结温检测装置、方法、电子设备和存储介质制造方法及图纸

本申请公开了一种结温检测装置、方法、电子设备和存储介质。其中，所述装置包括电压模拟模块和电压检测模块；电压检测模块与电压模拟模块的电连接；电压检测模块或电压模拟模块与IGBT(Insulated Gate BipolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管)退饱和保护模块电连接；其中，IGBT退饱和保护模块包括退饱和保护二极管；退饱和保护二极管与电压模拟模块临近设置；电压模拟模块用于模拟IGBT退饱和保护模块的电压；电压检测模块用于输出IGBT退饱和保护模块的结温检测电压。通过设置电压模拟模块以模拟退饱和保护模块的电压，便于对结温检测电压的计算，减小了外界环境对IGBT温度测量的影响，进而减小了外界环境对检测IGBT的电压和结温的影响，提高了结温检测的准确性。提高了结温检测的准确性。提高了结温检测的准确性。

【技术实现步骤摘要】
结温检测装置、方法、电子设备和存储介质


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种结温检测装置、方法、电子设备和存储介质。

技术介绍

[0002]逆变器是把直流电能转化成定频定压或者调频调压交流电的转化器。逆变器被广泛的应用于电动汽车、家用电器、航空航天和新能源装备等领域中。由于逆变器中功率模块的结温会影响逆变器的性能，因此实时监控功率模块的结温具有重大意义。
[0003]当前，技术人员通过在功率模块的芯片外设置温敏传感器，以检测功率模块的结温。由于温敏传感器远离芯片不能直接测温，导致温敏传感器的检测结果准确性差，且温敏传感器无法及时的反馈功率模块的结温变化，使得测量结果实时性差。

技术实现思路

[0004]本申请提供了一种结温检测装置、方法、电子设备和存储介质，以提高结温检测的准确性和实时性。
[0005]根据本申请的一方面，提供了一种结温检测装置，所述装置包括电压模拟模块和电压检测模块；
[0006]电压检测模块与电压模拟模块的电连接；
[0007]电压检测模块或电压模拟模块与IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)退饱和保护模块电连接；其中，IGBT退饱和保护模块包括退饱和保护二极管；
[0008]退饱和保护二极管与电压模拟模块临近设置；
[0009]电压模拟模块用于模拟IGBT退饱和保护模块的电压；
[0010]电压检测模块用于输出IGBT退饱和保护模块的结温检测电压。r/>[0011]根据本申请的另一方面，提供了一种结温检测方法，包括：
[0012]获取IGBT退饱和保护模块的结温检测电压和导通电流；
[0013]根据结温检测电压和导通电流，确定IGBT的结温。
[0014]根据本申请的另一方面，提供了一种电子设备，所述电子设备包括：
[0015]至少一个处理器；以及
[0016]与所述至少一个处理器通信连接的存储器；其中，
[0017]所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的计算机程序，所述计算机程序被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器能够执行本申请任一实施例所述的结温检测方法。
[0018]根据本申请的另一方面，提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机指令，所述计算机指令用于使处理器执行时实现本申请任一实施例所述的结温检测方法。
[0019]本申请实施例的技术方案，通过设置电压模拟模块以模拟退饱和保护模块的电压，便于对结温检测电压的计算，减小了外界环境对IGBT温度的影响，进而减小了外界环境对检测IGBT的电压和结温的影响，提高了结温检测的准确性。
[0020]应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本申请的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本申请的范围。本申请的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0022]图1A是根据本申请实施例一提供的一种结温检测装置的结构图；
[0023]图1B是根据本申请实施例一提供的另一种结温检测装置的结构图；
[0024]图2A是根据本申请实施例二提供的一种结温检测方法的流程图；
[0025]图2B是根据本申请实施例二提供的一种IGBT结温检测电路示意图；
[0026]图3是实现本申请实施例的结温检测方法的电子设备的结构示意图。
具体实施方式
[0027]为了使本
的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。
[0028]需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
[0029]实施例一
[0030]本实施例可适用于测量晶体管退饱和保护电路的结温的情况，该结温检测装置可以采用硬件和/或软件的形式实现，该结温检测装置可配置于电子设备中。
[0031]该结温检测装置包括：电压模拟模块和电压检测模块，其中，
[0032]电压检测模块与电压模拟模块电连接；电压检测模块或电压模拟模块与待测温的退饱和保护模块电连接；其中，待测温的退饱和保护模块可以是IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)退饱和保护模块，IGBT退饱和保护模块包括退饱和保护二极管。需要说明的是，本申请实施例仅通过IGBT退饱和保护模块的测温进行说明，待测温的退饱和保护模块还可以是其他各种功率器件，例如MOSFET(Metal
‑
Oxide
‑
Semiconductor Field
‑
Effect Transistor，金属
‑
氧化物半导体场效应晶体管)或者BJT(Bipolar Junction Transistor，双极结型晶体管等，本申请实施例对此不作限定。
[0033]进一步的，退饱和保护二极管与电压模拟模块临近设置。
[0034]电压模拟模块可以是用于模拟退饱和保护二极管的电压。可以理解的是，在标准的IGBT退饱和保护电路中，退饱和保护二极管容易收到外界温度的影响，而该退饱和保护二极管的性能与温度紧密相关，退饱和保护二极管的性能则会影响对IGBT的电压和结温的测量。因此，将电压模拟模块与退饱和保护二极管临近设置，使二者在空间位置上所处环境相同，从而使电压模拟模块和退饱和保护二极管的所述环境温度接近一致，电压模拟模块用于模拟IGBT退饱和保护模块的电压，也即电压模拟模块用于模拟退饱和保护二极管的电压，使电压模拟模块的电压与退饱和保护二极管的电压接近一致，从而在计算结温检测电压时可以消除退饱和保护二极管电压不稳定造成的计算误差，有助于提高结温检测电压的测量准确度，从而提高结温的计算精度。同时，电压检测模块用于输出IGBT退饱和保护模块的结温检测电压。
[0035]在一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种结温检测装置，其特征在于，所述装置包括电压模拟模块和电压检测模块；所述电压检测模块与所述电压模拟模块电连接；所述电压检测模块或所述电压模拟模块与IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)退饱和保护模块电连接；其中，所述IGBT退饱和保护模块包括退饱和保护二极管；所述退饱和保护二极管与所述电压模拟模块临近设置；所述电压模拟模块用于模拟所述IGBT退饱和保护模块的电压；所述电压检测模块用于输出所述IGBT退饱和保护模块的结温检测电压。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述电压模拟模块包括电压模拟电流源和电压模拟二极管，所述电压检测模块包括仪用放大器；所述电压模拟电流源的一端与所述电压模拟二极管的阳极电连接，所述电压模拟电流源的另一端接地；所述电压模拟二极管的阴极与所述仪用放大器的第一输入端电连接；所述仪用放大器的第二输入端电连接于所述IGBT退饱和保护模块的退饱和保护电阻与所述退饱和保护二极管的阳极之间，所述仪用放大器的输出端输出所述结温检测电压。3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述电压模拟模块包括电压跟随器和电压模拟二极管，所述电压检测模块包括下拉电阻；所述电压跟随器的同相输入端电连接于所述IGBT退饱和保护模块的退饱和保护电阻和所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱占山，潘彦全，王哲钰，王圣斌，刘志强，
申请(专利权)人：中国第一汽车股份有限公司，
类型：发明
国别省市：