相变存储器制造技术

本公开实施例提供一种相变存储器，包括：相变存储阵列，包括分别沿第一方向和第二方向并列排布的多个相变存储单元，第一方向与第二方向相交；预设位置，位于相变存储阵列沿第一方向的第一边缘与相变存储阵列沿第二方向的第二边缘的交汇处；多条沿第一方向延伸的字线和多条沿第二方向延伸的位线；多个字线接触单元，与多条字线电连接，沿第二方向，相对远离预设位置的字线接触单元的尺寸，大于相对接近预设位置的字线接触单元的尺寸；和/或，多个位线接触单元，与多条位线电连接，沿第一方向，相对远离预设位置的位线接触单元的尺寸，大于相对接近预设位置的位线接触单元的尺寸。接近预设位置的位线接触单元的尺寸。接近预设位置的位线接触单元的尺寸。

【技术实现步骤摘要】
相变存储器


[0001]本公开涉及半导体
，特别涉及一种相变存储器。

技术介绍

[0002]相变存储器作为一种新兴的非易失性存储器件，在读写速度、读写次数、数据保持时间、单元面积、多值实现等诸多方面具备较大的优越性。
[0003]然而，随着相变存储器的发展，存储阵列的密度逐渐增大，在对高密度存储阵列进行电性测试时还存在诸多问题。

技术实现思路

[0004]本公开实施例提供了一种相变存储器，包括：
[0005]相变存储阵列，包括沿第一方向并列排布的多个相变存储单元，以及沿第二方向并列排布的多个相变存储单元；其中，所述第一方向与所述第二方向相交；所述相变存储阵列包括：预设位置，位于所述相变存储阵列沿所述第一方向的第一边缘与所述相变存储阵列沿所述第二方向的第二边缘的交汇处；
[0006]多条沿所述第一方向延伸的字线和多条沿所述第二方向延伸的位线；其中，每个相变存储单元均设置在一个所述位线与一个所述字线的交点处，所述字线与沿第一方向排布的多个相变存储单元电连接，所述位线与沿第二方向排布的多个相变存储单元电连接；
[0007]多个字线接触单元，与所述多条字线电连接；其中，沿所述第二方向，相对远离所述预设位置的所述字线接触单元的尺寸，大于相对接近所述预设位置的所述字线接触单元的尺寸；
[0008]和/或，
[0009]多个位线接触单元，与所述多条位线电连接；其中，沿所述第一方向，相对远离所述预设位置的所述位线接触单元的尺寸，大于相对接近所述预设位置的所述位线接触单元的尺寸。
[0010]在一些实施例中，
[0011]每个所述字线接触单元包括一个字线接触结构；每个所述字线接触结构电连接一个所述字线，且不同的所述字线接触结构与不同的所述字线电连接。
[0012]在一些实施例中，
[0013]每个所述位线接触单元包括一个位线接触结构；每个所述位线接触结构电连接一个所述位线，且不同的所述位线接触结构与不同的所述位线电连接。
[0014]在一些实施例中，
[0015]每个所述位线接触单元包括多个位线接触结构；每个所述位线接触结构电连接一个所述位线，不同的所述位线接触结构与不同的所述位线电连接；
[0016]其中，
[0017]同一个所述位线接触单元包括的所述多个位线接触结构的尺寸相同。
[0018]在一些实施例中，
[0019]每个所述字线接触单元包括多个字线接触结构；每个所述字线接触结构电连接一个所述字线，不同的所述字线接触结构与不同的所述字线电连接；
[0020]其中，
[0021]同一个所述字线接触单元包括的所述多个字线接触结构的尺寸相同。
[0022]在一些实施例中，
[0023]在所述字线接触单元包括字线接触结构时，所述字线接触结构的截面形状包括圆形、椭圆形、长方形、正方形或菱形；
[0024]在所述位线接触单元包括位线接触结构时，所述位线接触结构的截面形状包括圆形、椭圆形、长方形、正方形或菱形；
[0025]其中，所述截面平行于所述第一方向和所述第二方向所在平面。
[0026]在一些实施例中，在所述第二方向沿远离所述预设位置的方位，所述字线接触单元的尺寸增量逐渐增大，位于同一所述字线接触单元中的所述字线接触结构的尺寸相同；
[0027]和/或，
[0028]在所述第一方向沿远离所述预设位置的方位，所述位线接触单元的尺寸增量逐渐增大，位于同一所述位线接触单元中的所述位线接触结构的尺寸相同。
[0029]在一些实施例中，在所述第二方向沿远离所述预设位置的方位，所述字线接触单元的尺寸增量依次相同，位于同一所述字线接触单元中的所述字线接触结构的尺寸相同；
[0030]和/或，
[0031]在所述第一方向沿远离所述预设位置的方位，所述位线接触单元的尺寸增量依次相同，位于同一所述位线接触单元中的所述位线接触结构的尺寸相同。
[0032]在一些实施例中，所述尺寸的范围包括1nm至100nm。
[0033]在一些实施例中，所述相变存储器包括三维相变存储器。
[0034]本公开实施例中，通过改变相变存储器中字线接触单元和/或位线接触单元的尺寸，从而实现调整相变存储器中不同位置的电阻。具体地，沿第二方向，相对远离预设位置的字线接触单元的尺寸，大于相对接近预设位置的字线接触单元的尺寸；和/或，沿第一方向，相对远离预设位置的位线接触单元的尺寸，大于相对接近预设位置的位线接触单元的尺寸；其中，预设位置位于相变存储器中相变存储阵列沿第一方向的第一边缘与相变存储阵列沿第二方向的第二边缘的交汇处，第一方向与第二方向相交。
[0035]本实施例中，通过设置字线接触单元和/或位线接触单元的尺寸在靠近预设位置时相对较小，远离预设位置时相对较大，则字线接触单元和/或位线接触单元的电阻在靠近预设位置时相对较大，远离预设位置时相对较小。通过在相变存储器中设置与字线的寄生电阻的阻值变化趋势相反的字线接触单元电阻，和/或，设置与位线的寄生电阻的阻值变化趋势相反的位线接触单元电阻，提高相变存储器中不同位置的电阻一致性，从而实现减弱字线或位线由于负载效应在电性测试时导致的电性偏差。另外，由于比较一致的电阻分布，可以降低寄生电阻等寄生效应的影响，因此，本实施例提供的技术方案可以提高相变存储器的工作可靠性。
附图说明
[0036]图1为本公开一实施例的一相变存储器的局部三维示意图；
[0037]图2为本公开一实施例的一相变存储器在yox轴平面的相变存储阵列示意图；
[0038]图3为本公开一实施例的一相变存储器在yox轴平面的预设位置示意图；
[0039]图4为本公开一实施例的一相变存储器在yox轴平面的第一局部示意图；
[0040]图5为本公开一实施例的一相变存储器在yoz轴平面的局部示意图；
[0041]图6为本公开一实施例的一相变存储器在yox轴平面的第二局部示意图；
[0042]图7为本公开一实施例的一相变存储器在yox轴平面的第三局部示意图；
[0043]图8为本公开一实施例的一相变存储器在xoz轴平面的局部示意图；
[0044]图9为本公开一实施例的一相变存储器在yox轴平面的第四局部示意图；
[0045]图10为本公开一实施例的一相变存储器中圆台形接触结构的剖面示意图；
[0046]图11为图10所示的圆台形接触结构的电阻变化率仿真示意图。
具体实施方式
[0047]下面将参照附图更详细地描述本公开公开的示例性实施方式。虽然附图中显示了本公开的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开，而不应被这里阐述的具体实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
[0048]在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本公开更本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种相变存储器，其特征在于，包括：相变存储阵列，包括沿第一方向并列排布的多个相变存储单元，以及沿第二方向并列排布的多个相变存储单元；其中，所述第一方向与所述第二方向相交；所述相变存储阵列包括：预设位置，位于所述相变存储阵列沿所述第一方向的第一边缘与所述相变存储阵列沿所述第二方向的第二边缘的交汇处；多条沿所述第一方向延伸的字线和多条沿所述第二方向延伸的位线；其中，每个相变存储单元均设置在一个所述位线与一个所述字线的交点处，所述字线与沿第一方向排布的多个相变存储单元电连接，所述位线与沿第二方向排布的多个相变存储单元电连接；多个字线接触单元，与所述多条字线电连接；其中，沿所述第二方向，相对远离所述预设位置的所述字线接触单元的尺寸，大于相对接近所述预设位置的所述字线接触单元的尺寸；和/或，多个位线接触单元，与所述多条位线电连接；其中，沿所述第一方向，相对远离所述预设位置的所述位线接触单元的尺寸，大于相对接近所述预设位置的所述位线接触单元的尺寸。2.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，每个所述字线接触单元包括一个字线接触结构；每个所述字线接触结构电连接一个所述字线，且不同的所述字线接触结构与不同的所述字线电连接。3.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，每个所述位线接触单元包括一个位线接触结构；每个所述位线接触结构电连接一个所述位线，且不同的所述位线接触结构与不同的所述位线电连接。4.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，每个所述位线接触单元包括多个位线接触结构；每个所述位线接触结构电连接一个所述位线，不同的所述位线接触结构与不同的所述位线电连接；其中，同一个所述位线接触单元包括的所述多个位线接触结构的尺寸相同。5.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：周凌珺，杨红心，刘峻，
申请(专利权)人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：