一种碳化硅外延炉的源载气输送结构制造技术

本发明专利技术公开了一种碳化硅外延炉的源载气输送结构，解决了如何提高源气体输送效率和成膜质量的难题；在碳化硅外延炉反应腔体的密封盖中分别设置彼此隔离的C源气进气腔、Si源气进气腔和载气进气腔，在腔体外侧设置水冷却夹层，以达到使这三种气体在进入反应腔前保持较低的相同温度；在源气体进入反应腔前的管路上设置套管，在套管与源气体输送管之间形成有环形的输送载气的通路，在源气的出口处形成筒形的载气气流，以达到使两种源气体在出口处无法碰撞相遇的场景；将Si源气的出口设置成喇叭形，降低反应腔中Si源气气压，使晶圆表面的两种反应气体达到较理想的摩尔比；在反应腔中构架了有利晶圆表面成膜的气体温度加热环境。架了有利晶圆表面成膜的气体温度加热环境。架了有利晶圆表面成膜的气体温度加热环境。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅外延炉的源载气输送结构


[0001]本专利技术涉及一种碳化硅外延炉，特别涉及一种碳化硅外延炉的源载气输送结构。

技术介绍

[0002]碳化硅外延炉是用于碳化硅晶圆表面外延成膜工艺设备，碳化硅外延炉为一个密封的反应腔体，在腔体的上端口设置有密封盖，密封盖上设置有工艺气体进入口，在反应腔体中设置有旋转台，晶圆放置在旋转台上，边旋转边被加热，在加热的过程中，通过密封盖上的工艺气体进入口，向晶圆表面通入按照一定的比例混合的工艺气体，并保持一定的气压（常压或者负压），搭建起合适的稳定热场，使工艺气体在晶圆表面产生热反应，按照台阶方式生长成膜，在晶圆表面生成碳化硅外延单晶膜。
[0003]向碳化硅外延炉中通入的工艺气体，包括参与成膜反应的源气体和作为隔离的载气体，源气体是指C源气体和Si源气体，将这两种源气体向碳化硅外延炉的反应腔体输送过程中，需要将两种气体彼此隔离，以防止两种气体在输送中反应结晶；两种气体进入碳化硅外延炉的反应腔后，在晶圆的表面反应生成碳化硅单晶膜；现有技术一般采用近气体耦合机构，也就是说：需要将两种源气体输送到晶圆上方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅外延炉的源载气输送结构，包括反应腔（1），在反应腔（1）中设置有旋转台（2），在旋转台（2）上设置有晶圆（3），在反应腔（1）的顶端口上设置有反应腔密封盖（7），其特征在于，在反应腔密封盖（7）的外圆侧壁上，设置有水冷套夹层（9），在水冷套夹层（9）上，分别设置有Si源气进气口（10）、C源气进气口（11）和H载气进气口（12），在水冷套夹层（9）内侧的反应腔密封盖（7）中，设置有气体耦合分层仓体（13），在气体耦合分层仓体（13）中，沿从上向下方向，分别设置有Si源气进气仓（14）、C源气进气仓（15）和H载气进气仓（16）；Si源气进气口（10）与Si源气进气仓（14）连通在一起，在Si源气进气仓（14）与反应腔（1）之间，设置有Si源气输送管（17），在Si源气输送管（17）的出口处，设置有喇叭口（18），在H载气进气仓（16）与反...

【专利技术属性】
技术研发人员：王殿，郭帝江，张敏，师开鹏，
申请(专利权)人：西北电子装备技术研究所中国电子科技集团公司第二研究所，
类型：新型
国别省市：