化合物、显示面板及显示装置制造方法及图纸

技术编号:35100784 阅读:14 留言:0更新日期:2022-10-01 17:07
本申请公开了一种化合物、显示面板及显示装置,所述化合物具有式1所示的结构。本申请的化合物能提升器件的光取出效率和发光效率,特别是外量子效率,并且还能在实现多角度显示时有效降低器件色偏。有效降低器件色偏。有效降低器件色偏。

【技术实现步骤摘要】
化合物、显示面板及显示装置


[0001]本申请属于有机电致发光
,具体涉及一种化合物、显示面板及显示装置。

技术介绍

[0002]根据有机发光层发出光线的方向,有机电致发光(organic light emitting diode,OLED)器件可以分为底发射器件和顶发射器件。在底发射器件中,光线朝向基板发出,反射电极形成在有机发光层上,透明(或半透明)电极形成在有机发光层下。在顶发射器件中,透明(或半透明)电极形成在有机发光层上,反射电极形成在有机发光层下,因此光线向基板相反方向发出,从而增加了光线透射面积而改善了亮度。经过几十年的发展,OLED器件已经取得了长足的进步,其内量子效率已经接近100%,但是,其外量子效率仅有20%左右。OLED器件发出的大部分光由于基板模式损失、表面等离子损失与波导效应等因素被限制在器件内部,导致了大量能量损失。
[0003]针对OLED器件光取出效率低的现状,在顶发射器件中需要在透明(或半透明)电极上蒸镀一层有机覆盖层(Capping Layer,CPL),以调节光学干涉距离、抑制外光反射、抑制表面等离子体能移动引起的消光,从而提高光的取出效率,提升器件的发光效率。目前,CPL材料存在诸多问题,例如折射率较低,光取出效果并不足够好,蓝色、绿色以及红色发光器件中的所有光无法同时获得高光提取效率等。
[0004]因此,本领域亟待开发更多种类、更高性能的CPL材料。

技术实现思路

[0005]本申请的目的在于提供一种化合物、显示面板及显示装置,其能提升器件的光取出效率和发光效率,特别是外量子效率,并且还能在实现多角度显示时有效降低器件色偏。
[0006]本申请第一方面提供一种化合物,具有式1所示的结构,
[0007][0008]A1、A2各自独立地表示

(L)
n

R,其中,L各自独立地表示经R
a
取代或未取代的6~60元二价芳基、经R
a
取代或未取代的5~60元二价杂芳基,R表示经R
a
取代或未取代的6~60元一价芳基、经R
a
取代或未取代的5~60元一价杂芳基,n表示0、1或2;
[0009]R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7各自独立地表示氢、氘、氚、卤原子或经R
a
取代或未取代的如下基团:
[0010]C1~C20一价烷基、C1~C20一价烷氧基、C1~C20一价烷硫基、C2~C20一价烯基、
C2~C20一价炔基、3~20元一价脂环基、3~20元一价脂杂环基、6~40元一价芳基、5~40元一价杂芳基;
[0011]X1、X2、X3各自独立地表示S、O、N(Y1)、C(Y2)2或Si(Y3)2,Y1、Y2、Y3各自独立地表示氢、氘、氚或经R
a
取代或未取代的如下基团:
[0012]C1~C20一价烷基、C1~C20一价烷氧基、C1~C20一价烷硫基、C2~C20一价烯基、C2~C20一价炔基、3~20元一价脂环基、3~20元一价脂杂环基、6~40元一价芳基、5~40元一价杂芳基;
[0013]R
a
表示氘、氚、卤原子、氰基、硝基、羧基、羰基、氨基、C1~C20一价烷基、C1~C20一价烷氧基、C1~C20一价烷硫基、C2~C20一价烯基、C2~C20一价炔基、3~20元一价脂环基、3~20元一价脂杂环基、6~40元一价芳基、5~40元一价杂芳基,其中,C1~C20一价烷基、C1~C20一价烷氧基、C1~C20一价烷硫基、C2~C20一价烯基、C2~C20一价炔基、3~20元一价脂环基、3~20元一价脂杂环基、6~40元一价芳基、5~40元一价杂芳基中的一个或多个氢还可各自独立地被氘、氚、卤原子、氰基、硝基、羧基、羰基、氨基所取代。
[0014]本申请的第二方面提供一种显示面板,其包括有机电致发光器件,所述有机电致发光器件包括阴极、与所述阴极相对设置的阳极、位于所述阴极背离所述阳极一侧的盖帽层以及位于所述阴极和所述阳极之间的有机膜层,其中,所述盖帽层、所述有机膜层中的至少一者包括本申请第一方面的化合物。
[0015]本申请的第三方面提供一种显示装置,其包括本申请第二方面的显示面板。
[0016]本申请至少包括如下有益效果。
[0017]本申请提供的化合物分子结构简单,在可见光区域具有高折射率,从而有利于提升器件的光取出效率和发光效率,特别是外量子效率。本申请提供的化合物在蓝光区域具有较小的消光系数,对蓝光几乎没有吸收,有利于提升发光效率,并缓解器件对发光角度的依存性。本申请提供的化合物在蓝光、绿光以及红光各自的波长区域内的折射率之差较小,从而蓝色、绿色以及红色的各发光器件中的所有光能够同时获得高光取出效率。本申请提供的化合物在蓝光、绿光以及红光各自的波长区域内几乎没有吸收,从而色纯度不会降低。因此,本申请提供的化合物可以提升器件的光取出效率和发光效率,特别是外量子效率,同时本申请提供的化合物可以在实现多角度显示时有效降低器件色偏。
[0018]此外,本申请提供的化合物具有较高的玻璃化转变温度和分解温度以及较高的分子热稳定性,能够蒸镀且不发生热分解,同时本申请提供的化合物成膜稳定性高、耐久性优异,能够阻挡外部环境中的水和氧,保护器件不受水氧侵蚀,延长器件寿命。
[0019]本申请提供的化合物在紫外光区域(小于400nm)具有较大的消光系数,有利于吸收有害光,保护视力。
附图说明
[0020]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案,下面将对本申请实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面所描述的附图仅仅是本申请的一些实施方式,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据附图获得其他的附图。
[0021]图1为本申请一实施例提供的有机电致发光器件的结构示意图。
[0022]图2为本申请另一实施例提供的有机电致发光器件的结构示意图。
[0023]图3为本申请提供的一种显示装置的示意图。
[0024]附图标记说明如下:1基板,2阳极,3空穴注入层,4第一空穴传输层,5第二空穴传输层,6发光层,7第一电子传输层,8第二电子传输层,9阴极,10第一盖帽层,11第二盖帽层,100手机。
具体实施方式
[0025]为了使本申请的专利技术目的、技术方案和有益技术效果更加清晰,以下结合实施例对本申请进行进一步详细说明。应当理解的是,本说明书中描述的实施例仅仅是为了解释本申请,并非为了限定本申请。
[0026]本申请的上述
技术实现思路
并不意欲描述本申请中的每个公开的实施方式或每种实现方式。如下描述更具体地举例说明示例性实施方式。在整篇申请中的多处,通过一系列实施例提供了指导,这些实施例可以以各种组合形式使用。在各个实例中,列举仅作为代表性组,不应解释为穷举。
[0027]在本文的描述中,除非另有说明,“以上”、本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种化合物,具有式1所示的结构,A1、A2各自独立地表示

(L)
n

R,其中,L各自独立地表示经R
a
取代或未取代的6~60元二价芳基、经R
a
取代或未取代的5~60元二价杂芳基,R表示经R
a
取代或未取代的6~60元一价芳基、经R
a
取代或未取代的5~60元一价杂芳基,n表示0、1或2;R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7各自独立地表示氢、氘、氚、卤原子或经R
a
取代或未取代的如下基团:C1~C20一价烷基、C1~C20一价烷氧基、C1~C20一价烷硫基、C2~C20一价烯基、C2~C20一价炔基、3~20元一价脂环基、3~20元一价脂杂环基、6~40元一价芳基、5~40元一价杂芳基;X1、X2、X3各自独立地表示S、O、N(Y1)、C(Y2)2或Si(Y3)2,Y1、Y2、Y3各自独立地表示氢、氘、氚或经R
a
取代或未取代的如下基团:C1~C20一价烷基、C1~C20一价烷氧基、C1~C20一价烷硫基、C2~C20一价烯基、C2~C20一价炔基、3~20元一价脂环基、3~20元一价脂杂环基、6~40元一价芳基、5~40元一价杂芳基;R
a
表示氘、氚、卤原子、氰基、硝基、羧基、羰基、氨基、C1~C20一价烷基、C1~C20一价烷氧基、C1~C20一价烷硫基、C2~C20一价烯基、C2~C20一价炔基、3~20元一价脂环基、3~20元一价脂杂环基、6~40元一价芳基、5~40元一价杂芳基,其中,C1~C20一价烷基、C1~C20一价烷氧基、C1~C20一价烷硫基、C2~C20一价烯基、C2~C20一价炔基、3~20元一价脂环基、3~20元一价脂杂环基、6~40元一价芳基、5~40元一价杂芳基中的一个或多个氢还可各自独立地被氘、氚、卤原子、氰基、硝基、羧基、羰基、氨基所取代。2.根据权利要求1所述的化合物,其中,杂原子包括N、O、S、Si、Se中的至少一种。3.根据权利要求1所述的化合物,其中,A1、A2相同。4.根据权利要求1所述的化合物,其中,n表示0或1。5.根据权利要求1所述的化合物,其中,L各自独立地表示经R
a
取代或未取代的苯基、萘基、蒽基、菲基、二联苯基、三联苯基、四联苯基、三亚苯基、芘基、基、苝基、茚基、苯并菲基、芴基、9,9

二甲基芴基、螺二芴基、吡咯基、呋喃基、噻吩基、吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、苯丙噁唑基、苯丙异噁唑基、苯丙噻唑基、苯丙异噻唑基,R表示经R
a
取代或未取代的苯基、萘基、蒽基、菲基、二联苯基、三联苯基、四联苯基、三亚苯基、芘基、基、苝基、茚基、苯并菲基、芴基、9,9

二甲基芴基、螺二芴基、吡咯基、呋喃基、
噻吩基、吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃、二...

【专利技术属性】
技术研发人员:翟露
申请(专利权)人:武汉天马微电子有限公司上海分公司
类型:发明
国别省市:

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