一种开关电源中低功耗LDO恒流启动线路制造技术

本实用新型专利技术提供一种开关电源中低功耗LDO恒流启动线路，该线路包含输入电压源、原边功率线路、耦合在原副边之间的隔离变压器、副边整流线路、PWM控制芯片、辅助电源Vcc生成线路、LDO恒流启动线路，所述辅助电源Vcc生成线路的输出连接PWM控制芯片的供电端口，所述LDO恒流启动线路的输入端连接输入电压源，输出端连接PWM控制芯片的供电端口；本实用新型专利技术提供的这种开关电源启动线路，运用一个耗尽型的N型MOS管，使得启动线路在开关电源启机的过程中电流可控，电流小，热损耗小，使得LDO线路的MOS管选型更为方便、可实现，并且没有额外增加零件，线路简单，通用性强，易实现。易实现。易实现。

【技术实现步骤摘要】
一种开关电源中低功耗LDO恒流启动线路


[0001]本技术涉及开关电源领域，具体涉及一种开关电源中低功耗LDO恒流启动线路。

技术介绍

[0002]在开关电源启机的过程中，系统未全部打开，输出电压还没有建立，辅助电源Vcc生成线路不能提供PWM控制芯片所需要的供电电压，所以就需要有LDO启动线路，其输入端连接输入电压，输出稳定的PWM控制芯片所需要的供电电压，通常是12V左右，在开关电源系统完全建立之后，PWM控制芯片的供电电压由辅助电源Vcc生成线路产生，低压供电，降低了供电线路产生的功耗；启机线路中开关管的输入连接的是输入电压源，输出12V左右的低电压，在过去输入电压要求不高的通信市场中，额定电压几十伏的开关管选型并没有太大困难，热的问题也可以解决，但是随着目前应用市场的需要，特别EV电源市场的发展，高压输入的开关电源需求越来越多，如图1中，线路10是现有技术的LDO启机线路，开关管Q2是N型增强型MOS管，其漏极连接输入电压，源极提供PWM控制芯片的供电电压，漏极与源极之间的压差很大，并且通过的电流大、不可控，所以开关管Q2的在开关电源启机过程中热损耗大，为了解决热的问题，就要选用大功率的MOS管，这样对成本和空间都带来了压力，即使不考虑成本和空间，有时候也很难找到合适的MOS管，选型很困难。
[0003]为了解决上述问题，本技术提供了一种开关电源中低功耗LDO恒流启动线路。

技术实现思路

[0004]本技术所解决的技术问题是提供一种低功耗LDO恒流启动线路。
[0005]本技术解决上述技术问题所采用的技术方案是：
[0006]一种开关电源中低功耗LDO恒流启动线路，该线路包含输入电压源、输入滤波线路、原边功率线路、耦合在原副边之间的隔离变压器、副边整流线路、输出滤波线路、PWM控制芯片、辅助电源Vcc生成线路、LDO恒流启动线路，所述辅助电源Vcc生成线路的输出连接PWM控制芯片的供电端口；所述LDO恒流启动线路的输入端连接输入电压源，输出端连接PWM控制芯片的供电端口。
[0007]进一步地，所述LDO恒流启动线路包含一个第一MOS管、一个第一电阻、一个第一电容、一个第二电容、一个第一稳压管，第一MOS管的漏极与第一电容的一端一起连接输入电压源的正端，第一MOS管的源极连接第一电阻的一端，第一MOS管的栅极连接第二电容的一端、第一稳压管的阴极、第一电阻的另一端及PWM控制芯片的供电端口，第一电容的另一端、第二电容的另一端及第一稳压管的阳极连接输入电压源的负端。
[0008]进一步地，所述第一MOS管是一个耗尽型的N型MOSFET。
[0009]进一步地，所述辅助电源Vcc生成线路包含一个辅助绕组、一个第一二极管，其一端连接开关电源原边的地，另一端连接第一二极管的阳极，第一二极管的阴极连接PWM控制芯片的供电端口。
[0010]进一步地，所述辅助绕组与隔离变压器相耦合，并且与隔离变压器的副边绕组同相位。
[0011]进一步地，所述PWM控制芯片输出PWM控制信号直接或者通过驱动线路间接给原边功率线路的功率开关管。
[0012]进一步地，所述输入电压源连接输入滤波线路后连接原边功率线路，原边功率线路的输出连接隔离变压器的原边绕组，隔离变压器的副边绕组连接副边整流线路后连接输出滤波线路。
[0013]本技术相对于现有技术所取得的技术效果为：
[0014]本技术提供的这种开关电源LDO启动线路，运用一个耗尽型的N型MOS管，使得启动线路在开关电源启机的过程中电流可控，电流小，热损耗小，LDO线路中的MOS管选型方便，并且没有额外增加零件，线路简单，通用性强，易实现。
附图说明
[0015]图1是开关电源中LDO启动线路现有技术的线路示意图。
[0016]图2是本技术提供的低功耗LDO恒流启动线路的一个实施例。
具体实施方式
[0017]下面结合附图给出本技术线路的实施方式，以详细说明本技术的技术方案。
[0018]如图2中，输入电压源连接输入滤波线路后连接原边功率线路，原边功率线路的输出连接隔离变压器的原边绕组，隔离变压器的副边绕组连接副边整流线路后连接输出滤波线路，辅助电源Vcc生成线路的输出连接PWM控制芯片的供电端口；LDO恒流启动线路的输入端连接输入电压源，输出端连接PWM控制芯片的供电端口。
[0019]线路20是LDO恒流启动线路，包含一个第一MOS管Q1、一个第一电阻R1、一个第一电容C1、一个第二电容C2、一个第一稳压管ZD1，第一MOS管Q1是一个耗尽型的N型MOSFET，其漏极与C1的一端一起连接输入电压源的正端，Q1的源极连接R1的一端，Q1的栅极连接C2的一端、ZD1的阴极、R1的另一端及PWM控制芯片的供电端口Vdd，C1的另一端、C2的另一端、ZD1的阳极连接输入电压源的负端。
[0020]线路30是辅助电源Vcc生成线路的一个简易线路示意图，包含一个辅助绕组、一个第一二极管CR1，其一端连接开关电源原边的地，另一端连接CR1的阳极，CR1的阴极连接PWM控制芯片的供电端口Vdd；辅助绕组与隔离变压器相耦合，并且与隔离变压器的副边绕组同相位。
[0021]PWM控制芯片输出PWM控制信号直接或者通过驱动线路间接给原边功率线路的功率开关管；开关电源拓扑架构不仅限于是反激架构，可以是正激或者桥式架构。
[0022]低功耗LDO恒流启动线路的工作原理：
[0023]开关电源启机过程中，输出电压Vo未建立，辅助电源Vcc生成线路中的辅助绕组耦合的电压不足以维持PWM控制芯片工作，所以开关电源启机过程中，PWM控制芯片的供电由LDO启动线路提供，如图2中，ZD1是个12V左右的稳压管，Q1是耗尽型的N型MOS管，漏源（DS）极的电流，可以通过改变R1的阻值来调控，R1的阻值大，通过Q1漏源（DS）极的电流就小，Q1
的工作温度低，启动线路产生的损耗小，当R1确定后，在确定的输入电压下，流过R1的电流恒定，真正实现了低功耗恒流启动，这样输出同样功率的条件下，Q1可以选择小封装、功率低的MOS管型号，成本和功率密度上都得到了保证。
[0024]虽然以上描述了本技术的具体实施线路，但是本领域的技术人员应当理解，这些仅是举例说明，在不背离本技术的原理和实质的前提下，可以对这些实施线路做出多种变更或修改。因此，本技术的保护范围由所附权利要求书限定。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种开关电源中低功耗LDO恒流启动线路，其特征在于，该线路包含输入电压源、输入滤波线路、原边功率线路、耦合在原副边之间的隔离变压器、副边整流线路、输出滤波线路、PWM控制芯片、辅助电源Vcc生成线路、LDO恒流启动线路，所述辅助电源Vcc生成线路的输出连接PWM控制芯片的供电端口；所述LDO恒流启动线路的输入端连接输入电压源，输出端连接PWM控制芯片的供电端口。2.如权利要求1所述的一种开关电源中低功耗LDO恒流启动线路，其特征在于，所述LDO恒流启动线路包含一个第一MOS管、一个第一电阻、一个第一电容、一个第二电容、一个第一稳压管，第一MOS管的漏极与第一电容的一端一起连接输入电压源的正端，第一MOS管的源极连接第一电阻的一端，第一MOS管的栅极连接第二电容的一端、第一稳压管的阴极、第一电阻的另一端及PWM控制芯片的供电端口，第一电容的另一端、第二电容的另一端及第一稳压管的阳极连接输入电压源的负端。3.如权利要求2所述的一种开关电源中低功...

【专利技术属性】
技术研发人员：习美泉，杨梅英，方勇，
申请(专利权)人：江苏兆能电子有限公司，
类型：新型
国别省市：