【技术实现步骤摘要】
半导体装置
[0001]本公开涉及半导体装置。
技术介绍
[0002]一般而言，包括将高频信号放大的晶体管的放大器通过在晶体管的输出连接匹配电路来使阻抗匹配。例如，这种匹配电路具有：电感器，一端连接于晶体管的输出；以及短路短截线和开路短截线，并联连接于电感器的另一端(例如，参照专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2011－35761号公报
[0006]为了扩宽放大器的频率频带来提高频率特性，需要补偿晶体管的漏极/源极间电容，尽量掩盖寄生电容的影响。以往，漏极/源极间电容的补偿通过对连接于晶体管的输出的匹配电路附加电感器来进行。然而，为了高效地补偿漏极/源极间电容，优选的是，将补偿电路设于晶体管内或晶体管的附近，而不是将补偿电路设于匹配电路内。
技术实现思路
[0007]因此，本公开的目的在于提供能补偿漏极/源极间电容从而提高频率特性的晶体管以及搭载有该晶体管的半导体装置。
[0008]根据本实施方式的一个观点，...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，具备：栅极布线，在第一方向延伸并被传递输入信号；晶体管，包括多个栅电极以及源极区域和漏极区域，所述多个栅电极隔开间隔地连接于所述栅极布线并在与所述第一方向正交的第二方向延伸，所述源极区域和漏极区域隔着所述多个栅电极的每一个沿所述第一方向设置；漏极布线，配置于所述漏极区域的每一个之上，连接于所述漏极区域；输出布线，连接于所述漏极布线，被传递从所述漏极区域输出的输出信号；以及短截线，连接于所述漏极布线中的至少任一个的与所述栅极布线相反的一侧。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述漏极布线使用第一金属布线层来设置，所述短截线使用所述第一金属布线层和作为所述第一金属布线层的上层的第二金属布线层中的至少任一个来设置。3.根据权利要求2所述的半导体装置，具备源极布线，该源极布线配置于所述源极区域的每一个之上，连接于所述源极区域，所述输出布线在所述晶体管上以跨过所述源极布线中的至少任一个和所述栅电极中的至少任一个的方式在所述第一方向延伸，并连接于所述漏极布线的每一个。4.根据权利要求3所述的半...
【专利技术属性】
技术研发人员：滨野皓志，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：
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