复合体及晶体管制造技术

本发明专利技术提供一种新颖的材料。本发明专利技术是一种混合有第一区域及多个第二区域的复合氧化物半导体。其中，第一区域至少含有铟、元素M(元素M是Al、Ga、Y和Sn中的一个或多个)及锌，多个第二区域含有铟和锌。由于多个第二区域具有比第一区域更高的铟浓度，所以多个第二区域具有比第一区域更高的导电性。多个第二区域中的一个的端部与多个第二区域中的另一个的端部重叠。多个第二区域被第一区域立体地围绕。多个第二区域被第一区域立体地围绕。多个第二区域被第一区域立体地围绕。

【技术实现步骤摘要】
复合体及晶体管
本申请是申请日为2017年2月27日，申请号为201780016678.0(PCT/IB2017/051114)，专利技术名称为“复合体及晶体管”的专利技术专利申请的分案申请。


[0001]本专利技术涉及一种物体、方法或制造方法。本专利技术涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或组成物(composition of matter)。本专利技术的一个实施方式尤其涉及一种氧化物半导体或者该氧化物半导体的制造方法。本专利技术的一个实施方式涉及一种半导体装置、显示装置、液晶显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、它们的驱动方法或它们的制造方法。
[0002]在本说明书等中，“半导体装置”是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。晶体管等半导体元件、半导体电路、运算装置及存储装置都是半导体装置的一个实施方式。摄像装置、显示装置、液晶显示装置、发光装置、电光装置、发电装置(包括薄膜太阳能电池、有机薄膜太阳能电池等)及电子设备有时包括半导体装置。

技术介绍

[0003]非专利文本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包含：晶体管，所述晶体管包含：栅极；栅绝缘膜；以及包含铟、元素M和锌的氧化物半导体层，其中，所述元素M是Al、Ga、Y和Sn中的一个或多个，所述氧化物半导体层包含第一区域和第二区域以及第三区域，所述第二区域中In与所述元素M的原子个数比大于所述第一区域中In与所述元素M的原子个数比，所述第三区域中In与所述元素M的原子个数比大于所述第一区域中In与所述元素M的所述原子个数比，所述第二区域和所述第三区域被所述第一区域包围。2.一种半导体装置，包含：晶体管，所述晶体管包含：栅极；栅绝缘膜；以及包含铟、元素M和锌的氧化物半导体层，其中，所述元素M是Al、Ga、Y和Sn中的一个或多个，所述氧化物半导体层包含第一区域和多个第二区域，每个所述第二区域中In与所述元素M的原子个数比大于所述第一区域中In与所述元素M的原子个数比，所述第一区域和所述多个第二区域混在，并且，所述第二区域中的一个的端部与所述第二区域中的另一个的端部重叠。3.一种半导体装置，包含：晶体管，所述晶体管包含：栅极；栅绝缘膜；以及包含铟、元素M和锌的氧化物半导体层，其中，所述元素M是Al、Ga、Y和Sn中的一个或多个，所述氧化物半导体层包含第一区域和多个第二区域，每个所述第二区域中In与所述元素M的原子个数比大于所述第一区域中In与所述元素M的原子个数比，所述第一区域和所述多个第二区域混在，并且，所述多个第二区域被所述第一区域围绕。4.一种半导体装置，包含：晶体管，所述晶体管包含：栅极；栅绝缘膜；以及包含铟、元素M和锌的氧化物半导体层，
其中，所述元素M是Al、Ga、Y和Sn中的一个或多个，所述氧化物半导体层包含第一区域和多个第二区域，每个所述第二区域中In与所述元素M的原子个数比大于所述第一区域中In...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：