示的含氮化合物可为化合物组3中的至少一种化合物。
[0025]根据本专利技术的另一方面，含氮化合物由式1表示：
[0026]式1
[0027][0028]在式1中，变量在本文描述。
[0029]如本文描述的，式1可由式2表示。
[0030]如本文描述的，式2可由式4至式6中的任一个表示。
[0031]如本文描述的，式2可由式7
‑
1至式7
‑
3中的任一个表示。
[0032]如本文描述的，由式1表示的含氮化合物可为化合物组1中的至少一种化合物。
[0033]如本文描述的，由式1表示的含氮化合物可为化合物组2中的至少一种化合物。
[0034]如本文描述的，由式1表示的含氮化合物可为化合物组3中的至少一种化合物。
[0035]应理解，前述的一般性描述和下述的详细描述都是阐释性的和解释性的，并且旨在提供如所要求保护的本专利技术的进一步解释。
附图说明
[0036]包括所附附图以提供对本专利技术的进一步理解，并且所附附图并入本说明书中并构
成本说明书的一部分，所附附图阐释了本专利技术的阐释性实施方式，并且与描述一起用于解释本专利技术构思。
[0037]图1为根据本专利技术的原理构造的显示设备的实施方式的平面图。
[0038]图2为沿着图1的线I
‑
I'截取的横截面图。
[0039]图3为根据本专利技术的原理构造的发光装置的实施方式的示意性横截面图。
[0040]图4为根据本专利技术的原理构造的发光装置的另一个实施方式的示意性横截面图。
[0041]图5为根据本专利技术的原理构造的发光装置的再一个实施方式的示意性横截面图。
[0042]图6为根据本专利技术的原理构造的发光装置的又一个实施方式的示意性横截面图。
[0043]图7为包括根据本专利技术的原理构造的发光装置的显示设备的另一个实施方式的横截面图。
[0044]图8为包括根据本专利技术的原理构造的发光装置的显示设备的再一个实施方式的横截面图。
具体实施方式
[0045]在下述描述中，为了解释的目的，陈述了许多特定细节，以便提供对本专利技术的各种实施方式或实现方式的透彻理解。如本文使用的“实施方式”和“实现方式”是采用本文公开的一个或多个专利技术构思的装置或方法的非限制性实例的可互换的词语。然而，显而易见的是，各种实施方式可以在没有这些特定细节的情况下或者具有一个或多个等效布置的情况下实践。在其他情况下，熟知的结构和装置以框图形式示出，以便避免不必要地混淆各种实施方式。此外，各种实施方式可以是不同的，但不必是排他的。例如，在不背离本专利技术构思的情况下，实施方式的特定形状、配置和特性可以在另一个实施方式中使用或实现。
[0046]除非另外指出，否则所阐释的实施方式应被理解为提供了本专利技术构思可在实践中实现的一些方式的不同细节的阐释性特征。因此，除非另外指出，否则在不背离本专利技术构思的情况下，各种实施方式的特征、组件、模块、层、膜、面板、板、区和/或方面等(下文单独或共同称为“元件”)可以以其他方式组合、分开、互换、和/或重排。
[0047]在所附附图中提供交叉影线和/或阴影的使用通常是为了阐明相邻元件之间的边界。这样，除非指出，否则交叉影线或阴影的存在或不存在都不传达或指示对具体材料、材料性质、尺寸、比例、所阐释元件之间的共性和/或元件的任何其他特性、属性、性质等的任何偏好或要求。此外，在所附附图中，为了清楚起见和/或描述性目的，元件的尺寸和相对尺本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种由式1表示的含氮化合物：式1在式1中，X为O、S或NR5，R1至R5各自彼此独立地为取代的或未取代的氧基、取代的或未取代的甲硅烷基、取代的或未取代的硫基、取代的或未取代的1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的2至20个碳原子的烯基、取代的或未取代的2至20个碳原子的炔基、取代的或未取代的6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的2至30个成环碳原子的杂芳基，R3可选地与相邻基团结合以形成环，a为选自1至4的整数，b和c各自彼此独立地为选自0至4的整数，d为选自0至3的整数，并且氢可选地被氘替换。2.如权利要求1所述的含氮化合物，其中所述式1由式2表示：式2在式2中，a
′
和b
′
各自彼此独立地为选自0至3的整数，R
a
和R
b
各自彼此独立地为氢原子、取代的或未取代的氧基、取代的或未取代的甲硅烷基、取代的或未取代的硫基、取代的或未取代的1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的2至20个碳原子的烯基、取代的或未取代的2至20个碳原子的炔基、取代的或未取代的6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的2至30个成环碳原子的杂芳基，并且X、R1至R4、c和d彼此独立地具有与权利要求1中的所述式1中定义的相同含义，
式7
‑
2式7
‑
3在式7
‑
1至式7
‑
3中，X、R1至R4、R
a
、R
b
、c、d、a
′
和b
′
彼此独立地具有与权利要求2中的所述式2中定义的相同含义。5.如权利要求1所述的含氮化合物，...

【专利技术属性】
技术研发人员：今泉拓，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：