【技术实现步骤摘要】
基于三维离子阱的光解离碎片离子强度检测装置及方法
[0001]本专利技术涉及精密仪器
，具体涉及基于三维离子阱的光解离碎片离子强度检测装置及方法。
技术介绍
[0002]质谱包含飞行时间质谱、磁质谱、四极杆质谱，由于其能快速有效地把不同的离子按质荷比m/z值大小进行分离(m表示离子质量，z表示离子电荷数)，被广泛应用于科学研究和检测应用；三维离子阱，由于其能使发散的离子束在其电场范围内稳定的存在一段时间，并且聚焦的离子阱中心附近，通常被用来聚焦和富集离子。光解离技术是离子通过吸收光子能量，发生化学键断裂，形成特定的碎片离子(N+)；通常，会将由第一级质谱选择出的特定质荷比的母体离子(M+)，导入到三维离子阱中进行聚焦并富集，在三维离子阱中对离子进行光解离过程，残留的母体离子(M+)或者产生的碎片离子(N+)通过第二级串联质谱进行收集，这样便能得到特定母体离子的光解离光谱，通过对光解离光谱的分析，便可获得母体离子的化学物理特性。
[0003]然而，三维离子阱在存储离子的期间，由于碰撞气的加入加剧分子间的相互碰撞，...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基于三维离子阱的碎片离子强度检测装置，其特征在于，包括：三维离子阱本体，所述三维离子阱本体位于目标离子的入射方向上，所述三维离子阱本体包括：前端盖电极(1)，所述前端盖电极(1)上开设有入射通孔；环电极(2)，所述环电极(2)在与目标离子入射方向正交的两个方向上分别设置一个进气口(4)和一个通光孔(5)；后端盖电极(3)，所述后端盖电极(3)上开设有弹出通孔，弹出通孔的位置与入射通孔的位置对应；其中，所述前端盖电极(1)、所述环电极(2)和所述后端盖电极(3)在目标离子入射方向上依次排布；可调谐波长的脉冲解离光源(6)，所述可调谐波长的脉冲解离光源(6)用于发出解离光，解离光从环电极(2)的通光孔(5)打入三维离子阱本体内部；信号采样电路，所述信号采样电路用于对弹出三维离子阱本体的目标离子及其碎片离子强度进行检测。2.根据权利要求1所述的一种基于三维离子阱的碎片离子强度检测装置，其特征在于，所述可调谐波长的脉冲解离光源(6)发出的解离光的入射方向与目标离子的入射方向垂直。3.一种基于三维离子阱的碎片离子强度检测方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，向环形电极施加一个直流高压U3和一个射频高压RF；S2，向前端盖电极(1)施加第一脉冲高压，触发时刻为T0，其高电平为U1，低电平为U2，脉冲高压的下降沿时序为T1，脉冲宽度为δt1，在δt1的时间内，目标离子进入三维离子阱本体内部，其脉冲重复周期为t1；S3，向后端盖电极(3)施加第二脉冲高压，触发时刻为T0，其高电平为U1，低电平为U4，脉冲高压的下降沿时序为T2，脉冲宽度为δt2，在δt2的时间内，目标离子及其碎片离子弹出三维离子阱本体，其脉冲重复周期为t1；S4，可调谐波长的脉冲解离光源(6)向通光孔(5)发出解离光，触发时刻为T0，其光脉冲的上升沿为T3，脉冲宽度为δt3，在δt3的时间内解离光对目标离子进行光解离，脉冲重复周期为2t1；S5，信号采样电路对弹出三维离子阱本体的目标离子及其碎片离子强度进行检测，触发时刻为T0，采样周期为t1，用第2N个周期内得到的数据减去第2N
‑
1个周期内得到的数据，得到检测结果；其中，(T1+δt1)＜T2＜(T1+t1‑
δt2)；T3＝T2+t1‑
δt3；其中，N为正整数。4.根据权利要求3所述的一种基于三维离子阱的碎片离子强度检测方法，其特征在于，所述步骤S4中解离光的脉冲上升沿时序T3＝T2+t1，同时T3＞t1；所述步骤S5中通过扫描解离光的波长，记录每一组2N与2N
‑
1采集周期间的信号差值与解离光波长间的变化趋势图，即可得到该碎片离子的解离光谱。5.根据权利要求3所述的一种基于三维离子阱的碎片离子强度检测方法，其特征在于，
还包括：步骤S0‑1，对整个三维离子阱本体仅施加一个直流电压，开启采集信号电路，其采集周期为无限长，调节该直流电压使稳定穿过三维离子阱本体的离子数达到最大，此时的直流电压值即为第一脉冲...
【专利技术属性】
技术研发人员：汪蕾，廖鸢帆，宁录胜，
申请(专利权)人：安徽皖仪科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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