一种TOPCon电池及其制作方法技术

本申请公开了一种TOPCon电池及其制作方法，涉及光伏领域，包括获得预处理硅片；预处理硅片的正面形成有掺杂层，背面形成有隧穿氧化层；在预处理电池片的背面形成多层层叠的掺杂非晶硅层；在远离预处理硅片的方向上，各层掺杂非晶硅层的掺杂浓度逐渐增大；对处理后硅片进行高温退火，使各层掺杂非晶硅层转换为掺杂多晶硅层；去除预选掺杂多晶硅层未与背面电极对应的区域，在处理后电池片的背面形成凸起；预选掺杂多晶硅层包括未与处理后电池片直接接触的各个掺杂多晶硅层；在对应凸起的区域形成背面电极，并在正面形成正面电极，得到TOPCon电池。通过改变掺杂多晶硅层金属化区域和非金属化区域的掺杂浓度和厚度，提升电池的效率。效率。效率。

【技术实现步骤摘要】
一种TOPCon电池及其制作方法


[0001]本申请涉及光伏领域，特别是涉及一种TOPCon电池及其制作方法。

技术介绍

[0002]TOPCon(Tunnel Oxide Passivated Contact，隧穿氧化层钝化接触)电池在电池背面制备有一层超薄的隧穿氧化层和一层高掺杂的多晶硅层，二者共同形成了钝化接触结构，为硅片的背面提供了良好的表面钝化。
[0003]多晶硅层的掺杂浓度和厚度对长波的光具有很强的寄生吸收的现象，所以长波长、好的光谱吸收需要多晶硅层的厚度尽量薄、掺杂浓度尽量低，多晶硅层的厚度达到20nm就可以达到很好的钝化效果。但是，由于导电浆料的腐蚀能力比较难控制，只能匹配到厚度在100nm左右多晶硅层，太薄的话极易造成电极浆料烧穿多晶硅层破坏隧穿氧化层，造成复合的急剧增加。并且，目前多晶硅层的掺杂浓度也较高，达到3
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左右。较厚的和较高掺杂浓度的多晶硅层影响光学长波的吸收，导致电池的效率有限。
[0004]因此，如何解决上述技术问题应是本领域技术人员重点关注的。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种TOPCon电池制作方法，其特征在于，包括：获得预处理硅片；所述预处理硅片的正面形成有掺杂层，背面形成有隧穿氧化层；在所述预处理电池片的背面依次形成多层层叠的掺杂非晶硅层，得到处理后硅片；在远离所述预处理硅片的方向上，各层所述掺杂非晶硅层的掺杂浓度逐渐增大；对所述处理后硅片进行高温退火，使各层所述掺杂非晶硅层转换为掺杂多晶硅层；去除预选掺杂多晶硅层未与背面电极对应的区域，在所述处理后电池片的背面形成凸起；所述预选掺杂多晶硅层包括未与所述处理后电池片直接接触的各个所述掺杂多晶硅层；在对应所述凸起的区域形成背面电极，并在所述处理后电池片的正面形成正面电极，得到TOPCon电池。2.如权利要求1所述的TOPCon电池制作方法，其特征在于，去除预选掺杂多晶硅层未与背面电极对应的区域之前，还包括：对所述掺杂多晶硅层的最外侧表面补掺杂源，以增加所述掺杂多晶硅层最外侧表面的掺杂浓度。3.如权利要求2所述的TOPCon电池制作方法，其特征在于，对所述掺杂多晶硅层的最外侧表面补掺杂源包括：采用扩散方式，对最外侧所述掺杂多晶硅层补掺杂源；其中，扩散过程和高温退火过程同步进行。4.如权利要求2所述的TOPCon电池制作方法，其特征在于，对所述掺杂多晶硅层的最外侧表面补掺杂源包括：采用离子注入的方式，对最外侧所述掺杂多晶硅层补掺杂源；并再次对所述处理后硅片进行高温退火。5.如权利要求1所述的TOPCon电池制作方法，其特征在于，获得预处理硅片之前，还包括：对硅片进行制绒处理。6.如权利要求1所述的TOPCon电...

【专利技术属性】
技术研发人员：郁寅珑，付少剑，
申请(专利权)人：上饶捷泰新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：