本申请提供一种光侦测装置。于一态样，光侦测装置包括一基底、受基底支撑且配置成接收一光学信号并响应光学信号而生成光载子的一吸收区、以及包括第一组和第二组的多组开关。基底包括一第一材料，且吸收区包括一第二材料。吸收区设置在第一组与第二组开关之间。每组开关个别包括一控制区和一读出区。多组开关的控制区是配置成接收一控制信号，且多组开关的个别读出区是配置成提供一或多个电性信号，一或多个代表第一集合信息的电性信号，用于取得与该光学信号相关的飞时信息。得与该光学信号相关的飞时信息。得与该光学信号相关的飞时信息。
【技术实现步骤摘要】
光侦测装置
[0001]本申请主要关于侦测装置。具体而言，本申请提供一种光侦测装置。
技术介绍
[0002]光侦测器可用于侦测光学信号，并将光学信号转换成可由其他电路系统处理的电性信号。光侦测器可用于消费电子产品、接近传感、生物特征传感、影像传感、高速光学接收器、数据通信、直接/间接飞时(TOF)测距或成像传感器、医疗设备以及其他许多适当应用。
技术实现思路
[0003]通过以下说明或经由实施本申请实施例将可得知并理解本申请实施例的各种态样及优点。
[0004]本申请描述用于光侦测的系统、设备、装置、方法和技术。
[0005]本申请的一态样提供一种光侦测装置，包括：基底，其包括第一材料；吸收区，其包括第二材料，其中吸收区受基底所支撑，且其中吸收区是配置成接收光学信号并响应光学信号而生成光载子；及多个读出电极，其电性连接至同一个读出电路。吸收区是设置在多个读出电极中的至少两个读出电极之间。
[0006]本申请的另一态样提供一种光侦测装置，包括：基底，其包括第一材料；吸收区，其包括第二材料，其中吸收区受基底所支撑，且其中吸收区是配置成接收光学信号并响应光学信号而生成光载子；及多组开关，包括一第一组及一第二组。吸收区是设置在第一组与第二组开关之间。多个组开关个别包括一控制区及一读出区。多组开关的控制区是配置成接收同一控制信号，且多组开关的读出区是配置成提供一或多个代表第一集合信息的电性信号，其用于取得与光学信号相关的飞时信息。
[0007]于某些实施方式中，光侦测装置还包括一或多个至少部分形成在基底中且与吸收区接触的载子导引区，且一或多个载子导引区各电性耦接至多组开关中相应的一组开关。一或多个载子导引区可各为n型掺杂。
[0008]于某些实施方式中，吸收区是以一渐变掺杂分布掺杂。吸收区可包含第一表面及位于吸收区的第一表面与基底表面之间的第二表面，且吸收区的渐变掺杂分布可以是沿吸收区第二表面到吸收区第一表面的方向逐渐降低。
[0009]于某些实施方式中，吸收区还包括多个载子输出区，各接触一或多个载子导引区中相应的载子导引区。
[0010]于某些实施方式中，吸收区属于一第一传导类型，一或多个载子导引区是属于与一不同于第一传导类型的第二传导类型，基底属于第一传导类型，每一控制区包括属于第一传导类型的载子控制区，每一读出区包括属于第二传导类型的载子采集区，且一或多个载子导引区是与载子控制区及载子采集区分离。基底还可以包括至少部分重叠于其中一个载子控制区的反掺杂区，且反掺杂区可以是属于第二传导类型。
[0011]本申请的另一态样提供一种光侦测装置，包括：基底，包括第一表面及与第一表面
相反的第二表面；吸收区，受基底所支撑且是配置成接收光学信号并响应光学信号而生成光载子；及N组开关，其电性耦接于吸收区，其中各组开关个别包括第一开关及第二开关，其中第一开关及第二开关个别包括设置在第一表面上的控制电极及个别读出电极，且其中N≥2。吸收区是设置在N组开关中的两组开关之间。N组开关中的第一开关是配置成受控于第一控制信号，以共同操作为第一单一开关。N组开关中的第二开关是配置成受控于与第一控制信号不同的第二控制信号，以共同操作为第二单一开关。
[0012]于某些实施方式中，光侦测装置还包括一或N个至少部分形成在基底中且接触吸收区的载子导引区，且一或N个载子导引区各电性耦接于N组开关中的相应组开关。
[0013]于某些实施方式中，吸收区属于一第一传导类型，且一或N个载子导引区各属于一不同于第一传导类型的第二传导类型。于某些实施方式中，吸收区是以渐变掺杂分布掺杂。吸收区可包含一第一表面及及一第二表面，其中，第二表面位于吸收区的第一表面与基底的第二表面之间，且吸收区的渐变掺杂分布可以是沿从吸收区的第二表面到吸收区的第一表面的方向逐渐降低。吸收区还可以包括多个载子输出区，与一或N个载子导引区的相应的载子导引区接触。
[0014]一或N个载子导引区可各为n型掺杂。基底的材料可以与吸收区的材料不同。吸收区可包含M个侧边，且N组开关可各分别设置在吸收区的M个侧边中相应的一侧边，其中M≥N。
[0015]于某些实施方式中，吸收区属于一第一传导类型，一或N个载子导引区属于一不同于第一传导类型的第二传导类型，且基底属于第一传导类型。第一开关及第二开关可各包括属于第一传导类型的载子控制区及属于第二传导类型的载子采集区。于某些实施方式中，各载子控制区是位在相应的控制电极下，各载子采集区是位在相应的读出电极下，且一或N个载子导引区是与各载子控制区及各载子采集区分离。
[0016]于某些实施方式中，基底还包括反掺杂区，各反掺杂区至少部分重叠于相应的载子控制区，其中反掺杂区是属于第二传导类型。反掺杂区可以是与一或N个载子导引区分离。
[0017]于某些实施方式中，一或N个载子导引区的深度小于吸收区的深度。于某些实施方式中，吸收区是位在一或N个载子导引区之间。
[0018]于某些实施方式中，多个开关的个别读出电极是配置成提供一或多个代表第一集合信息的电性信号，用于取得与光学信号相关的飞时信息。
[0019]本申请的另一态样提供一种光侦测装置，包括：基底，具有第一表面及与第一表面相反的第二表面；吸收区，受基底所支撑且是配置成接收光学信号并响应光学信号而生成光载子，其中吸收区及基底是属于第一传导类型；一或多个载子导引区，其至少部分形成在基底中且接触吸收区，其中一或多个载子导引区是属于一不同于第一传导类型的第二传导类型；及一或多个组开关，其电性耦接于吸收区，其中一或多组开关中的各组开关包括第一开关及第二开关。第一开关及第二开关各包括设置在第一表面上的控制电极及读出电极。第一开关及第二开关各包括位于相应的读出电极下的载子采集区及位于相应的载子控制区下的控制电极，且一或多个载子导引区是与各载子采集区及各载子控制区分离。
[0020]于某些实施方式中，基底还包括反掺杂区，各至少部分重叠于相应的载子控制区，且反掺杂区是属于第二传导类型。反掺杂区可以是与一或多个载子导引区分离。
[0021]于某些实施方式中，一或多个载子导引区的深度小于吸收区的深度。
[0022]于某些实施方式中，吸收区是以渐变掺杂分布掺杂。吸收区包括一第一表面及一第二表面，其中，该第二表面位于吸收区的第一表面与基底的第二表面之间，且该吸收区的渐变掺杂分布是沿从吸收区的第二表面到吸收区的第一表面的方向逐渐降低。吸收区还可以包括多个载子输出区，各接触一或多个载子导引区中相应的载子导引区。
[0023]于某些实施方式中，基底的材料与吸收区的材料不同。于某些实施方式中，多个开关的个别读出电极是配置成提供一或多个代表第一集合信息的电性信号，用于取得与光学信号相关的飞时信息。
[0024]本申请的另一态样提供一种光侦测装置，包括：基底，包括第一表面及与第一表面相反的第二表面；吸收区，受基底所支撑且是配置成接收光学信号并响应光学信号而生成一或多个光载子，其中吸收区属于一第一传导类型本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种光侦测装置，其特征在于，包括：一基底，包括一第一材料；一吸收区，包括一第二材料，其中所述吸收区是受所述基底所支撑，且其中所述吸收区是配置成接收一光学信号并响应所述光学信号而生成光载子；以及多组开关，其包括一第一组及一第二组，其中，所述吸收区是设置在所述第一组与所述第二组之间，其中，所述每组开关个别包括一控制区及一读出区，其中，所述多组开关的所述控制区是配置成接收一控制信号，且其中，所述多组开关的所述读出区是配置成提供一或多个代表第一集合信息的电性信号，用于取得与所述光学信号相关的飞时信息。2.如权利要求1所述的光侦测装置，其中，还包括一或多个至少部分形成在所述基底内且与所述吸收区接触的载子导引区，其中，所述一或多个载子导引区各电性耦接于所述多组开关中相应的组开关。3.如权利要求2所述的光侦测装置，其中，所述一或多个载子导引区各为n型掺杂。4.如权利要求2所述的光侦测装置，其中，所述吸收区还包括多个载子输出区，个别接触所述一或多个载子导引区中相应的载子导引区。5.如权利要求2所述的光侦测装置，其中：所述吸收区属于一第一传导类型，所述一或多个载子导引区属于一不同于所述第一传导类型的第二传导类型，所述基底属于所述第一传导类型，所述控制区分别包括一属于所述第一传导类型的载子控制区，所述读出区分别包括一属于所述第二传导类型的载子采集区，且所述一或多个载子导引区是与所述各载子控制区及所述各载子采集区分离。6.如权利要求5所述的光侦测装置，其中，所述基底还包括一反掺杂区，其至少部分重叠于其中一个所述载子控制区，且其中，所述反掺杂区属于所述第二传导类型。7.如权利要求1所述的光侦测装置，其中，所述吸收区是以一渐变掺杂分布掺杂。8.如权利要求7所述的光侦测装置，其中，所述吸收区包括一第一表面及一第二表面，其中，该第二表面位于所述吸收区的第一表面与所述基底的一表面之间，且其中，所述吸收区的所述渐变掺杂分布是沿着从所述吸收区的第二表面到所述吸收区的第一表面的方向逐渐降低。9.一种光侦测装置，其特征在于，包括：一基底，包括一第一表面及一与所述第一表面相反的第二表面；一吸收区，受所述基底所支撑，且配置成接收一光学信号并响应所述光学信号而生成光载子；以及N组开关，电性耦接至所述吸收区，其中所述N组开关中的每一组个别包括一第一开关及一第二开关，其中所述第一开关及所述第二开关个别包括在所述第一表面上的一控制电极及一读出电极，且其中N≥2...
【专利技术属性】
技术研发人员：那允中，
申请(专利权)人：光程研创股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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