一种PCB板的图形质量改善方法、系统及其应用技术方案

技术编号:35112197 阅读:11 留言:0更新日期:2022-10-01 17:27
本发明专利技术提供了一种PCB板的图形质量改善方法、系统及其应用,包括:在PCB板上预先划定镀膜料区和非镀膜料区;在非镀膜料区上覆设薄膜,并基于镀膜料区的边缘形状在薄膜上第一区以及第二区;在保留第一区的薄膜厚度的基础上逐渐削减第二区的薄膜厚度;通过真空蒸镀将膜料沉积在PCB板上,实现在薄膜的覆设下仅镀膜料区保留有膜料,且第一区的薄膜在热膨胀的影响下依旧保持原有的边缘形状,进而改善镀膜料区的图形质量。本发明专利技术提供的方案,通过减少非镀膜料区域薄膜的厚度,以此来降低镀膜料过程中薄膜的热膨胀影响,减少了热应力和残气对薄膜的干扰,进而改善膜料图形边缘的完整度和精密度。密度。密度。

【技术实现步骤摘要】
一种PCB板的图形质量改善方法、系统及其应用


[0001]本专利技术涉及PCB板加工领域,特别涉及一种PCB板的图形质量改善方法、系统及其应用。

技术介绍

[0002]真空蒸镀,简称蒸镀,是指在真空条件下,采用一定的加热蒸发方式蒸发镀膜材料(或称膜料)并使之气化,粒子飞至基片表面凝聚成膜的工艺方法。蒸镀是使用较早、用途较广泛的气相沉积技术,具有成膜方法简单、薄膜纯度和致密性高、膜结构和性能独特等优点。
[0003]PCB线路板加工过程中,普遍采用蒸镀技术并结合薄膜工艺进行图形的加工。图形的设计加工有两种选择工艺选择,一种是干膜,一种是湿膜,干膜和湿膜都是用于做线路的原材料。干膜是一种高分子的化合物,通过紫外线的照射后干膜可以产生一种聚合反应形成一种稳定的物质附着于PCB板面,从而达到阻挡电镀和蚀刻的功能。湿膜则是一种感光油墨,对紫化线敏感,并且能通过紫外线固化的一种油墨。
[0004]然而,在真空蒸镀过程中,高温环境不仅让薄膜膨胀产生热应力,还会使薄膜中的有机物分解产生气体(又叫残气)。热应力和残气都会影响薄膜边缘的形状,使薄膜的边缘发生改变,导致镀膜料时图案形状发生改变,进而影响图形的加工。

技术实现思路

[0005]有鉴于此,本专利技术提出了一种PCB板的图形质量改善方法、系统及其应用,具体方案如下:第一部分,本专利技术提出了一种PCB板的图形质量改善方法,包括:在PCB板上预先划定镀膜料区和非镀膜料区;在所述非镀膜料区上覆设薄膜以裸露出所述镀膜料区,并基于所述镀膜料区的边缘形状在薄膜上划定出紧贴镀膜料区的第一区以及紧贴所述第一区的第二区;基于薄膜的性质选择并执行预设薄膜削减方案,在保留所述第一区的薄膜厚度的基础上逐渐削减所述第二区的薄膜厚度,直至所述第二区的薄膜厚度符合预设厚度条件;通过真空蒸镀将膜料沉积在PCB板上,实现在薄膜的覆设下仅所述镀膜料区保留有膜料,且所述第一区的薄膜在热膨胀的影响下依旧保持原有的边缘形状,进而改善镀膜料区的图形质量。
[0006]在一个具体实施例中,所述薄膜削减方案包括:当所述薄膜为干膜时,通过镭射方案削减第二区的薄膜厚度;在镭射方案中,被镭射光照射的区域,干膜厚度会发生削减;当所述薄膜为湿膜时,通过光罩方案削减第二区的薄膜厚度;在光罩方案中,未覆设光阻材料、且透光的区域中的湿膜厚度会发生削减。
[0007]在一个具体实施例中,所述厚度条件包括:第二区各部分的薄膜厚度等于或略高
于预设基准厚度;所述基准厚度为薄膜在热膨胀作用下不发生破损的最小薄膜厚度。
[0008]在一个具体实施例中,削减后的薄膜厚度不高于削减前的薄膜厚度的10%,且削减后的薄膜厚度大于0。
[0009]在一个具体实施例中,镀膜料区的反光度大于薄膜的反光度;在执行薄膜削减方案的过程中,持续监测第二区的薄膜的反光度;当某一部分的反光度突增,则判定该部分的薄膜厚度为0,出现薄膜破损,停止执行薄膜削减方案。
[0010]在一个具体实施例中,第一区的薄膜宽度略高于预设基准宽度;所述基准宽度为薄膜足以维持独立的竖立形态、且不会在热膨胀作用下发生偏移的最小薄膜宽度。
[0011]在一个具体实施例中,通过调整光掩膜的透光性进而调整透光区域的光线强度,基于不同光线强度对薄膜厚度的削减速率的影响,构建第一光掩膜和第二光掩膜;在透光性上,第一光掩膜高于第二光掩膜;计算第一光掩膜和第二光掩膜的削减速率,结合薄膜的厚度,综合薄膜的削减稳定性、削减精度和削减效率,分别得出第一光掩膜和第二光掩膜的执行时间;在实行镭射方案过程中,依次采用第一光掩膜和第二光掩膜的对薄膜进行相应执行时间的削减。
[0012]在一个具体实施例中,基于镭射光在不同镭射能量下对薄膜厚度的削减速率的影响,构建第一能量档位和第二能量档位;在辐射能量上,第一能量档位高于第二能量档位;计算第一能量档位和第二能量档位的削减速率,结合薄膜的厚度,综合薄膜的削减稳定性、削减精度和削减效率,分别得出第一能量档位和第二能量档位的执行时间;在实行镭射方案过程中,依次采用第一能量档位和第二能量档位的辐射能量对薄膜进行相应执行时间的削减。
[0013]第二部分,本专利技术提出了一种PCB板的图形质量改善系统,包括:镀区划定单元,用于在PCB板上预先划定镀膜料区和非镀膜料区;薄膜划定单元,用于在所述非镀膜料区上覆设薄膜以裸露出所述镀膜料区,并基于所述镀膜料区的边缘形状在薄膜上划定出紧贴镀膜料区的第一区以及紧贴所述第一区的第二区;薄膜削减单元,基于薄膜的性质选择并执行预设薄膜削减方案,在保留所述第一区的薄膜厚度的基础上逐渐削减所述第二区的薄膜厚度,直至所述第二区的薄膜厚度符合预设厚度条件;蒸镀单元,通过真空蒸镀将膜料沉积在PCB板上,实现在薄膜的覆设下仅所述镀膜料区保留有膜料,而所述第一区的薄膜在热膨胀的影响下依旧保持原有的边缘形状,进而改善镀膜料区的图形质量。
[0014]在一个具体实施例中,所述薄膜削减方案包括:当所述薄膜为干膜时,通过镭射方案削减第二区的薄膜厚度,被镭射光照射的区域,干膜的厚度会发生削减;
当所述薄膜为湿膜时,通过光罩方案削减第二区的薄膜厚度,透光区域中湿膜的厚度会发生削减。
[0015]第一部分,本专利技术提出了一种PCB板,采用第一部分中任一项所述的图形质量改善方法进行图形的加工。
[0016]有益效果:本专利技术提供了一种PCB板的图形质量改善方法、系统及其应用,通过减少非镀膜料区域薄膜的厚度,以此来降低镀膜料过程中薄膜的热膨胀影响,减少了热应力和残气对薄膜的干扰,进而改善膜料图形边缘的完整度和精密度,解决了现有技术中因蒸镀工艺导致的图形边缘质量不佳的缺陷。
附图说明
[0017]图1为现有技术中蒸镀之后的镀料图形示意图;图2为现有技术中蒸镀之后的薄膜变化示例图;图3为本专利技术实施例的图形质量改善方法流程示意图;图4为本专利技术实施例的削减后薄膜结构示意图;图5为本专利技术实施例的图形质量改善系统模块示意图。
[0018]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例,因此不应被看作是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0019]附图标记:1

镀区划定单元;2

薄膜划定单元;3

薄膜削减单元;4

蒸镀单元。
具体实施方式
[0020]在下文中,将更全面地描述本专利技术公开的各种实施例。本专利技术公开可具有各种实施例,并且可在其中做出调整和改变。然而,应理解:不存在将本专利技术公开的各种实施例限于在此公开的特定实施例的意图,而是应将本专利技术公开理解为涵盖落入本专利技术公开的各种实施例的精神和范围内的所有调整、等同物和/或可选方案。
[0021]说明书附图1给出了现有技术缺陷的原因。在图1中,区域A为需要镀膜料的区域,则需要遮住区域本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种PCB板的图形质量改善方法,其特征在于,包括:在PCB板上预先划定镀膜料区和非镀膜料区;在所述非镀膜料区上覆设薄膜以裸露出所述镀膜料区,并基于所述镀膜料区的边缘形状在薄膜上划定出紧贴镀膜料区的第一区以及紧贴所述第一区的第二区;基于薄膜的性质选择并执行预设薄膜削减方案,在保留所述第一区的薄膜厚度的基础上逐渐削减所述第二区的薄膜厚度,直至所述第二区的薄膜厚度符合预设厚度条件;通过真空蒸镀将膜料沉积在PCB板上,实现在薄膜的覆设下仅所述镀膜料区保留有膜料,且所述第一区的薄膜在热膨胀的影响下依旧保持原有的边缘形状,进而改善镀膜料区的图形质量。2.根据权利要求1所述的图形质量改善方法,其特征在于,所述薄膜削减方案包括:当所述薄膜为干膜时,通过镭射方案削减第二区的薄膜厚度;在镭射方案中,被镭射光照射的区域,干膜厚度会发生削减;当所述薄膜为湿膜时,通过光罩方案削减第二区的薄膜厚度;在光罩方案中,未覆设光阻材料、且透光的区域中的湿膜厚度会发生削减。3.根据权利要求1所述的图形质量改善方法,其特征在于,所述厚度条件包括:第二区各部分的薄膜厚度等于或略高于预设基准厚度;所述基准厚度为薄膜在热膨胀作用下不发生破损的最小薄膜厚度。4.根据权利要求1所述的图形质量改善方法,其特征在于,镀膜料区的反光度大于薄膜的反光度;在执行薄膜削减方案的过程中,持续监测第二区的薄膜的反光度;当某一部分的反光度突增,则判定该部分的薄膜厚度为0,出现薄膜破损,停止执行薄膜削减方案。5.根据权利要求1所述的图形质量改善方法,其特征在于,第一区的薄膜宽度略高于预设基准宽度;所述基准宽度为薄膜足以维持独立的竖立形态、且不会在热膨胀作用下发生偏移的最小薄膜宽度。6.根据权利要求2所述的图形质量改善方法,其特征在于,通过调整光掩膜的透光性进而调整透光区域的光线强度,基于不同光线强度对薄膜厚度的削减速率的影响,构建第一光掩膜和第二光掩膜;在透光性上,第一光掩膜高于第二光掩膜;计算...

【专利技术属性】
技术研发人员:叶江波
申请(专利权)人:深圳市湃泊科技有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1