封装结构及其制造方法技术

技术编号:35098118 阅读:18 留言:0更新日期:2022-10-01 17:02
本发明专利技术公开一种封装结构及其制造方法,其中该封装结构包含电路基板、发光二极管阵列、第一封装胶和密封胶。电路基板包含上表面以及侧表面。发光二极管阵列设置于电路基板的上表面。第一封装胶设置于电路基板上方,第一封装胶包含主体部以及延伸部,其中主体部平行于上表面设置,且延伸部由主体部延伸至侧表面。密封胶设置于第一封装胶的延伸部下方,且密封胶接触第一封装胶和电路基板。第一封装胶与密封胶共同形成共面表面。胶共同形成共面表面。胶共同形成共面表面。

【技术实现步骤摘要】
封装结构及其制造方法


[0001]本专利技术涉及一种封装结构以及一种封装结构的制造方法。

技术介绍

[0002]随着电子产品的技术发展,对于显示面板的品质要求也越来越高。在显 示面板的制作工艺中,包含封胶、裁切、蚀刻、清洁等多个操作。若未能妥 善地处理各个制作工艺,可能会影响发光二极管(light emission diode;LED) 的发光效率,从而影响显示面板的品质。
[0003]举例来说,若是覆盖LED的黑色封装胶无法有效地从LED表面移除, 会降低LED的发光效率。若是于清洁制作工艺中拉扯封装胶的侧边,使得 侧边封装胶脱胶(peeling)的情况,而会造成显示面板的显示区(有效区)的损坏。

技术实现思路

[0004]为了解决上述的问题,克服现有技术的不足,本专利技术的目的在于提供一 种封装结构以及一种封装结构的制造方法,可以改善上述问题,避免显示面 板因清洁不完全或是脱胶等损坏。
[0005]本专利技术提供了一种封装结构,包含电路基板、发光二极管阵列、第一封 装胶和密封胶。电路基板包含上表面以及侧表面。发光二极管阵列设置于电 路基板的上表面。第一封装胶设置于电路基板上方,第一封装胶包含主体部 以及延伸部,其中主体部平行于上表面设置,且延伸部由主体部延伸至侧表 面。密封胶设置于第一封装胶的延伸部下方,且密封胶接触第一封装胶和电 路基板。第一封装胶与密封胶共同形成共面表面。
[0006]在一些实施方式中,第一封装胶包含5~20wt.%的黑色粒子。
[0007]在一些实施方式中,密封胶的光密度(optical density)大于3。
[0008]在一些实施方式中,第一封装胶的主体部、第一封装胶的延伸部与密封 胶共同形成共面表面。
[0009]在一些实施方式中,第一封装胶的主体部与密封胶共同形成共面表面, 且第一封装胶的延伸部位于共面表面与电路基板的侧表面之间。
[0010]在一些实施方式中,封装结构还包含覆盖发光二极管阵列和第一封装胶 的第二封装胶。
[0011]在一些实施方式中,密封胶、第一封装胶和第二封装胶共同形成共面表 面。
[0012]在一些实施方式中,共面表面与电路基板的侧表面之间的距离介于5~15 μm之间。
[0013]在一些实施方式中,共面表面与电路基板的侧表面之间的距离介于 45~55μm之间。
[0014]在一些实施方式中,发光二极管阵列包含发光二极管,第一封装胶的主 体部的上表面与发光二极管的上表面之间的距离介于5~10μm之间。
[0015]在一些实施方式中,发光二极管阵列包含发光二极管,发光二极管阵列 包含位于发光二极管与电路基板之间的接合垫,第一封装胶的主体部与接合 垫实质上等高。
[0016]本专利技术提供了一种封装结构的制造方法,包含以下操作。形成第一封装 胶于电路基板和发光二极管阵列上,发光二极管阵列设置于电路基板上,电 路基板包含上表面以及侧表面,第一封装胶包含主体部以及延伸部,主体部 平行于上表面设置,且延伸部由主体部延伸至侧表面。形成密封胶于电路基 板的侧表面上,密封胶接触电路基板的侧表面以及第一封装胶的延伸部。执 行蚀刻操作,以大部分地移除发光二极管阵列上方的第一封装胶。执行干式 清洁操作,以完全移除发光二极管阵列上方的第一封装胶的灰化部分,并暴 露出发光二极管阵列的上表面。形成第二封装胶于发光二极管阵列以及位于 发光二极管阵列之间的第一封装胶上。
[0017]在一些实施方式中,封装结构的制造方法还包含在形成密封胶于电路基 板的侧表面上之后,执行裁切操作,使得第一封装胶的主体部与密封胶共同 形成共面表面。
[0018]在一些实施方式中,封装结构的制造方法还包含在形成密封胶于电路基 板的侧表面上之后,执行裁切操作,使得第一封装胶的主体部、第一封装胶 的延伸部与密封胶共同形成共面表面。
[0019]在一些实施方式中,封装结构的制造方法还包含在形成第二封装胶并覆 盖发光二极管阵列以及位于发光二极管阵列之间的第一封装胶之后,执行裁 切操作,使得第二封装胶、第一封装胶的主体部、第一封装胶的延伸部与密 封胶共同形成共面表面。
[0020]在一些实施方式中,封装结构的制造方法还包含在形成第二封装胶并覆 盖发光二极管阵列以及位于发光二极管阵列之间的第一封装胶之后,执行裁 切操作,使得第二封装胶、第一封装胶的主体部与密封胶共同形成共面表面。
附图说明
[0021]当结合随附附图进行阅读时,本专利技术的详细描述将能被充分地理解。应 注意,根据业界标准实务,各特征并非按比例绘制且仅用于图示目的。事实 上,出于论述清晰的目的,可任意增加或减小各特征的尺寸。
[0022]图1为本专利技术的一些实施方式所绘示的封装结构的制造方法的流程图;
[0023]图2A至图2H为本专利技术的一些实施方式所绘示的封装结构在不同形成 阶段中的剖面示意图;
[0024]图3为图2B至图2C的变化的实施方式的剖面示意图;
[0025]图4为图2D至图2E的变化的实施方式的剖面示意图;
[0026]图5为图2G至图2H的变化的实施方式的剖面示意图;
[0027]图6至图7为本专利技术的一些变化实施方式所绘示的封装结构的剖面示意 图。
[0028]符号说明
[0029]100:方法
[0030]110,120,130,140,150:操作
[0031]200,200a,200b,200c:封装结构
[0032]210:电路基板
[0033]212:上表面
[0034]214:侧表面
[0035]220:发光二极管阵列
[0036]222:上表面
[0037]224:接合垫
[0038]230:第一封装胶
[0039]230a:主体部
[0040]230b:延伸部
[0041]232:上表面
[0042]240:密封胶
[0043]250:蚀刻操作
[0044]260:干式清洁操作
[0045]270:第二封装胶
[0046]AD:灰化部分
[0047]C:裁切操作
[0048]D1,D2,D3:距离
[0049]H1:高度
[0050]R:翅膀区
[0051]M:干冰喷射组件
[0052]LED:发光二极管
[0053]X,Y:方向
具体实施方式
[0054]以下揭示提供许多不同实施方式或实施例,用于实现本专利技术的不同特征。 以下叙述部件与布置的特定实施方式,以简化本专利技术。这些当然仅为实施例, 并且不是意欲作为限制。举例而言,在随后的叙述中,第一特征在第二特征 上方或在第二特征上的形成,可包括第一特征及第二特征形成为直接接触的 实施方式,也可包括有另一特征可形成在第一特征及第二特征之间,以使得 第一特征及第二特征可不直接接触的实施方式。此外,本专利技术可能会本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装结构,包含:电路基板,包含上表面以及侧表面;发光二极管阵列,设置于该电路基板的该上表面;第一封装胶,设置于该电路基板上方,该第一封装胶包含主体部以及延伸部,其中该主体部平行于该上表面设置,且该延伸部由该主体部延伸至该侧表面;以及密封胶,设置于该第一封装胶的该延伸部下方,且该密封胶接触该第一封装胶和该电路基板,其中该第一封装胶与该密封胶共同形成共面表面。2.如权利要求1所述的封装结构,其中该第一封装胶包含5~20wt.%的黑色粒子。3.如权利要求1所述的封装结构,其中该密封胶的光密度(opticaldensity)大于3。4.如权利要求1所述的封装结构,其中该第一封装胶的该主体部、该第一封装胶的该延伸部与该密封胶共同形成该共面表面。5.如权利要求1所述的封装结构,其中该第一封装胶的该主体部与该密封胶共同形成该共面表面,且该第一封装胶的该延伸部位于该共面表面与该电路基板的该侧表面之间。6.如权利要求1所述的封装结构,还包含第二封装胶,覆盖该发光二极管阵列和该第一封装胶。7.如权利要求6所述的封装结构,其中该密封胶、该第一封装胶和该第二封装胶共同形成该共面表面。8.如权利要求1所述的封装结构,其中该共面表面与该电路基板的该侧表面之间的距离介于5~15μm之间。9.如权利要求1所述的封装结构,其中该共面表面与该电路基板的该侧表面之间的距离介于45~55μm之间。10.如权利要求1所述的封装结构,其中该发光二极管阵列包含发光二极管,该第一封装胶的该主体部的上表面与该发光二极管的上表面之间的距离介于5~10μm之间。11.如权利要求1所述的封装结构,其中该发光二极管阵列包含发光二极管,该发光二极管阵列包含位于该发光二极管与该电路基板...

【专利技术属性】
技术研发人员:詹富为陈冠勋林宜欣
申请(专利权)人:友达光电股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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