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一种面向大功率高压高频变压器的多层级主动调控方法技术

技术编号:35193103 阅读:22 留言:0更新日期:2022-10-12 18:16
本发明专利技术公开一种面向大功率高压高频变压器的多层级主动调控方法,属于电力电子系统调控技术领域,包括基于H3T与变换器系统运行性能的综合评价方法,利用变换器的调节能力扩展H3T的设计极限,将H3T和变换器全链考量,在器件、模块、系统三个层级的协作调控下,优化H3T和变换器系统的综合性能。本发明专利技术通过将变换器系统和H3T视作有机整体,使用主动调控带来的更灵活的约束边界条件优化设计H3T;通过实时评价H3T及变换器系统的运行状态,在器件

【技术实现步骤摘要】
一种面向大功率高压高频变压器的多层级主动调控方法


[0001]本专利技术属于电力电子系统调控
,具体涉及一种面向大功率高压高频变压器的多层级主动调控方法。

技术介绍

[0002]近年来,随着大功率高压高频开关器件和大尺寸纳米晶等高性能软磁材料的长足发展,大功率高压高频电能变换的应用日趋广泛。作为电磁耦合环节的核心元件,大功率高压高频变压器是研制固态变压器等装备的重要基础。
[0003]H3T(大功率高压高频变压器)的基本部件、总体设计与运行性能是相互耦合又相互牵制的,现有设计和调控方法缺乏全链式综合考量,严重阻碍了H3T综合性能提升以及大规模工程应用。此外,在H3T总体设计时未考虑运行过程中变换器可主动调控变压器性能,从而可以放宽对H3T的设计约束。因此,有必要重构H3T优化设计思路。在变压器运行控制方面,目前变压器与变换器之间的互动基本只局限于两者一体化设计阶段,如考虑变换器工作范围、效率等指标设计变压器漏感等参数,在运行过程中则仅把变压器当成一个功率传输的功能单元。

技术实现思路

[0004]针对现有技术的不足,本专利技术的目的在于提供一种面向大功率高压高频变压器的多层级主动调控方法,突破H3T绝缘介质特性、参数建模设计、运行主动调控的界限,充分发挥变换器系统的灵活调控能力。
[0005]本专利技术的目的可以通过以下技术方案实现:
[0006]一种面向大功率高压高频变压器的多层级主动调控方法,所述调控方法包括以下步骤:
[0007]步骤一、基于H3T与变换器系统运行性能的综合评价方法,利用变换器的调节能力扩展H3T的设计极限;
[0008]步骤二、将H3T和变换器全链考量,在器件、模块、系统三个层级的协作调控下,优化H3T和变换器系统的综合性能。
[0009]进一步的,所述综合评价方法包括以下步骤:
[0010]S1、基于磁芯损耗、绕组损耗以及耐电特性的工况建模,建立dv/dt、频率、幅值、占空比、传输功率与H3T绝缘介质特性、端口特性的关系映射;
[0011]S2、基于电路拓扑类型以及控制策略类型,依据不同波形dv/dt对H3T绝缘的影响,得出H3T的绝缘及调控约束下的设计约束域;
[0012]S3、确定设计与约束域的固定参数和可调参数;
[0013]S4、结合磁芯损耗、绕组损耗和绝缘特性的精确计算模型,以H3T的功率密度、效率和成本为优化目标,使用带精英策略的非支配排序多目标优化遗传算法筛选出最优的H3T设计方案。
[0014]进一步的,所述S1中磁芯损耗建模是依据k
h
(F)、b(F)、k
e
(F)、k
a
(F)四个损耗因子和材料应力的关系建立的;所述绕组损耗建模是通过将利兹线绞绕的换位过程等效为不同位置阻抗的平均值获得利兹线等效电路,进而求得利兹线每股电流,再通过将磁场的空间、时间平均值求得每股损耗得到的;所述耐电特性建模是通过电气变量对H3T的绝缘耐电特性形成多参数函数集得到的。
[0015]进一步的,述步骤二中对于器件层级的主动调控,首先将变换器选取振荡电压幅值作为H3T端口特性参数化表征项,采用局放放电幅值与放电次数、介电损耗表征H3T绝缘介质特性;然后建立以振荡电压幅值、介电损耗与开关损耗作为优化目标项的综合评价模型,以局放起始电压作为dv/dt约束项;其次依据具体运行场景、参数要求以及H3T中的绝缘特性与端口特性,确定待优化变换器拓扑与有源/无源缓冲电路集合,并以此得出变换器电压、功率、频率条件的约束范围;再其次结合局放约束,得到优化目标项的分布范围,并使用熵权法建立优化目标函数,选取多个稳态工作点,并确定各工作点的加权因子,建立面向全功率、宽电压运行范围的H3T绝缘性能、端口特性与开关损耗评价函数AIM=f(dv/dt);最后对综合评价函数进行进化降阶,提升dv/dt实时优化速度,构建基于栅极驱动主动控制技术的器件级主动调控方案,对H3T与变换器实时运行状态量进行检测,实现对dv/dt参数的实时优化。
[0016]进一步的,所述步骤二中对于模块层级的主动调控,首先根据运行工况中的端口电压、传输功率范围,根据开关频率、幅值、占空比参数的调节范围与耦合关系,建立综合评价模型中的控制变量约束条件;然后根据不同温度下的H3T绝缘介质局放、击穿特性关系与变换器控制变量的测量结果与关系映射模型,得到涉及H3T绝缘/可靠性的变换器控制变量约束条件,根据变换器中元器件的安全运行要求,得到模块级综合评价模型中的约束条件集;其次基于变换器电气参量与H3T的状态量实时检测结果,对模块级控制变量优化结果查表,得到控制变量优化结果;最后由系统级上位机中对H3T当前特性进行观测,并根据观测结果修改综合评价模型中的相关参数,更新变量优化结果表。
[0017]进一步的,所述步骤二中对于系统层级的主动调控,首先基于实际测量结果与模块级综合评价模型,建立功率变换模块总损耗与模块传输功率的关系模型,作为H3T综合评价模型中的优化目标函数;然后根据H3T绝缘介质局放/击穿特性关系模型,与多模块功率变换系统中的端口电压、传输功率等运行要求,建立多H3T综合评价模型中的约束条件集;最后根据H3T状态采集与观测实时反馈结果决定优化层级,基于器件级dv/dt、模块级波形变量与系统级功率分配优化策略,实现对应物理层的闭环优化调控,同时基于调控效果反馈,决策层对优化模型中的可变因子进行调节。
[0018]本专利技术的有益效果:
[0019]本专利技术提供的调控方法,突破了H3T绝缘介质特性、参数建模设计以及运行主动调控的界限,充分发挥变换器系统的灵活调控能力,对于保障大功率高压高频电能变换装备高效可靠运行、促进国民经济和国防科技稳步发展具有重要意义。
[0020]本专利技术通过将变换器系统和H3T视作有机整体,使用主动调控带来的更灵活的约束边界条件优化设计H3T;通过实时评价H3T及变换器系统的运行状态,在器件

模块

系统多层级主动调控电气变量,实现H3T绝缘耐电特性、端口特性、损耗特性以及相应变换器系统的优化和提升。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0022]图1为本专利技术的内容框图;
[0023]图2为H3T多目标优化设计流程图;
[0024]图3为器件

模块

系统多层级协作主动调控方案图;
[0025]图4为器件

模块

系统多层级决策流程图;
[0026]图5为局部放电主动调控过程示意图。
具体实施方式
[0027]下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种面向大功率高压高频变压器的多层级主动调控方法,其特征在于,所述调控方法包括以下步骤:步骤一、基于H3T与变换器系统运行性能的综合评价方法,利用变换器的调节能力扩展H3T的设计极限;步骤二、将H3T和变换器全链考量,在器件、模块、系统三个层级的协作调控下,优化H3T和变换器系统的综合性能。2.根据权利要求1所述的一种面向大功率高压高频变压器的多层级主动调控方法,其特征在于,所述步骤一种综合评价的方法包括以下步骤:S1、基于磁芯损耗、绕组损耗以及耐电特性的工况建模,建立dv/dt、频率、幅值、占空比、传输功率与H3T绝缘介质特性、端口特性的关系映射;S2、基于电路拓扑类型以及控制策略类型,依据不同波形dv/dt对H3T绝缘的影响,得出H3T的绝缘及调控约束下的设计约束域;S3、确定设计与约束域的固定参数和可调参数;S4、结合磁芯损耗、绕组损耗和绝缘特性的精确计算模型,以H3T的功率密度、效率和成本为优化目标,使用带精英策略的非支配排序多目标优化遗传算法筛选出最优的H3T设计方案。3.根据权利要求2所述的一种面向大功率高压高频变压器的多层级主动调控方法,其特征在于,所述S1中磁芯损耗建模是依据k
h
(F)、b(F)、k
e
(F)、k
a
(F)四个损耗因子和材料应力的关系建立的;所述绕组损耗建模是通过将利兹线绞绕的换位过程等效为不同位置阻抗的平均值获得利兹线等效电路,进而求得利兹线每股电流,再通过将磁场的空间、时间平均值求得每股损耗得到的;所述耐电特性建模是通过电气变量对H3T的绝缘耐电特性形成多参数函数集得到的。4.根据权利要求1所述的一种面向大功率高压高频变压器的多层级主动调控方法,其特征在于,所述步骤二中对于器件层级的主动调控,首先将变换器选取振荡电压幅值作为H3T端口特性参数化表征项,采用局放放电幅值与放电次数、介电损耗表征H3T绝缘介质特性;然后建立以振荡电压幅值、介电损耗与开关损耗作为优化目标项的综合评价模型,以局放起始电压作为dv/dt约束项;其次依据具体运行场景、参数要求以及H3T中的绝缘特性与端...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈武王跃茵沈湛王江峰付兴贺曲小慧雷家兴曹武
申请(专利权)人:东南大学
类型:发明
国别省市:

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