本发明专利技术涉及一种发光器件、显示装置、发光装置、电子设备及照明装置。提供一种发光效率高的发光器件。该发光器件包括EL层及具有透光性的电极。上述EL层包括发光层及低折射率层。上述低折射率层位于上述发光层与上述具有透光性的电极间。盖层接触于上述具有透光性的电极的与EL层相反一侧的面。上述盖层包括寻常光折射率为1.90以上且2.40以下且寻常光消光系数为0以上且0.01以下的高折射率材料。低折射率层包括寻常光折射率为1.60以上且1.70以下的低折射率材料。的低折射率材料。的低折射率材料。
【技术实现步骤摘要】
发光器件、显示装置、发光装置、电子设备及照明装置
[0001]本专利技术的一个方式涉及一种有机化合物、发光元件、发光器件、显示模块、照明模块、显示装置、发光装置、电子设备、照明装置及电子器件。注意，本专利技术的一个方式不局限于上述
本说明书等所公开的专利技术的一个方式的
涉及一种物体、方法或制造方法。此外，本专利技术的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition of matter)。由此，更具体而言，作为本说明书所公开的本专利技术的一个方式的
的一个例子可以举出半导体装置、显示装置、液晶显示装置、发光装置、照明装置、蓄电装置、存储装置、摄像装置以及这些装置的驱动方法或者这些装置的制造方法。
技术介绍
[0002]使用有机化合物且利用电致发光(EL：Electroluminescence)的发光器件(有机EL器件)的实用化非常活跃。在这些发光器件的基本结构中，在一对电极之间夹有包含发光材料的有机化合物层(EL层)。通过对该器件施加电压，注入载流子，利用该载流子的再结合能量，可以获得来自发光材料的发光。
[0003]因为这种发光器件是自发光型发光器件，所以当用于显示器的像素时比起液晶有可见度更高、不需要背光源等优势，特别适合于平板显示器。此外，使用这种发光器件的显示器可以被制造成薄且轻，这也是极大的优点。再者，非常快的响应速度也是该发光器件的特征之一。
[0004]此外，因为这种发光器件的发光层可以在二维上连续地形成，所以可以获得面发光。因为这是在以白炽灯或LED为代表的点光源或者以荧光灯为代表的线光源中难以得到的特征，所以作为可应用于照明等的面光源，上述发光器件的利用价值也高。
[0005]如上所述，使用发光器件的显示器及照明装置适用于各种各样的电子设备，但是为了追求具有更良好的特性的发光器件的研究开发也日益活跃。
[0006]光提取效率低是有机EL器件的常见问题之一。为了提高该光提取效率，提出了在EL层内部形成由低折射率材料构成的层的结构(例如，参照专利文献1)。
[0007][专利文献1]美国专利申请公开第2020/0176692号说明书
技术实现思路
[0008]本专利技术的一个方式的目的是提供一种发光效率高的发光器件。此外，本专利技术的一个方式的目的是提供一种功耗低的发光器件、发光装置、电子设备、显示装置或电子器件。
[0009]本专利技术只要实现上述目的中的任一个即可。
[0010]本专利技术的一个方式是一种用于发光器件的盖层的材料，该材料在455nm至465nm的范围中的任意个波长的寻常光折射率为1.90以上且2.40以下且寻常光消光系数为0以上且0.01以下。
[0011]另外，本专利技术的另一个方式是一种用于发光器件的盖层的材料，该材料在455nm至
465nm的整个波长范围的寻常光折射率为1.90以上且2.40以下且寻常光消光系数为0以上且0.01以下。
[0012]另外，本专利技术的另一个方式是一种用于发光器件的盖层的材料，在上述结构中，上述寻常光折射率优选为1.95以上且2.40以下。
[0013]另外，本专利技术的另一个方式是一种用于发光器件的盖层的材料，该材料在500nm至650nm的范围中的任意个波长的寻常光折射率为1.85以上且2.40以下且寻常光消光系数为0以上且0.01以下。
[0014]另外，本专利技术的另一个方式是一种用于发光器件的盖层的材料，该材料在500nm至650nm的整个波长范围的寻常光折射率为1.85以上2.40以下且寻常光消光系数为0以上且0.01以下。
[0015]另外，本专利技术的另一个方式是一种用于发光器件的盖层的材料，在上述结构中，所述寻常光折射率优选为1.90以上且2.40以下。
[0016]另外，本专利技术的另一个方式是一种用于发光器件的盖层的材料，在上述结构中，优选包括具有四环以上的稠环骨架。
[0017]另外，本专利技术的另一个方式是一种用于发光器件的盖层的材料，在上述结构中，优选包括五环以上的稠环骨架。
[0018]另外，本专利技术的另一个方式是一种用于发光器件的盖层的材料，在上述结构中，优选包含硫原子。
[0019]另外，本专利技术的另一个方式是一种用于发光器件的盖层的材料，在上述结构中，蒸镀膜的各向异性优选大。
[0020]另外，本专利技术的另一个方式是一种用于发光器件的盖层的材料，在上述结构中，从位于最长波长一侧的寻常光消光系数的峰算出的蒸镀膜的取向有序参数优选为
‑
0.1以下。
[0021]另外，本专利技术的另一个方式是一种发光器件的盖层，其中所述发光器件在包括具有透光性的电极的一对电极间包括EL层，所述盖层接触于所述具有透光性的电极的与EL层相反一侧的面，并且，盖层包括在455nm至465nm的范围中的任意个波长的寻常光折射率为1.90以上且2.40以下且寻常光消光系数为0以上且0.01以下的材料。
[0022]另外，本专利技术的另一个方式是一种发光器件的盖层，其中所述发光器件在包括具有透光性的电极的一对电极间包括EL层，所述盖层接触于所述具有透光性的电极的与所述EL层相反一侧的面，并且，盖层包括在455nm至465nm的整个波长范围的寻常光折射率为1.90以上且2.40以下且寻常光消光系数为0以上且0.01以下的材料。
[0023]另外，本专利技术的另一个方式是一种发光器件的盖层，其中所述发光器件在包括具有透光性的电极的一对电极间包括EL层，所述盖层接触于所述具有透光性的电极的与所述EL层相反一侧的面，所述发光器件所发射的光的峰波长为455nm以上且465nm以下，并且，所述盖层包括所述峰波长的寻常光折射率为1.90以上且2.40以下且寻常光消光系数为0以上且0.01以下的材料。
[0024]另外，本专利技术的另一个方式是一种盖层，在上述结构中，所述材料在370nm至700nm的范围中的任意个波长的寻常光消光系数优选大于0.05。
[0025]另外，本专利技术的另一个方式是一种盖层，在上述结构中，所述材料的寻常光折射率优选为1.95以上且2.40以下。
[0026]另外，本专利技术的另一个方式是一种盖层，其中所述发光器件在包括具有透光性的电极的一对电极间包括EL层，所述盖层接触于所述具有透光性的电极的与所述EL层相反一侧的面，并且，所述盖层包括在500nm至650nm的范围中的任意个波长的寻常光折射率为1.85以上且2.40以下且寻常光消光系数为0以上且0.01以下的材料。
[0027]另外，本专利技术的一个方式是一种用于发光器件的盖层的材料，其中所述发光器件在包括具有透光性的电极的一对电极间包括EL层，所述盖层接触于所述具有透光性的电极的与所述EL层相反一侧的面，并且，所述盖层包括在500nm至650nm的整个波长范围的寻常光折射率为1.85以上且2.40以下且寻常光消光系数为0以上且0.01以下的材料。
[0028]另外，本专利技术本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于发光器件的盖层的材料，所述材料在455nm至465nm的整个波长范围的寻常光折射率为1.90以上且2.40以下且寻常光消光系数为0以上且0.01以下。2.根据权利要求1所述的用于发光器件的盖层的材料，其中所述寻常光折射率为1.95以上且2.40以下。3.一种用于发光器件的盖层的材料，其中，所述材料在500nm至650nm的范围中的任意个波长的寻常光折射率为1.85以上且2.40以下且寻常光消光系数为0以上且0.01以下。4.根据权利要求3所述的用于发光器件的盖层的材料，其中所述寻常光折射率为1.90以上且2.40以下。5.根据权利要求1所述的用于发光器件的盖层的材料，包括具有四环以上的稠环骨架或具有五环以上的稠环骨架。6.根据权利要求1所述的用于发光器件的盖层的材料，包含硫原子。7.一种发光器件的盖层，其中，所述发光器件在包括具有透光性的电极的一对电极间包括EL层，所述盖层接触于所述具有透光性的电极的与所述EL层相反一侧的面的方式设置，并且，所述盖层包括在455nm至465nm的范围中的任意个波长的寻常光折射率为1.90以上且2.40以下且寻常光消光系数为0以上且0.01以下的材料。8.一种发光器件的盖层，其中，所述发光器件在包括具有透光性的电极的一对电极间包括EL层，所述盖层接触于所述具有透光性的电极的与所述EL层相反一侧的面，所述发光器件所发射的光的峰波长为455nm以上且465nm以下，并且，所述盖层包括所述峰波长的寻常光折射率为1.90以上且2.40以下且寻常光消光系数为0以上且0.01以下的材料。9.根据权利要求8所述的盖层，其中所述材料在370nm至700nm的范围中的任意个波长的寻常光消光系数大于0.05。10.根据权利要求8所述的盖层，其中所述材料的所述寻常光折射率为1.95以上且2.40以下。11.一种发光器件的盖层，其中，所述发光器件在包括具有透光性的电极的一对电极间包括EL层，所述盖层接触于所述具有透光性的电极的与所述EL层相反一侧的面，所述发光器件所发射的光的峰波长为500nm以上且650nm以下，并且，所述盖层包括所述峰波长的寻常光折射率为1.85以上且2.40以下且寻常光消光系数为0以上且0.01以下的材料。12.根据权利要求11所述的盖层，其中所述材料在370nm至700nm的范围中的任意个波长的寻常光消光系数大于0.05。13.根据权利要求11所述的盖层，其中所述材料的所述寻常光折射率为1.90以上且2.40以下。
14.根据权利要求11所述的盖层，其中所述材料包括具有四环以上的稠环骨架或具有五环以上的稠环骨架，并且所述材料包含硫原子。15.一种在一对电极间包括EL层的发光器件，其中，所述一对电极中的一方为具有透光性的电极，所述EL层至...
【专利技术属性】
技术研发人员：渡部刚吉，河野优太，植田蓝莉，大泽信晴，濑尾哲史，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：
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