存储器阵列中的尖峰电流抑制制造技术

与存储器阵列中的尖峰电流抑制相关的系统、方法及设备。在一个方法中，存储器装置包含具有交叉点存储器架构的存储器阵列。所述存储器阵列具有存取线(例如，字线及/或位线)，所述存取线经配置以存取所述存储器阵列的存储器单元。每个存取线分成左部分及右部分。每个部分电连接到单个通孔，驱动器使用所述单个通孔在所述存取线上产生电压。为了减少与电流尖峰相关联的放电，第一电阻器位于所述左部分与所述通孔之间，并且第二电阻器位于所述右部分与所述通孔之间。所述通孔之间。所述通孔之间。

【技术实现步骤摘要】
存储器阵列中的尖峰电流抑制


[0001]本文所公开的至少一些实施例大体上涉及存储器装置，且更确切地说，涉及但不限于存储器阵列中的尖峰电流抑制。

技术介绍

[0002]存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等的各种电子装置中。通过将存储器装置内的存储器单元编程为各种状态来存储信息。举例来说，二进制存储器单元可被编程为两个支持状态中的一个，经常由逻辑1或逻辑0表示。在一些实例中，单个存储器单元可支持超过两个状态，可存储其中的任一状态。为了存取所存储信息，组件可读取或感测存储器装置中的至少一个所存储状态。为了存储信息，组件可在存储器装置中写入状态或对状态进行编程。
[0003]存在各种类型的存储器装置及存储器单元，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、闪存存储器、相变存储器(PCM)、自选存储器、硫属化物存储器技术及其它。存储器单元可为易失性的或非易失性的。非易失性存储器(例如，FeRAM)即使在不存在外部电源的情况下仍可维持其所存储的逻辑状态很长一段时间。易失性存储器装置(例如，DRAM)在与外部电源断开连接时可能会丢失其所存储状态。

技术实现思路

[0004]描述一种设备。在一些实例中，所述设备可包括：存储器阵列，其包括经配置以存取所述存储器阵列的存储器单元的存取线；至少一个通孔，其在所述中心区域处电连接到所述第一部分及所述第二部分；第一电阻器，其位于所述第一部分与所述通孔之间；第二电阻器，其位于所述第二部分与所述通孔之间；及驱动器，其电连接到所述通孔。所述存取线在所述存取线的中心区域的相对侧上具有第一部分及第二部分，所述第一部分经配置以存取第一存储器单元，并且所述第二部分经配置以存取第二存储器单元。所述第一电阻器经配置以在存取所述第二存储器单元时屏蔽来自所述第一部分的放电。所述第二电阻器经配置以在存取所述第一存储器单元时屏蔽来自所述第二部分的放电。所述驱动器经配置以在所述第一部分上产生电压以存取所述第一存储器单元，并且在所述第二部分上产生电压以存取所述第二存储器单元。
[0005]描述一种设备。在一些实例中，所述设备可包括：存取线，其具有第一部分及第二部分；通孔，其电连接到所述第一部分及所述第二部分；及电阻膜，其具有在所述第一部分与所述通孔之间的第一区段，及在所述第二部分与所述通孔之间的第二区段。所述第一部分经配置以存取存储器阵列的存储器单元，并且间隙物理地分离所述第一部分及所述第二部分。
[0006]描述一种方法。在一些实例中，所述方法可包括：形成通孔；形成上覆于所述通孔的电阻膜；形成上覆于所述电阻膜的存取线；及图案化所述存取线以提供第一及第二部分。
所述图案化将所述第一部分与所述第二部分物理地分离，并且所述第一部分经配置以存取存储器阵列的存储器单元。所述电阻膜的第一区段在所述第一部分与所述通孔之间，并且所述电阻膜的第二区段在所述第二部分与所述通孔之间。
附图说明
[0007]实施例是借助于实例而非限制在附图的图中来说明的，在附图中相似参考编号指示类似元件。
[0008]图1展示根据一些实施例的实施存储器阵列中的尖峰电流抑制的存储器装置。
[0009]图2展示根据一些实施例的用于实施用于存储器阵列的存取线的尖峰电流抑制的电阻器。
[0010]图3展示根据一些实施例的分成用于尖峰电流抑制的左部分及右部分的存取线。
[0011]图4展示根据一些实施例的交叉点架构中的存储器阵列，所述交叉点架构包含提供对布置在多个堆叠层面中的存储器单元的存取的各种字线及位线层。
[0012]图5展示根据一些实施例的存储器阵列中通过通孔电连接的字线。
[0013]图6展示根据一些实施例的配置有驱动器以在存储器阵列的存取线上产生电压的存储器装置。
[0014]图7展示根据一些实施例的存储器单元，所述存储器单元具有位线驱动器以在位线上产生电压，及字线驱动器以在字线上产生电压。
[0015]图8展示根据一些实施例的包含选择装置的存储器单元的实例。
[0016]图9到12展示根据一些实施例的在制造实施尖峰电流抑制的存储器装置时的各种步骤。
[0017]图13展示根据一些实施例的用于制造实施尖峰电流抑制的存储器装置的方法。
具体实施方式
[0018]以下公开内容描述用于存储器阵列中的尖峰电流抑制的各种实施例。本文中的至少一些实施例涉及一种具有使用交叉点架构的存储器阵列的存储器装置。在一个实例中，存储器阵列是电阻式RAM(RRAM)交叉点存储器阵列，或铁电RAM(FeRAM)交叉点存储器阵列。可使用其它存储器类型。
[0019]在一个实例中，存储器装置存储由主机装置(例如，自主车辆的计算装置，人工智能(AI)引擎，或存取存储在存储器装置中的数据的其它计算装置)使用的数据。在一个实例中，存储器装置是安装在电动车辆中的固态驱动器。
[0020]在一些存储器阵列(例如，交叉点存储器阵列)中，通过存储器单元的电流放电可产生电流尖峰(例如，在相对较短时间段中通过存储器单元的相对较高电流放电)，这可导致损坏存储器单元。举例来说，当硫族化物存储器单元打开时发生的电流放电可导致存储器单元的非晶化。此类尖峰可由存储器阵列内的内部放电产生。在一个实例中，这是存储器阵列内的寄生电容的放电。由于内部放电引起的电流尖峰可能尤其成问题。
[0021]在一个实例中，通过在存储器阵列的字线及位线上产生电压来选择存储器单元。当选择存储器单元时，较大电流尖峰可流过所述单元。尖峰由在存储器装置的操作期间累积电荷的寄生电容引起。电荷以可能导致损坏存储器单元的电流尖峰的形式放电。
[0022]在一个实例中，存储器单元是在选定(例如，单元处于设定状态)时打开的基于硫族化物的自选存储器单元。选择尖峰由耦合到用于选择存储器单元的字线及/或位线的寄生电容的放电产生。使用选择装置及存储器存储元件(例如，相变存储器)两者的存储器单元可能会遇到类似问题。
[0023]这种选择尖峰可能是若干可靠性机制的根本原因。对于位于解码器附近的存储器单元尤其如此，其尖峰电流通常更大。举例来说，选择尖峰引起可靠性机制，例如读取干扰及/或耐久性下降。
[0024]在一个实例中，可改变存储器阵列的各种电压以执行存取操作。各种电压改变可导致存储器阵列中的电荷例如积聚在与阵列相关联的寄生电容(例如，存储器阵列的存取线的寄生电容)中。在一些情况下，积聚电荷可通过所选择的存储器单元放电。举例来说，存储器单元可基于被选择(例如，当存取时，例如当跨存储器单元的电压超过存储器单元的阈值电压时)而变成导电，这可允许在与存储器单元耦合的存取线上的积聚电荷以电流尖峰(例如，具有至少100微安，例如200到300微安的峰值量值的电流尖峰)通过单元放电。存储器单元可与存储器单元随着时间推移所经本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种设备，其包括：存储器阵列，其包括经配置以存取所述存储器阵列的存储器单元的存取线，所述存取线在所述存取线的中心区域的相对侧上具有第一部分及第二部分，其中所述第一部分经配置以存取第一存储器单元且所述第二部分经配置以存取第二存储器单元；至少一个通孔，其在所述中心区域处电连接到所述第一部分及所述第二部分；第一电阻器，其位于所述第一部分与所述通孔之间，其中所述第一电阻器经配置以在存取所述第二存储器单元时屏蔽来自所述第一部分的放电；第二电阻器，其位于所述第二部分与所述通孔之间，其中所述第二电阻器经配置以在存取所述第一存储器单元时屏蔽来自所述第二部分的放电；及驱动器，其电连接到所述通孔，其中所述驱动器经配置以在所述第一部分上产生电压以存取所述第一存储器单元，并且在所述第二部分上产生电压以存取所述第二存储器单元。2.根据权利要求1所述的设备，其中：所述至少一个通孔是单个通孔；所述存取线是位线或字线；及所述驱动器是位线驱动器或字线驱动器。3.根据权利要求1所述的设备，其中：所述第一电阻器由上覆于所述通孔的电阻膜的第一区段提供；及所述第二电阻器由上覆于所述通孔的所述电阻膜的第二区段提供；其中所述中心区域包含在上覆于所述通孔的所述存取线中及在所述存取线的所述第一及第二部分之间的裂缝。4.根据权利要求1所述的设备，其中所述电阻膜包括氮化钨硅。5.根据权利要求1所述的设备，其中：通过移除所述存取线的第三部分以将所述第一部分与所述第二部分物理地分离来形成所述裂缝；及在移除所述第三部分之前，所述第三部分位于所述第一部分与所述第二部分之间。6.根据权利要求5所述的设备，其中所述裂缝包含：非导电材料，其经配置以阻止电流放电直接在所述存取线的所述第一及第二部分之间流动；或在所述第一部分与所述第二部分之间的未填充空间。7.根据权利要求1所述的设备，其中：所述存储器阵列是存储器装置的一部分；所述存取线与所述存储器阵列内的物理地址相关联；及由所述存储器装置的控制器用于选择所述第一存储器单元的存取操作对所述存取线的所述第一及第二部分两者进行寻址。8.一种设备，其包括：存取线，其具有第一部分及第二部分，其中所述第一部分经配置以存取存储器阵列的存储器单元，并且间隙物理地分离所述第一部分及所述第二部分；通孔，其电连接到所述第一部分及所述第二部分；及
电阻膜，其具有在所述第一部分与所述通孔之间的第一区段，及在所述第二部分与所述通孔之间的第二区段。9.根据权利要求8所述的设备，其进一步包括电连接到所述通孔的驱动器，其中所述驱动器经...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：