一种功率器件驱动电路的改善电路制造技术

本实用新型专利技术涉及驱动电路技术领域，尤其是一种功率器件驱动电路的改善电路，包括驱动芯片和三极管一、三极管二、三极管三和三极管四，并构成驱动芯片与推挽电路，本实用新型专利技术能够大幅提高驱动能力，且性能更加稳定，返修率低。返修率低。返修率低。

【技术实现步骤摘要】
一种功率器件驱动电路的改善电路


[0001]本技术涉及驱动电路
，具体领域为一种功率器件驱动电路的改善电路。

技术介绍

[0002]驱动器是通过单片机发出的PWM控制信号来控制MOSFET的开和关，驱动电机运行，传统驱动电路通过多个元器件、三极管、二极管及相应的连接电阻组合构成，其存在如下缺点：
[0003]1、驱动能力较弱；
[0004]2、返修率较高；
[0005]3、占用PCB布局空间；
[0006]4、贴片成本较高。

技术实现思路

[0007]针对现有技术存在的不足，本技术的目的在于提供一种功率器件驱动电路的改善电路，通过驱动芯片及推挽电路的组合，有效提高电路的驱动能力和电路稳定性。
[0008]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种功率器件驱动电路的改善电路，包括驱动芯片和三极管一、三极管二、三极管三和三极管四，所述三极管一和三极管三为NPN型三极管，所述三极管二和三极管四为PNP型三极管，所述三极管一和三极管二的基极连接后与驱动芯片的一输出端连接，三极管一的集电极与电源连接，三极管一和三极管二的发射极连接后与功率器件驱动电路的MOS管栅极连接，三极管二的集电极与功率器件驱动电路的上桥连接；
[0009]所述三极管三和三极管四的基极连接后与驱动芯片的另一输出端连接，三极管三的集电极与电源连接，三极管三和三极管四的发射极连接后与功率器件驱动电路的MOS管栅极连接，三极管四的集电极与功率器件驱动电路的下桥连接。
[0010]优选的，所述驱动芯片的两个输出端分别串联有一保护电阻一，驱动芯片通过保护电阻一后分别连接三极管一和三极管二的基极连接点与三极管三和三极管四的基极连接点。
[0011]优选的，所述三极管一、三极管二、三极管三和三极管四的发射极上均串联有保护电阻二。
[0012]优选的，所述三极管一和三极管二的集电极之间串联有电容一。
[0013]优选的，所述三极管三和三极管四的集电极之间串联有电容二。
[0014]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0015]1、大幅提高了驱动能力
[0016]2、性能更加稳定，返修率低
[0017]3、电路简洁，占空间小
[0018]4、贴片成本降低
[0019]5、产品维修简单。
附图说明
[0020]图1为本技术的电路原理图。
具体实施方式
[0021]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0022]请参阅图1，本技术提供一种技术方案：一种功率器件驱动电路的改善电路，包括驱动芯片U1和三极管一N1、三极管二T1、三极管三N2和三极管四T2，所述三极管一N1和三极管三N2为NPN型三极管，所述三极管二T1和三极管四T2为PNP型三极管，所述三极管一和三极管二的基极连接后与驱动芯片的一输出端连接，三极管一的集电极与电源连接，三极管一和三极管二的发射极连接后与功率器件驱动电路的MOS管栅极连接，三极管二的集电极与功率器件驱动电路的上桥连接；
[0023]所述三极管三和三极管四的基极连接后与驱动芯片的另一输出端连接，三极管三的集电极与电源连接，三极管三和三极管四的发射极连接后与功率器件驱动电路的MOS管栅极连接，三极管四的集电极与功率器件驱动电路的下桥连接。
[0024]如图1所示，其具体实施中改善电路包括：驱动芯片U1，三极管N1, 三极管T1, 三极管N2, 三极管T2。驱动芯片U1的引脚HO通过电阻E1与推挽三极管N1,T1的基极相连，N1、T1的发射极与MOSFET的栅极相连，T1的集电极与上桥相连；驱动芯片U1的引脚LO通过电阻E1与推挽三极管N2,T2基极相连，N2、T2的发射极与MOSFET的栅极相连，T2的集电极与下桥相连；
[0025]所述驱动芯片的两个输出端分别串联有一保护电阻一，驱动芯片通过保护电阻一后分别连接三极管一和三极管二的基极连接点与三极管三和三极管四的基极连接点。
[0026]所述三极管一、三极管二、三极管三和三极管四的发射极上均串联有保护电阻二。
[0027]所述三极管一和三极管二的集电极之间串联有电容一。
[0028]所述三极管三和三极管四的集电极之间串联有电容二。
[0029]通过本技术方案，专为自举操作设计的浮动通道，完全运行时的电压高达 +600V ，容许负瞬态电压高,不受 dV/dt干扰 ，栅极驱动的电源范围为 10 至 20V，欠压锁定 ，3.3V、5V 和 15V 逻辑输入兼容，防止交叉传导逻辑，双通道的匹配传播延迟。
[0030]单片机控制信号+、
‑
通过电阻G1、G2分别连接到驱动芯片引脚HIN、LIN。
[0031]驱动芯片U1的引脚HO通过电阻A1与推挽三极管N1,T1的基极相连，N1的集电极与U1的VB引脚相连，N1、T1的发射极与MOSFET的栅极相连，T1的集电极与上桥相连；驱动芯片U1的引脚LO通过电阻A2与推挽三极管N2,T2基极相连，N2的集电极与+15V电源相连，N2、T2的发射极与MOSFET的栅极相连，T2的集电极与下桥相连。
[0032]当上桥U1引脚HO输出为高电平信号时，三极管N1导通，T1关断，电流流过MOSFET栅
极电荷充电后功率管导通。
[0033]当上桥U1引脚HO输出为低电平信号时，三极管N1关断,T1导通， MOSFET 的栅极电荷通过三极管T1放电。
[0034]当下桥U1引脚LO输出为高电平信号时，三极管N2导通，T2关断，电流流过下桥MOSFET栅极电荷充电后功率管导通。
[0035]当下桥U1引脚LO输出为低电平信号时，三极管N2关断,T2导通， MOSFET 的栅极电荷通过三极管T2放电。
[0036]本技术电路中在驱动芯片U1的VB引脚增加了一个瓷片电容C201，当驱动芯片输出开启信号时，可以通过此瓷片电容进行稳压。
[0037]尽管已经示出和描述了本技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率器件驱动电路的改善电路，其特征在于：包括驱动芯片和三极管一、三极管二、三极管三和三极管四，所述三极管一和三极管三为NPN型三极管，所述三极管二和三极管四为PNP型三极管，所述三极管一和三极管二的基极连接后与驱动芯片的一输出端连接，三极管一的集电极与电源连接，三极管一和三极管二的发射极连接后与功率器件驱动电路的MOS管栅极连接，三极管二的集电极与功率器件驱动电路的上桥连接；所述三极管三和三极管四的基极连接后与驱动芯片的另一输出端连接，三极管三的集电极与电源连接，三极管三和三极管四的发射极连接后与功率器件驱动电路的MOS管栅极连接，三极管四的集电极与功率器件驱动电路的下桥连接。2...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄自，
申请(专利权)人：上海英沃斯动力科技有限公司，
类型：新型
国别省市：