电能表数据加载方法、装置、设备及计算机可读存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种电能表数据加载方法、装置、设备及计算机可读存储介质。本发明专利技术通过在检测到所述电能表掉电时，确定所述内存中的需掉电存储闪存数据，并将所述内存中的需掉电存储闪存数据写入闪存中；若检测到所述电能表重新上电，则读取所述闪存中的需掉电存储闪存数据，并将所述闪存中的需掉电存储闪存数据加载至所述内存中，本发明专利技术新增利用了电能表内部的闪存功能对电能表掉电时的数据进行备份，提高了电能表重新上电后内存加载数据的速度。了电能表重新上电后内存加载数据的速度。了电能表重新上电后内存加载数据的速度。

【技术实现步骤摘要】
电能表数据加载方法、装置、设备及计算机可读存储介质


[0001]本专利技术涉及电能表
，尤其涉及一种电能表数据加载方法、装置、设备及计算机可读存储介质。

技术介绍

[0002]电能表是用来测量电能的仪表，为了运行可靠性，电能表将相关数据同步存放在RAM(Random Access Memory，随机存取存储器)和外部的非易失性存储器EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read
‑
Only Memory，带电可擦可编程只读存储器)中，电能表在掉电后将进入待机模式，在待机模式下MCU(微控制单元)内部RAM中的数据会丢失，目前恢复RAM数据的常规方式是在电能表再次上电时，通过从外部的EEPROM中读取数据，并加载恢复至RAM中，该RAM加载数据的方式存在RAM从EEPROM中读取加载速度较慢的问题，因此，如何加快电能表掉电后RAM加载数据的速度是目前亟待解决的技术问题。
[0003]上述内容仅用于辅助理解本专利技术的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。

技术实现思路

[0004]本专利技术的主要目的在于提供一种电能表数据加载方法、装置、设备及计算机可读存储介质，旨在解决电能表掉电后内存加载数据的速度较慢的技术问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供一种电能表数据加载方法，所述电能表数据加载方法应用于电能表，所述电能表内部的微控制单元中包括内存和闪存，所述电能表数据加载方法包括：
[0006]在检测到所述电能表掉电时，确定所述内存中的需掉电存储闪存数据，并将所述需掉电存储闪存数据写入闪存中；
[0007]若检测到所述电能表重新上电，则读取所述闪存中的需掉电存储闪存数据，并将所述闪存中的需掉电存储闪存数据加载至所述内存中。
[0008]可选地，所述将所述闪存中的需掉电存储闪存数据加载至所述内存中的步骤包括：
[0009]获取所述闪存中的校验值；
[0010]根据所述校验值对所述闪存中的需掉电存储闪存数据进行校验；
[0011]若校验结果为所述闪存中的需掉电存储闪存数据有效，则将有效的所述闪存中的需掉电存储闪存数据加载至所述内存中。
[0012]可选地，所述根据所述校验值对所述闪存中的需掉电存储闪存数据进行校验的步骤包括：
[0013]基于预设校验算法对所述闪存中的需掉电存储闪存数据进行校验计算，得到结果值；
[0014]将所述结果值与所述校验值进行比较；
[0015]若所述结果值与所述校验值相同，则确定校验结果为所述闪存中的需掉电存储闪存数据有效。
[0016]可选地，所述读取所述闪存中的需掉电存储闪存数据的步骤之后，还包括：
[0017]基于预设校验算法对所述内存中的需掉电存储闪存数据进行校验计算，得到校验值；
[0018]将所述校验值写入所述闪存中。
[0019]可选地，所述将所述闪存中的需掉电存储闪存数据加载至所述内存中的步骤之后，还包括：
[0020]检测所述闪存中的需掉电存储闪存数据是否加载完成；
[0021]若所述闪存中的需掉电存储闪存数据加载完成，则在加载完成后，检测所述内存中的需掉电存储闪存数据是否存在更新；
[0022]若所述内存中的需掉电存储闪存数据存在更新，则将更新后的需掉电存储闪存数据同步写入所述内存和EEPROM中。
[0023]可选地，所述在检测到电能表掉电时，确定所述内存中的需掉电存储闪存数据的步骤包括：
[0024]在检测到电能表掉电时，从所述内存的所有数据中提取所述电能表上电过程中所述内存部分需从EEPROM中加载的部分数据，并将所述部分数据确定为需掉电存储闪存数据；
[0025]将所述提取的需掉电存储闪存数据汇总至连续的地址空间，并将汇总后的需掉电存储闪存数据写入闪存中。
[0026]可选地，所述将所述闪存中的需掉电存储闪存数据加载至所述内存中的步骤之后，还包括：
[0027]检测所述闪存中的需掉电存储闪存数据是否加载完成；
[0028]若所述闪存中的需掉电存储闪存数据加载完成，则对所述闪存执行擦除操作。
[0029]此外，为实现上述目的，本专利技术还提供一种电能表数据加载方法装置，所述电能表数据加载方法装置包括：
[0030]数据存储模块，用于在检测到电能表掉电时，确定所述内存中的需掉电存储闪存数据，并将所述需掉电存储闪存数据写入闪存中；
[0031]数据加载模块，用于若检测到所述电能表重新上电，则读取所述闪存中的需掉电存储闪存数据，并将所述闪存中的需掉电存储闪存数据加载至所述内存中。
[0032]此外，为实现上述目的，本专利技术还提供一种电能表数据加载设备，所述电能表数据加载设备包括存储器、处理器、以及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的电能表数据加载程序，所述电能表数据加载程序被处理器执行时实现如上述的电能表数据加载方法的步骤。
[0033]此外，为实现上述目的，本专利技术还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有电能表数据加载程序，所述电能表数据加载程序被处理器执行时实现如上述的电能表数据加载方法的步骤。
[0034]本专利技术提供一种电能表数据加载方法、装置、设备及计算机可读存储介质，本专利技术通过在检测到电能表掉电时，确定内存中的需掉电存储闪存数据，并将所述需掉电存储闪
存数据写入闪存中，若检测到电能表重新上电，则读取闪存中的需掉电存储闪存数据，并将闪存中的需掉电存储闪存数据加载至内存中，以恢复内存中掉电丢失的数据。本专利技术在电能表掉电的瞬间将电能表内存中的需掉电存储闪存数据暂存至电能表微控制单元内部的闪存中，后续在检测到电能表重新上电时，内存从闪存中直接获取闪存已备份的数据进行数据加载恢复，相较于现有技术中在电能表掉电后重新上电，从外部的EEPROM中加载数据的方式，本专利技术新增利用了电能表内部的闪存对电能表掉电时的需掉电存储闪存数据进行备份暂存，以提高电能表重新上电后内存加载需掉电存储闪存数据的速度，避免了由于EEPROM与电能表微控制单元MCU通过IIC(集成电路总线)接口通讯，使用IIC总线的外部EEPROM通讯速率较低，从而导致内存RAM从EEPROM中读取加载数据的速度较慢的问题，基于此，本专利技术新增电能表内部的闪存模块对电能表掉电时的需掉电存储闪存数据进行备份，电能表MCU内部的闪存操作速率相比外部的EEPROM来说速率较高，极大地提高了RAM对数据加载的速度。
附图说明
[0035]图1是本专利技术实施例方案涉及的硬件运行环境的设备的结构示意图；
[0036]图2为本专利技术电能表数据加载方法第一实施例的流程示意图；
[0037]图3为本专利技术电能表数据加载方法一实施例中涉及的原有数据加载流程示意图；
[0038]图4为本专利技术电能表数据加载方法一实施例中涉及的数据加载流程示意图；
[0039]图5为本专利技术电能表数据加载装本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电能表数据加载方法，其特征在于，所述电能表数据加载方法应用于电能表，所述电能表内部的微控制单元中包括内存和闪存，所述电能表数据加载方法包括步骤：在检测到所述电能表掉电时，确定所述内存中的需掉电存储闪存数据，并将所述内存中的需掉电存储闪存数据写入闪存中；若检测到所述电能表重新上电，则读取所述闪存中的需掉电存储闪存数据，并将所述闪存中的需掉电存储闪存数据加载至所述内存中。2.如权利要求1所述的电能表数据加载方法，其特征在于，所述将所述闪存中的需掉电存储闪存数据加载至所述内存中的步骤包括：获取所述闪存中的校验值；根据所述校验值对所述闪存中的需掉电存储闪存数据进行校验；若校验结果为所述闪存中的需掉电存储闪存数据有效，则将有效的所述闪存中的需掉电存储闪存数据加载至所述内存中。3.如权利要求2所述的电能表数据加载方法，其特征在于，所述根据所述校验值对所述闪存中的需掉电存储闪存数据进行校验的步骤包括：基于预设校验算法对所述闪存中的需掉电存储闪存数据进行校验计算，得到结果值；将所述结果值与所述校验值进行比较；若所述结果值与所述校验值相同，则确定校验结果为所述闪存中的需掉电存储闪存数据有效。4.如权利要求3所述的电能表数据加载方法，其特征在于，所述确定所述内存中的需掉电存储闪存数据的步骤之后，还包括：基于所述预设校验算法对所述内存中的需掉电存储闪存数据进行校验计算，得到校验值；将所述校验值写入所述闪存中。5.如权利要求1所述的电能表数据加载方法，其特征在于，所述将所述闪存中的需掉电存储闪存数据加载至所述内存中的步骤之后，还包括：检测所述闪存中的需掉电存储闪存数据是否加载完成；若所述闪存中的需掉电存储闪存数据加载完成，则在加载完成后，检测所述内存中的需掉电存储闪存数据是否存在...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹杨，王建忠，胡忠勇，杨崇江，肖安，
申请(专利权)人：威胜集团有限公司，
类型：发明
国别省市：