覆铜箔层压板用低介电复合膜及包括其的覆铜箔层压板制造技术

技术编号:35244654 阅读:14 留言:0更新日期:2022-10-19 09:51
本发明专利技术涉及用于覆铜箔层压板(CCL)的低介电复合膜,更具体地,涉及具有显着低的介电常数和介电损耗和优异的机械性能、还呈现显着低热膨胀系数效果的用于覆铜箔层压板的低介电复合膜及包括其的低介电覆铜箔层压板。复合膜及包括其的低介电覆铜箔层压板。复合膜及包括其的低介电覆铜箔层压板。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】覆铜箔层压板用低介电复合膜及包括其的覆铜箔层压板


[0001]本专利技术涉及用于覆铜箔层压板(CCL)的低介电复合膜,更具体地,涉及具有显着低的介电常数和介电损耗和优异的机械性能、还呈现显着低热膨胀系数效果的用于覆铜箔层压板的低介电复合膜及包括其的低介电覆铜箔层压板。

技术介绍

[0002]10秒下载1GB的时代,也就是说5G网络(5G Networks)时代正在开启。在国际消费者家用电器博览会2017(CES 2017),英特尔宣布全球首款5G调制解调器,并预测基于千兆级速度,自动驾驶汽车、物联网、无线宽带等各个领域都会出现创新,如此,移动电信公司已经在转向第五代移动通信。国际电信联盟(ITU)于2015年10月召开无线电通信大会,将5G的正式技术名称定为“国际移动通信(International Mobile Telecommunication,IMT)

2020”。5G为“第五代移动通信(5th generation mobile communications)”的缩写。
[0003]根据国际电信联盟给出的定义,5G是最高下载速度为20Gbps,最低下载速度为100Mbps的移动通信技术。此外,能够为1km2半径内的100万台设备提供物联网(IoT)服务,即使在时速为500km的高速列车上也应该可以实现自由通信。5G下载速度比作为目前移动通信速度的300Mbps快70倍以上,比一般LTE快280倍。这是可以在10秒内下载1GB电影的速度。5G不仅仅关心传输速度。不仅传输速度,响应速度也显着提高。如果数据传输速度是一次可以通过多少数据的指标,响应速度就衡量小数据通过所需的时间。在4G,响应速度提高到10ms至50ms(毫秒,千分之一秒)。在5G,上述响应速度会更快10倍左右。得益于此,5G将被积极导入到必须与中央服务器之间不断收发大量数据的自动驾驶汽车和物联网领域中。
[0004]另一方面,与使用2GHz以下频率的4G不同,5G使用28GHz的超高频带频率。移动通信系统中发射和接收的信号是无线电波,目前正在建设中的5G使用3.5GHz和28GHz的高频段,与4G相比使用明显更高的高频段,因此,衍射特性比4G更低(直线度强),电波到达距离短,由于这些通信特性,需要设置比4G更多的基站或中继器。
[0005]电信号具有随着频率增加,传输损耗增加的特性。在以往的低介电薄膜和覆铜箔层压板的情况下,无法达到所需水平的低介电常数和介电损耗,因此不能最小化或防止高频段的信号干扰,即使表现预定的低介电常数,也存在机械性能降低或热膨胀系数高的问题。
[0006]因此,迫切需要开发一种具有显着低的介电常数和介电损耗、优异的机械性能及显着低的热膨胀系数的材料。

技术实现思路

[0007]技术问题
[0008]本专利技术是鉴于上述问题而研制的,其目的在于提供具有显着低的介电常数和介电损耗和优异的机械性能、还呈现显着低热膨胀系数效果的用于覆铜箔层压板的低介电复合膜及包括其的低介电覆铜箔层压板。
[0009]解决问题的方案
[0010]为了解决上述问题,本专利技术提供一种用于覆铜箔层压板的低介电复合膜,该低介电复合膜包括芯层,上述芯层通过包括包含膨胀聚四氟乙烯(ePTFE)并具有多个气孔的多孔基材以及聚酰亚胺类化合物而形成,上述芯层包括填充在上述多孔基材的气孔中的聚酰亚胺类基体。
[0011]根据本专利技术的一实施例,相对于上述芯层的总重量,上述多孔基材的含量可以为20重量%至85重量%。
[0012]此外,相对于上述芯层的总体积,上述多孔基材的含量可以为15体积%至80体积%。
[0013]此外,上述芯层还可包括聚酰亚胺类层,上述聚酰亚胺类层设置在上述多孔基材的上表面和下表面中的至少一个表面上且来源于上述聚酰亚胺类基体。
[0014]并且,相对于上述芯层的总体积,上述聚酰亚胺类层的含量可以为8体积%至80体积%。
[0015]另外,上述多孔基材的MD方向的抗拉强度与TD方向的抗拉强度之比可以为1:0.4至1:2.5。
[0016]并且,上述聚酰亚胺类层的总厚度与上述多孔基材的厚度之比可以为1:0.2至1:12。
[0017]此外,上述芯层可以在上述多孔基材的上表面和下表面上分别包括第一聚酰亚胺类层和第二聚酰亚胺类层,上述第一聚酰亚胺类层和第二聚酰亚胺类层的厚度比可以为1:0.5至1:1.5。
[0018]此外,上述聚酰亚胺类基体的根据下述测量方法1测量的酰亚胺化率可以为90%以上。
[0019][测量方法1][0020]将在380℃下酰亚胺化60分钟的基准样品的酰亚胺化率假定为100%,通过红外光谱仪对聚酰亚胺类基体的1,700

‑1波长和1,615

‑1波长处的峰大小进行测量后,根据下述数学式1计算PI指数,然后根据下述数学式2计算酰亚胺化率。
[0021][数学式1][0022]PI指数=1,700

‑1波长处的峰面积(PI峰)/1,615

‑1波长处的峰面积(PAA峰)
[0023][数学式2][0024]酰亚胺化率(%)=(聚酰亚胺类基体的PI指数/基准样品的PI指数)
×
100(%)
[0025]此外,可以在上述芯层的一面或两面上进一步包括粘合层。
[0026]此外,上述聚酰亚胺类基体可以通过对将二酐和二胺聚合形成的聚酰胺酸进行酰亚胺化而形成,上述二酐包括选自由BPDA(3,3

,4,4
’‑
联苯四甲酸二酐(3,3

,4,4
’‑
Biphenyltetracarboxylic dianhydride))、PMDA(均苯四酸二酐(Pyromellitic dianhydride))、ODPA(4,4
’‑
氧双邻苯二甲酸酐(4,4
’‑
oxydiphthalic anhydride))、BTDA(二苯甲酮

3,3

,4,4
’‑
四羧酸二酐(3,3

,4,4
’‑
benzophenone tetracarboxylic dianhydride))、BPADA(2,2

双[4

(3,4

二羧基苯氧基)苯基]丙烷二酐(2,2

Bis[4

(3,4

Dicarboxyphenoxy)Phenyl]Propane Dianhydride))、TAHQ(对

亚苯基

双苯偏三酸酯二酐(Ditricarboxylic anhydride hydroquinone ester))、6FDA(2,2



(3,本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于覆铜箔层压板的低介电复合膜,其特征在于,包括芯层,上述芯层通过包括包含膨胀聚四氟乙烯并具有多个气孔的多孔基材以及聚酰亚胺类化合物而形成,上述芯层包括填充在上述多孔基材的气孔中的聚酰亚胺类基体。2.根据权利要求1所述的用于覆铜箔层压板的低介电复合膜,其特征在于,相对于上述芯层的总重量,上述多孔基材的含量为20重量%至85重量%。3.根据权利要求1所述的用于覆铜箔层压板的低介电复合膜,其特征在于,相对于上述芯层的总体积,上述多孔基材的含量为15体积%至80体积%。4.根据权利要求1所述的用于覆铜箔层压板的低介电复合膜,其特征在于,上述芯层还包括聚酰亚胺类层,上述聚酰亚胺类层设置在上述多孔基材的上表面和下表面中的至少一个表面上且来源于上述聚酰亚胺类基体。5.根据权利要求4所述的用于覆铜箔层压板的低介电复合膜,其特征在于,相对于上述芯层的总体积,上述聚酰亚胺类层的含量为8体积%至80体积%。6.根据权利要求1所述的用于覆铜箔层压板的低介电复合膜,其特征在于,上述多孔基材的MD方向的抗拉强度与TD方向的抗拉强度之比为1:0.4至1:2.5。7.根据权利要求4所述的用于覆铜箔层压板的低介电复合膜,其特征在于,上述聚酰亚胺类层的总厚度与上述多孔基材的厚度之比为1:0.2至1:12。8.根据权利要求4所述的用于覆铜箔层压板的低介电复合膜,其特征在于,上述芯层在上述多孔基材的上表面和下表面上分别包括第一聚酰亚胺类层和第二聚酰亚胺类层,上述第一聚酰亚胺类层和第二聚酰亚胺类层的厚度比为1:0.5至1:1.5。9.根据权利要求1所述的用于覆铜箔层压板的低介电复合膜,其特征在于,上述聚酰亚胺类基体的根据下述测量方法1测量的酰亚胺化率为90%以上:[测量方法1]将在380℃下酰亚胺化60分钟的基准样品的酰亚胺化率假定为100%,通过红外光谱仪对聚酰亚胺类基体的1,700cm
‑1波长和1,615cm
‑1波长处的峰大小进行测量后,根据下述数学式1计算PI指数,然后根据下述数学式2计算酰亚胺化率:[数学式1]PI指数=1,700cm
‑1波长处的峰面积(PI峰)/1,615cm
‑1波长处的峰面积(PAA峰)[数学式2]酰亚胺化率(%)=(聚酰亚胺类基体的PI指数/基准样品的PI指数)
×
100(%)。10.根据权利要求1所述的用于覆铜箔层压板的低介电复合膜,其特征在于,在上述芯层的一面或两面上进一步包括粘合层。11.根据权利要求1所述的用于覆铜箔层压板的低介电复合膜,其特征在于,上述聚酰亚胺类基体通过对将二酐和二胺聚合形成的聚酰胺酸进行酰亚胺化而形成,上述二酐包括选自由3,3

,4,4
’‑
联苯四甲酸二酐、均苯四酸二酐、4,4
’‑
氧双邻苯二甲酸酐、二苯甲酮

3,3

,4,4
’‑
四羧酸二酐、2,2...

【专利技术属性】
技术研发人员:郑智鸿赵友铉金元秀金斗永
申请(专利权)人:象牙弗隆泰克株式会社
类型:发明
国别省市:

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