一种防止上电瞬间误输出的IGBT驱动电路制造技术

本实用新型专利技术提供一种防止上电瞬间误输出的IGBT驱动电路，逻辑+5V受控监测电路与施密特触发器整形滤波电路连接；施密特触发器整形滤波电路与隔离驱动光耦电路连接；隔离驱动光耦电路与IGBT抗饱和检测及过流侦测电路连接；IGBT抗饱和检测及过流侦测电路与增强型PWM信号推挽电路连接；增强型PWM信号推挽电路与门极信号阻容滤波输出电路连接。如上，本实用新型专利技术的一种防止上电瞬间误输出的IGBT驱动电路，保证上电瞬间，不会因为上电时序不确定及毛刺干扰的存在导致IGBT误导通。干扰的存在导致IGBT误导通。干扰的存在导致IGBT误导通。

【技术实现步骤摘要】
一种防止上电瞬间误输出的IGBT驱动电路


[0001]本技术涉及变频器IGBT驱动电路
，特别是涉及一种防止上电瞬间误输出的IGBT驱动电路。

技术介绍

[0002]IGBT作为一种新型的电力电子器件，具有开关速度快、通态压降低，在变频器、逆变器等领域被广泛应用。IGBT驱动电路作为变频器硬件设计的关键技术之一，其稳定可靠性对变频器质量有着举足轻重的作用。目前低压变频器中，IGBT驱动主要采用隔离光耦驱动，由于变频器上电瞬间，驱动电源与控制电源上电时序不确定以及上电瞬间毛刺干扰的存在，可能导致IGBT驱动电路误触发，从而造成IGBT上下桥直通，引起变频器故障甚至炸机等风险。

技术实现思路

[0003]鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种防止上电瞬间误输出的IGBT驱动电路，用于解决IGBT驱动电路误触发的问题。
[0004]为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种防止上电瞬间误输出的IGBT驱动电路，包括：逻辑+5V受控监测电路、施密特触发器整形滤波电路、隔离驱动光耦电路、IGBT抗饱和检测及过流侦本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种防止上电瞬间误输出的IGBT驱动电路，其特征在于，包括：逻辑+5V受控监测电路、施密特触发器整形滤波电路、隔离驱动光耦电路、IGBT抗饱和检测及过流侦测电路、增强型PWM信号推挽电路和门极信号阻容滤波输出电路，所述逻辑+5V受控监测电路与所述施密特触发器整形滤波电路连接；所述施密特触发器整形滤波电路与所述隔离驱动光耦电路连接；所述隔离驱动光耦电路与所述IGBT抗饱和检测及过流侦测电路连接；所述IGBT抗饱和检测及过流侦测电路与所述增强型PWM信号推挽电路连接；所述增强型PWM信号推挽电路与所述门极信号阻容滤波输出电路连接。2.如权利要求1所述的一种防止上电瞬间误输出的IGBT驱动电路，其特征在于，所述逻辑+5V受控监测电路包括稳压二极管Z1和三极管Q1，所述稳压二极管Z1一端接地，所述稳压二极管Z1另一端与电阻R2一端连接，所述电阻R2另一端与电阻R1一端、电容C2一端和所述三极管Q1的基极连接，所述R1另一端、所述电容C2另...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄群，
申请(专利权)人：苏州华翔电气有限公司，
类型：新型
国别省市：