一种系统级封装结构及其制作方法技术方案

本发明专利技术公开了一种系统级封装结构及其制作方法，该系统级封装结构包括基板、器件层、导热层、封装层和第一金属屏蔽层；器件层位于基板的一侧；导热层，位于部分器件层远离基板的一侧；封装层位于器件层远离基板的一侧，封装层覆盖器件层，封装层远离基板的表面与导热层远离基板的表面齐平；第一金属屏蔽层位于封装层和导热层远离基板的一侧。本发明专利技术提供了一种系统级封装结构及其制作方法，在不增加系统级封装结构的体积的条件下，可以提高其散热能力。力。力。

【技术实现步骤摘要】
一种系统级封装结构及其制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种系统级封装结构及其制作方法。

技术介绍

[0002]系统级封装(System in Package，SIP)是对不同芯片进行并排或叠加的封装方式，将多个具有不同功能的芯片和无源器件等组装到一起，实现一定功能的单个标准封装件。
[0003]但是，现有的系统级封装结构由于集成度高且封装体积小，容易有散热不及时而导致产品性能与功能失效的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供了一种系统级封装结构及其制作方法，在不增加系统级封装结构的体积的条件下，可以提高其散热能力。
[0005]根据本专利技术的一方面，提供了一种系统级封装结构，该系统级封装结构包括：基板；器件层，位于所述基板的一侧；导热层，位于部分所述器件层远离所述基板的一侧；封装层，位于所述器件层远离所述基板的一侧，所述封装层覆盖所述器件层，所述封装层远离所述基板的表面与所述导热层远离所述基板的表面齐平；第一金属屏蔽层，位于所述封装层和所述导热层远离所述基板的一侧。
[0006]可选的，所述导热层的材料包括导热硅胶。
[0007]可选的，本实施例提供的系统级封装结构还包括第二金属屏蔽层；所述第二金属屏蔽层围绕所述封装层的侧面和所述基板的侧面。
[0008]可选的，所述第一金属屏蔽层的厚度为3μm~9μm；所述第二金属屏蔽层的厚度为1μm~5μm。
[0009]可选的，本实施例提供的系统级封装结构还包括散热层；所述散热层位于所述第一金属屏蔽层远离所述基板的一侧。
[0010]可选的，所述散热层在所述基板上的垂直投影与所述导热层在所述基板上的垂直投影有交叠。
[0011]可选的，所述散热层在所述基板上的垂直投影覆盖所述导热层在所述基板上的垂直投影。
[0012]可选的，所述散热层的材料包括金、银、铝、铁和镁中的至少一种。
[0013]可选的，本实施例提供的系统级封装结构还包括导热胶层；所述导热胶层位于所述器件层和所述导热层之间，所述导热胶层用于将所述导热层固定在所述部分所述器件层远离所述基板的一侧。
[0014]根据本专利技术的另一方面，提供了一种系统级封装结构的制作方法，该制作方法包
括如下步骤：提供一基板；在所述基板的一侧形成器件层；在部分所述器件层远离所述基板的一侧形成导热层；在所述器件层远离所述基板的一侧形成封装层，使所述封装层覆盖所述器件层，所述封装层远离所述基板的表面与所述导热层远离所述基板的表面齐平；在所述封装层和所述导热层远离所述基板的一侧形成第一金属屏蔽层。
[0015]本实施例提供的系统级封装结构在部分器件层远离基板的一侧设置有导热层，导热层可以将器件层中产热量较大的芯片所产生的热量快速传导至第一金属屏蔽层，第一金属屏蔽层可以将导热层传导的热量快速散发至外界，从而降低器件层的温度。另外，第一金属屏蔽层具有抗电磁干扰的特性，可以提高系统级封装结构的抗电磁干扰特性。本实施例中的封装层远离基板的表面与导热层远离基板的表面齐平，从而使导热层的设置不会增加系统级封装结构的体积。可见，本实施例提供的系统级封装结构，在不增加系统级封装结构的体积的条件下，可以提高其散热能力。
[0016]应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本专利技术的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本专利技术的范围。本专利技术的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0018]图1是根据本专利技术实施例提供的一种系统级封装结构的结构示意图。
[0019]图2是根据本专利技术实施例提供的又一种系统级封装结构的结构示意图。
[0020]图3是根据本专利技术实施例提供的又一种系统级封装结构的结构示意图。
[0021]图4是根据本专利技术实施例提供的又一种系统级封装结构的结构示意图。
[0022]图5是根据本专利技术实施例提供的又一种系统级封装结构的结构示意图。
[0023]图6是根据本专利技术实施例提供的又一种系统级封装结构的结构示意图。
[0024]图7是根据本专利技术实施例提供的又一种系统级封装结构的结构示意图。
[0025]图8是根据本专利技术实施例提供的一种系统级封装结构的制作方法的流程示意图。
[0026]图9
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图16为形成系统级封装结构的流程示意图。
[0027]图中的附图标记如下：110
‑
基板，120
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器件层，130
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导热层，140
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封装层，150
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第一金属屏蔽层，111
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线路层，112
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引脚，113
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绿油层，160
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第二金属屏蔽层，170
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散热层，180
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导热胶层，190
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圆形环。
具体实施方式
[0028]为了使本
的人员更好地理解本专利技术方案，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人
员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本专利技术保护的范围。
[0029]需要说明的是，本专利技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本专利技术的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
[0030]图1是根据本专利技术实施例提供的一种系统级封装结构的结构示意图，参考图1，本实施例提供的系统级封装结构包括基板110、器件层120、导热层130、封装层140和第一金属屏蔽层150；器件层120位于基板110的一侧；导热层130位于部分器件层120远离基板110的一侧；封装层140位于器件层120远离基板110的一侧，封装层140覆盖器件层120，封装层140远离基板110的表面与导热层130远离基板110的表面齐平；第一金属屏蔽层150位于封装层140和导热层130远离基板110的一侧。
[0031]具体的，基板110包括线路层111、多个引脚112和绿油层113，基板本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种系统级封装结构，其特征在于，包括：基板；器件层，位于所述基板的一侧；导热层，位于部分所述器件层远离所述基板的一侧；封装层，位于所述器件层远离所述基板的一侧，所述封装层覆盖所述器件层，所述封装层远离所述基板的表面与所述导热层远离所述基板的表面齐平；第一金属屏蔽层，位于所述封装层和所述导热层远离所述基板的一侧。2.根据权利要求1所述的系统级封装结构，其特征在于，所述导热层的材料包括导热硅胶。3.根据权利要求1所述的系统级封装结构，其特征在于，还包括第二金属屏蔽层；所述第二金属屏蔽层围绕所述封装层的侧面和所述基板的侧面。4.根据权利要求3所述的系统级封装结构，其特征在于，所述第一金属屏蔽层的厚度为3μm~9μm；所述第二金属屏蔽层的厚度为1μm~5μm。5.根据权利要求1
‑
4任一项所述的系统级封装结构，其特征在于，还包括散热层；所述散热层位于所述第一金属屏蔽层远离所述基板的一侧。6.根据权利要求5所述的系统级封装结...

【专利技术属性】
技术研发人员：查睿浩，丁永旺，陈涛，杨鹏，
申请(专利权)人：江苏卓胜微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：