发光装置制造方法及图纸

提供了发光装置以及包括所述发光装置的电子设备。所述发光装置包括第一电极、面对所述第一电极的第二电极以及设置在所述第一电极与所述第二电极之间的中间层。所述第一电极包含钨(W)的氧化物、钼(Mo)的氧化物、铜(Cu)的氧化物、镍(Ni)的氧化物、钒(V)的氧化物或其任意组合。所述中间层包括发射层和包含含有机硒部分的叔胺化合物的层，并且所述中间层不包含p

【技术实现步骤摘要】
发光装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年4月8日向韩国知识产权局提交的第10
‑
2021
‑
0046093号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部内容通过援引并入本文。


[0003]实施方案涉及发光装置以及包括发光装置的电子设备。

技术介绍

[0004]发光装置是自发射装置，与相关领域的装置相比，其具有广视角，高对比度，短响应时间，以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的优异的特性。
[0005]在发光装置中，第一电极位于衬底上，并且空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极依次形成在第一电极上。由第一电极提供的空穴通过空穴传输区朝向发射层移动，并且由第二电极提供的电子通过电子传输区朝向发射层移动。诸如空穴和电子的载流子在发射层中复合以产生光。
[0006]应理解，该
技术介绍
部分旨在部分地为理解该技术提供有用的背景。然而，该
技术介绍
部分也可以包括在本文所公开的主题的相应有效申请日之前不是相关领域的技术人员已知或理解的部分的构思、概念或认知。

技术实现思路

[0007]实施方案提供了在不使用p
‑
掺杂剂的情况下稳定地工作的发光装置。
[0008]其它的方面将在随后的描述中被部分地阐述并且将部分地从描述中显而易见，或者可以通过本公开内容的实施方案的实践而获悉。
[0009]根据实施方案，发光装置可以包括第一电极、面对所述第一电极的第二电极以及设置在所述第一电极与所述第二电极之间的中间层，其中所述第一电极可以包含钨(W)的氧化物、钼(Mo)的氧化物、铜(Cu)的氧化物、镍(Ni)的氧化物、钒(V)的氧化物或其任意组合，所述中间层可以包括发射层和包含含有机硒部分的叔胺化合物的层，并且所述中间层可以不包含p
‑
掺杂剂。
[0010]在实施方案中，所述第一电极可以是阳极，所述第二电极可以是阴极，所述中间层可以进一步包括在所述第一电极与所述发射层之间的空穴传输区，并且所述空穴传输区可以包括空穴传输层、电子阻挡层或其任意组合。
[0011]在实施方案中，所述第一电极可以是阳极，所述第二电极可以是阴极，所述中间层可以进一步包括在所述第二电极与所述发射层之间的电子传输区，并且所述电子传输区可以包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。
[0012]在实施方案中，所述第一电极的功函可以等于或小于约
‑
5.3eV。
[0013]在实施方案中，可以在没有等离子体处理工艺的情况下形成所述第一电极。
[0014]在实施方案中，包含含所述有机硒部分的所述叔胺化合物的所述层可以是空穴传
另一个元件或“联接至”另一个元件时，它可以直接在其它元件上、直接连接至其它元件或直接联接至其它元件，或者一个或多于一个的介于中间的元件可以存在于其间。在类似的含义中，当元件(或区、层、部件等)被描述为“覆盖”另一个元件时，它可以直接覆盖其它元件，或者一个或多于一个的介于中间的元件可以存在于其间。
[0036]在描述中，当元件“直接在”另一个元件“上”、“直接连接至”另一个元件或“直接联接至”另一个元件时，不存在介于中间的元件。例如，“直接在......上”可以意指设置两个层或两个元件，而在其间没有额外的元件，例如粘合元件。
[0037]如本文使用，诸如“一(a)”、“一(an)”和“所述(the)”的用于单数的表述旨在还包括复数形式，除非上下文另外明确指出。
[0038]如本文使用，术语“和/或”包括相关列出项中的一个或多于一个的任意组合和所有组合。例如，“A和/或B”可以理解为意指“A、B、或者A和B”。术语“和”和“或”可以以连接词或反意连接词的意义使用，并且可以理解为等同于“和/或”。
[0039]在说明书和权利要求书中，出于其含义和解释的目的，术语“......中的至少一个(种)”旨在包括“选自......的组中的至少一个(种)”的含义。例如，“A和B中的至少一个(种)”可以理解为意指“A、B、或者A和B”。当在一列要素之前时，术语“......中的至少一个(种)”修饰整列的要素而不修饰该列的单个要素。
[0040]应理解，尽管术语第一、第二等可以在本文用于描述各种元件，但这些元件不应受到这些术语限制。这些术语仅用于区分一个元件与另一个元件。因此，在不背离本公开内容的教导的情况下，第一元件可以被称为第二元件。类似地，在不背离本公开内容的范围的情况下，第二元件可以被称为第一元件。
[0041]为了便于描述，空间相对术语“下方”、“之下”、“下”、“上方”、“上”等可以在本文用于描述如附图中例示的一个元件或组件与另一个元件或组件之间的关系。应理解，空间相对术语旨在涵盖除了附图中描绘的方向之外的装置在使用或操作时的不同方向。例如，在其中附图中例示的装置被翻转的情况下，位于另一个装置“下方”或“之下”的装置可以被放置在另一个装置“上方”。因此，示例性术语“下方”可以包括下部位置和上部位置两者。装置也可以定向在其它方向上，并且因此空间相对术语可以根据方向进行不同地解释。
[0042]如本文使用的术语“约”或“大约”包括规定值并且意指在如由本领域普通技术人员考虑相关测量和与所述量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)所确定的所述值的可接受的偏差范围内。例如，“约”可以意指在一个或多于一个的标准偏差内，或者在规定值的
±
20％、
±
10％或
±
5％内。
[0043]应理解，术语“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“包含(includes)”、“包含(including)”、“具有(have)”、“具有(having)”、“含有(contains)”、“含有(containing)”等旨在指明本公开内容中的规定的特征、整数、步骤、操作、元件、组件或其组合的存在，但不排除一个或多于一个的其它的特征、整数、步骤、操作、元件、组件或其组合的存在或增添。
[0044]除非本文另外定义或暗示，使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开内容所属领域的技术人员通常理解的相同含义。应进一步理解，术语(例如在常用词典中定义的那些术语)应解释为具有与其在相关领域的语境中的含义相符的含义，并且不应以理想化或过于形式的含义进行解释，除非在说明书中明确定义。
[0045]根据实施方案，发光装置可以包括第一电极、面对第一电极的第二电极以及设置在第一电极与第二电极之间的中间层。第一电极可以包含钨(W)的氧化物、钼(Mo)的氧化物、铜(Cu)的氧化物、镍(Ni)的氧化物、钒(V)的氧化物或其任意组合。中间层可以包括发射层和包含含有机硒部分的叔胺化合物的层，并且中间层可以不包含p
‑
掺杂剂。
[0046]相关技术中使用的p
‑
掺杂剂是指可以用于改善传导性的电荷产生材料。p...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.发光装置，包括：第一电极；面对所述第一电极的第二电极；以及设置在所述第一电极与所述第二电极之间的中间层，其中所述第一电极包含钨(W)的氧化物、钼(Mo)的氧化物、铜(Cu)的氧化物、镍(Ni)的氧化物、钒(V)的氧化物或其组合，所述中间层包括发射层和包含含有机硒部分的叔胺化合物的层，以及所述中间层不包含p
‑
掺杂剂。2.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一电极的功函等于或小于
‑
5.3eV。3.如权利要求1所述的发光装置，其中在没有等离子体处理工艺的情况下形成所述第一电极。4.如权利要求1所述的发光装置，其中包含含所述有机硒部分的所述叔胺化合物的所述层是空穴传输层。5.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一电极接触包含含所述有机硒部分的所述叔胺化合物的所述层。6.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一电极包含WO、W2O3、WO2、WO3、W2O5、MoO、Mo2O3、MoO2、MoO3、Mo2O5、CuO、NiO、VO、V2O3、VO2、V2O5或其组合。7.如权利要求1所述的发光装置，其中所述有机硒部分由式1
‑
1表示：[式1
‑
1]其中在式1
‑
1中，R1和R2各自独立地是氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂芳基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C8‑
C
60
单价非芳香族稠合多环基团、或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
单价非芳香族稠合杂多环基团，a1是1至3的整数，a2是1至4的整数，*表示与相邻原子的结合位点，以及R
10a
是：
‑
D、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团或硝基基团；各自未取代的或者被氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C3‑
C
60
碳环基
团、C1‑
C
60
杂环基团、C6‑
C
60
芳氧基基团、C6‑
C
60
芳硫基基团、C7‑
C
60
芳基烷基基团、C2‑
C
60
杂芳基烷基基团、
‑
Si(Q
11
)(Q
12
)(Q
13
)、
‑
N(Q
11
)(Q
12
)、
‑
B(Q
11
)(Q
12
)、
‑
C(＝O)(Q
11
)、
‑
S(＝O)2(Q
11
)、
‑
P(＝O)(Q
11
)(Q
12
)或其组合取代的C1‑
C
60
烷基基团、C2‑
C
60
烯基基团、C2‑
C
60
炔基基团或C1‑
C
60
烷氧基基团；各自未取代的或者被氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C1‑
C
60
烷基基团、C2‑
C
60
烯基基团、C2‑
C
60
炔基基团、C1‑
C
60
烷氧基基团、C3‑
C
60
碳环基团、C1‑
C
60
杂环基团、C6‑
C
60
芳氧基基团、C6‑
C
60
芳硫基基团、C7‑
C
60
芳基烷基基团、C2‑
C
60
杂芳基烷基基团、
‑
Si(Q
21
)(Q
22
)(Q
23
)、
‑
N(Q
21
)(Q
22
)、
‑
B(Q
21
)(Q
22
)、
‑
C(＝O)(Q
21
)、
‑
S(＝O)2(Q
21
)、
‑
P(＝O)(Q
21
)(Q
22
)或其组合取代的C3‑
C
60
碳环基团、C1‑
C
60
杂环基团、C6‑
C
60
芳氧基基团、C6‑
C
60
芳硫基基团、C7‑
C
60
芳基烷基基团或C2‑
C
60
杂芳基烷基基团；或者
‑
Si(Q
31
)(Q
32
)(Q
33
)、
‑
N(Q
31
)(Q
32
)、
‑
B(Q
31
)(Q
32
)、
‑
C(＝O)(Q
31
)、
‑
S(＝O)2(Q
31
)或
‑
P(＝O)(Q
31
)(Q
32
)，其中Q
11
至Q
13
、Q
21
至Q
23
和Q
31
至Q
33
各自独立地是：氢；氘；
‑
F；
‑
Cl；
‑
Br；
‑
I；羟基基团；氰基基团；硝基基团；C1‑
C
60
烷基基团；C2‑
C
60
烯基基团；C2‑
C
60
炔基基团；C1‑
C
60
烷氧基基团；或者各自未取代的或者被氘、
‑
F、氰基基团、C1‑
C
60
烷基基团、C1‑
C
60
烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其组合取代的C3‑
C
60
碳环基团或C1‑
C
60
杂环基团；C7‑
C
60
芳基烷基基团；或者C2‑
C
60
杂芳基烷基基团。8.如权利要求1所述的发光装置，其中含所述有机硒部分的所述叔胺化合物由式1表示：[式1]其中在式1中，R1至R4、Ar1和Ar2各自独立地是氢、氘、
‑
F、
...

【专利技术属性】
技术研发人员：李在庸，姜晶玟，金敬植，朴元荣，尹锡奎，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：