发光装置以及测量装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供发光装置以及测量装置。发光装置具备：发光部，其包含具有晶闸管的功能的发光元件；发光用电极，其为了发光而对所述发光部施加第1电压；以及发光许可晶闸管，其利用比所述第1电压低、且与该第1电压无关地设定的第2电压，许可所述发光元件发光。许可所述发光元件发光。许可所述发光元件发光。

【技术实现步骤摘要】
发光装置以及测量装置


[0001]本公开涉及一种发光装置以及测量装置。

技术介绍

[0002]在日本特开平01
‑
238962号公报中记载了一种发光元件阵列，其构成为将阈值电压或阈值电流能够由光从外部控制的多个发光元件呈一维、二维或三维地排列，从各发光元件产生的光的至少一部分入射到各发光元件附近的其他发光元件，在各发光元件连接有供从外部施加电压或电流的时钟线。
[0003]在日本特开2001
‑
308385号公报中记载了一种自扫描型发光装置，其构成pnpnpn六层半导体结构的发光元件，在两端的p型第1层和n型第6层、以及中央的p型第3层和n型第4层设置电极，使pn层承担发光二极管功能，并使pnpn四层承担晶闸管功能。
[0004]在日本特开2009
‑
286048号公开了一种自扫描型光源头，其具备：基板；面发光型半导体激光器，其呈阵列状配置在基板上；以及晶闸管，其配置在基板上，并作为使所述面发光型半导体激光器的发光选择性地开启和关闭的开关元件。

技术实现思路

[0005]在通过从发光装置向被测量物照射光并接收来自被测量物的反射光来测量被测量物的三维形状的方法中，为了增大来自发光装置中的发光部的光强度，存在要求将使得发光的电压设定得较高的情况。另一方面，要求许可发光部发光的信号与使发光部发光的电压无关，而是由比使发光部发光的电压低的GPIO(Global Parallel I/O)等供给的电压。
[0006]本专利技术的目的在于提供一种发光装置等，其与不具备发光许可晶闸管的情况相比，能够降低许可发光元件发光的信号的电压。
[0007]根据本公开的第1方案，提供一种发光装置，其具备：发光部，其包含具有晶闸管的功能的发光元件；发光用电极，其为了发光而对所述发光部施加第1电压；以及发光许可晶闸管，其利用比所述第1电压低、且与该第1电压无关地设定的第2电压，许可所述发光元件发光。
[0008]根据本公开的第2方案，所述发光部由一个或多个所述发光元件构成，在多个所述发光部中的每一个所述发光部设置有所述发光许可晶闸管。
[0009]根据本公开的第3方案，所述发光装置具备基板，所述发光部和所述发光许可晶闸管共用地设置于该基板，在所述基板中，所述发光许可晶闸管设置于在该基板的外部设置的供给所述第2电压的部件与所述发光部之间。
[0010]根据本公开的第4方案，所述发光装置具备端子部，该端子部向在多个所述发光部中的每一个发光部设置的多个所述发光许可晶闸管中的每一个发光许可晶闸管供给所述第2电压，所述基板具有：第1侧面和第2侧面，它们彼此对置；以及第3侧面和第4侧面，它们将该第1侧面和该第2侧面连接，并彼此对置，供给所述第2电压的部件设置于所述第1侧面侧，所述端子部设置于所述基板中的所述第1侧面侧、以及所述第3侧面侧和所述第4侧面侧
的设置有所述发光许可晶闸管的部分中的任意一方或双方。
[0011]根据本公开的第5方案，所述发光装置具备供给基准电压的其他端子部，所述其他端子部设置在所述基板上。
[0012]根据本公开的第6方案，所述发光元件具备：面发光二极管；以及驱动晶闸管，其层叠于该面发光二极管，通过成为导通状态而使该面发光二极管发光。
[0013]根据本公开的第7方案，所述发光装置具备双极晶体管，该双极晶体管与所述发光许可晶闸管连接，所述双极晶体管构成为与所述驱动晶闸管连接，当所述发光许可晶闸管成为导通状态时，该双极晶体管成为导通状态，从而该驱动晶闸管能够转移到导通状态。
[0014]根据本公开的第8方案，所述面发光二极管是垂直共振器面发光激光器。
[0015]根据本公开的第9方案，所述发光装置具备供给电极，该供给电极与所述发光用电极电连接，并向所述发光许可晶闸管供给电源电压。
[0016]根据本公开的第10方案，提供一种测量装置，其具备：所述发光装置；以及三维传感器，其接受来自被照射了从所述发光装置射出的光的被测量物的反射光。
[0017](效果)
[0018]根据所述第1方案，与不具备发光许可晶闸管的情况相比，能够降低许可发光元件发光的信号的电压。
[0019]根据所述第2方案，与不按每个发光部具备发光许可晶闸管的情况相比，能够容易控制每个发光部的发光。
[0020]根据所述第3方案，与发光许可晶闸管未设置在供给第2电压的部件与发光部之间的情况相比，发光许可晶闸管与供给第2电压的部件之间的连接变得容易。
[0021]根据所述第4方案，与端子部设置于第4侧面侧的情况相比，发光许可晶闸管与供给第2电压的部件之间的连接变得容易。
[0022]根据所述第5方案，与供给基准电压的其他端子部未设置在基板上的情况相比，基准电压的供给变得容易。
[0023]根据所述第6方案，与不层叠面发光二极管和驱动晶闸管的情况相比，能够容易控制面发光二极管的发光。
[0024]根据所述第7方案，与不具备双极晶体管的情况相比，能够以简单的结构来控制发光元件。
[0025]根据所述第8方案，与不是垂直共振器面发光激光器的情况相比，能够增大光强度。
[0026]根据所述第9方案，与另外设置向发光许可晶闸管供给电源电压的电极的情况相比，能够减少电极的数量。
[0027]根据所述第10方案，能够测量三维形状。
附图说明
[0028]图1是表示信息处理装置的一例的图。
[0029]图2是说明信息处理装置的结构的框图。
[0030]图3是说明发光装置对照射区域进行划分照射的状态的立体图。
[0031]图4是说明应用本实施方式的发光装置的布局图。
[0032]图5是应用本实施方式的发光装置的俯视图的一例。
[0033]图6是说明布线基板上的发光装置、驱动部以及许可信号产生部的配置的图。
[0034]图7是应用了本实施方式的发光装置的等效电路。
[0035]图8是未应用本实施方式的发光装置的等效电路。
[0036]图9是说明发光装置的动作的时序图。
[0037]图10是发光部的放大俯视图。
[0038]图11是发光部的剖视图。图11的(a)是图10中的XIA
‑
XIA
′
线上的剖视图，图11的(b)是图10中的XIB
‑
XIB
′
线上的剖视图。
[0039]图12是许可电路的俯视图。
[0040]图13是许可电路的剖视图。图13的(a)是图12的XIIIA
‑
XIIIA
′
线上的剖视图，图13的(b)是图12的XIIIB
‑
XIIIB
′
线上的剖视图。
[0041]图14是许可电路的另一截面图。图14的(a)是图12的XIVA
‑
XIVA
′
线上的剖视图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光装置，其具备：发光部，其包含具有晶闸管的功能的发光元件；发光用电极，其为了发光而对所述发光部施加第1电压；以及发光许可晶闸管，其利用比所述第1电压低、且与该第1电压无关地设定的第2电压，许可所述发光元件发光。2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述发光部由一个或多个所述发光元件构成，在多个所述发光部中的每一个发光部设置有所述发光许可晶闸管。3.根据权利要求2所述的发光装置，其中，所述发光装置具备基板，所述发光部和所述发光许可晶闸管共用地设置于该基板，在所述基板中，所述发光许可晶闸管设置于在该基板的外部设置的供给所述第2电压的部件与所述发光部之间。4.根据权利要求3所述的发光装置，其中，所述发光装置具备端子部，该端子部向在多个所述发光部中的每一个发光部中设置的多个所述发光许可晶闸管中的每一个发光许可晶闸管供给所述第2电压，所述基板具有：第1侧面和第2侧面，它们彼此对置；以及第3侧面和第4侧面，它们将该第1侧面和该第2侧面连接，并彼此对置，供给所述第2电压的部件设置于所述第1侧面侧，所述端子部设置于所述基板中的所述第1侧面侧、以及所述第3侧面侧和所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：近藤崇，大野诚治，井口大介，崎田智明，
申请(专利权)人：富士胶片商业创新有限公司，
类型：发明
国别省市：