杂环烷烃衍生物、有机光电器件和显示或照明装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了杂环烷烃衍生物、有机光电器件和显示或照明装置，属于有机光电材料技术领域。该衍生物具有如所示的结构，Z1‑

【技术实现步骤摘要】
或S，n选自2、3、4、5、6、7；
[0008]X选自单键、O、S、
‑
CR8R9‑
、
‑
SiR
10
R
11
‑
、
‑
SeR
12
R
13
‑
、
‑
NR
14
‑
；
[0009]R1‑
R
14
相同或不相同，独立选自氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的C1‑
C
60
烷基、取代或未取代的C1‑
C
60
杂烷基、取代或未取代的C3‑
C
60
环烷基、取代或未取代的C3‑
C
60
杂环烷基、取代或未取代的C6‑
C
60
芳基、取代或未取代的C5‑
C
60
杂芳基；
[0010]L1和L2相同或不相同，独立选自单键、取代或未取代的C6‑
C
60
芳基、取代或未取代的 C5‑
C
60
杂芳基；
[0011]Ar1和Ar2相同或不相同，独立选自取代或未取代的C6‑
C
60
芳基、取代或未取代的C5‑
C
60
杂芳基。
[0012]本专利技术还提供一种有机光电器件，包括阴极层、阳极层和有机层，其中所述有机层为空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子注入层或电子传输层中至少一层，包含所述杂环烷烃衍生物，所述有机光电器件包括有机光伏器件、有机发光器件、有机太阳电池、电子纸、有机感光体和有机薄膜晶体管。
[0013]本专利技术还提供一种显示或照明装置，其包括所述有机光电器件。
[0014]与现有技术相比，本专利技术提供一种杂环烷烃衍生物可以作为电子传输材料、空穴传输材料和主体材料等应用于OLED发光器件或各种显示或照明装置，色纯度、亮度和发光效率等光电性能优异。
具体实施方式
[0015]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例，对本专利技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本专利技术的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0016]以下实施例中采用的杂环烷烃衍生物，其具有[式1]所示的结构：
[0017][0018]在式1中，Z1‑
Z
n
独立选自O、S、
‑
CR1R2‑
、
‑
NR3‑
、
‑
SiR4R5‑
、
‑
SeR6R7‑
，且至少一个为O 或S，n选自2、3、4、5、6、7；
[0019]X选自单键、O、S、
‑
CR8R9‑
、
‑
SiR
10
R
11
‑
、
‑
SeR
12
R
13
‑
、
‑
NR
14
‑
；
[0020]R1‑
R
14
相同或不相同，独立选自氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的C1‑
C
60
烷基、取代或未取代的C1‑
C
60
杂烷基、取代或未取代的C3‑
C
60
环烷基、取代或未取代的C3‑
C
60
杂环烷基、取代或未取代的C6‑
C
60
芳基、取代或未取代的C5‑
C
60
杂芳基；
[0021]L1和L2相同或不相同，独立选自单键、取代或未取代的C6‑
C
60
芳基、取代或未取代的 C5‑
C
60
杂芳基；
[0022]Ar1和Ar2相同或不相同，独立选自取代或未取代的C6‑
C
60
芳基、取代或未取代的C5‑
C
60
杂芳基。
[0023]作为优选方案，在式1中，L1、L2与Ar1、Ar2的不同之处在于L1、L2为亚取代基团。
[0024]上述式1所示的杂环烷烃衍生物中取代基的描述如下，当不限于此。
[0025]“取代或未取代的”指选自以下一个或多个取代基取代：氢、氘、卤素、腈基、硝基、羟基、羰基、酯基、酰亚胺基、氨基、氧化膦基、烷氧基、芳氧基、烷基硫基、芳基硫基、烷基磺酰基、芳基磺酰基、甲硅烷基、硼基、烷基、环烷基、烯基、芳基、芳烷基、芳烯基、烷基芳基、烷基胺基、芳烷基胺基、杂芳基胺基、芳基胺基和杂环基，或未取代；或者连接以上取代基中的两个或多个取代基的取代基取代，或未取代，如“连接两个或多个取代基的取代基”包括联苯基，即联苯基可为芳基或者为连接两个苯基的取代基。
[0026]“芳基”可为单环芳基或多环芳基，单环芳基包括苯基、联苯基、三联苯基、四联苯基、五联苯基，多环芳基包括萘基、蒽基、菲基、芘基、苝基、芴基，以上对芳基的描述可用于亚芳基，不同之处在于亚芳基为二价。
[0027]“杂芳基”包含N、O、P、S、Si、Se或B中的一个或多个作为杂原子，碳原子数为5至 60，选自吡啶基、吡咯基、嘧啶基、哒嗪基、呋喃基、噻吩基、硒吩基、咪唑基、吡唑基、噁唑基、异唑基、噻唑基、异噻唑基、三唑基、二唑基、噻二唑基、二噻唑基、四唑基、吡喃基、噻喃基、吡嗪基、嗪基、噻嗪基、二氧杂环己烯基、三嗪基、四嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、萘啶基、吖啶基、呫吨基、菲啶基、二氮杂萘基、三氮杂茚基、吲哚基、二氢吲哚基、中氮茚基、酞嗪基、吡啶并嘧啶基、吡啶并吡嗪基、吡嗪并吡嗪基、苯并噻唑基、苯并唑基、苯并咪唑基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、咔唑基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、吲哚并咔唑基、茚并咔唑基、吩嗪基、咪唑并吡啶基、吩嗪基、菲啶基、菲咯啉基、吩噻嗪基、咪唑并吡啶基、咪唑并菲啶基、苯并咪唑并喹唑啉基、或苯并咪唑并菲啶基，以上对杂芳基的描述可用于亚杂芳基，不同之处在于亚杂芳基为二价。
[0028]作为优选方案，在式1中，L1、L2、Ar1和Ar2独立选自
‑
CN、
‑
F、
‑
CF3、
‑
NO2、
‑
COOR 或者以下任一个基团：
[0029][0030]其中，R
15
选自氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的C1‑
C
60
烷基、取代或未取代的C1‑
C
60
杂烷基、取代或未取代的C3‑
C
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.杂环烷烃衍生物，其具有式(1)所示的结构：在式1中，Z1‑
Z
n
独立选自O、S、
‑
CR1R2‑
、
‑
NR3‑
、
‑
SiR4R5‑
、
‑
SeR6R7‑
，且至少一个为O或S，n选自2、3、4、5、6、7；X选自单键、O、S、
‑
CR8R9‑
、
‑
SiR
10
R
11
‑
、
‑
SeR
12
R
13
‑
、
‑
NR
14
‑
；R1‑
R
14
相同或不相同，独立选自氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的C1‑
C
60
烷基、取代或未取代的C1‑
C
60
杂烷基、取代或未取代的C3‑
C
60
环烷基、取代或未取代的C3‑
C
60
杂环烷基、取代或未取代的C6‑
C
60
芳基、取代或未取代的C5‑
C
60
杂芳基；L1和L2相同或不相同，独立选自单键、取代或未取代的C6‑
C
60
芳基、取代或未取代的C5‑
C
60
杂芳基；Ar1和Ar2相同或不相同，独立选自取代或未取代的C6‑
C
60
芳基、取代或未取代的C5‑
C
60
杂芳基。2.根据权利要求1所述的杂环烷烃衍生物，其特征在于，在式1中，L1、L2、Ar1和Ar2独立选自
‑
CN、
‑
F、
‑
CF3、
‑
NO2、
‑
COOR或者以下任一个基团：
其中，R
15
选自氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的C1‑
C
60
烷基、取代或未取代的C1‑
C
60
杂烷基、取代或未取代的C3‑
C
60
环烷基、取代或未取代的C3‑
C
60
杂环烷基、取代或未取代的C6‑
C
60
芳基、取代或未取代的C5‑
C
60
杂芳基；*表示与相邻原子的结合位点。3.根据权利要求1所述的杂环烷烃衍生物，其特征在于，在式1中，L1、L2、Ar1和Ar2独立选自以下任一个基团：其中，Ar3‑
Ar
11
相同或不相同，独立选自取代或未取代的C6‑
C
60

【专利技术属性】
技术研发人员：王鹏，王湘成，何睦，
申请(专利权)人：上海钥熠电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：