【技术实现步骤摘要】
一种1
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乙氧基乙氧基)
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乙烯基苯的合成方法
[0001]本专利技术属于有机化合物的制备,涉及一种1
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乙氧基乙氧基)
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乙烯基苯的合成方法。本专利技术制备的1
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乙氧基乙氧基)
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乙烯基苯特别适用作制备光刻胶的单体,进一步用于光蚀刻集成电路、芯片制造。
技术介绍
[0002]光刻胶是通过借助光致抗蚀剂,在特定的光源照射下进行曝光,显影和刻蚀等步骤,将掩膜上的图形转移到衬底上的技术。248nm深紫外光刻胶是目前国际上主流的光致抗蚀剂产品,是光蚀刻集成电路、芯片制造的关键材料之一。248nm光刻胶及所有化学增幅系光刻胶在开发中所遇到的最大问题时曝光后的放置问题,即曝光后必须立即中烘,否则胶膜表层会形成不溶的表皮层或出现剖面为T型的图形。现有技术中,提高248nm光刻胶稳定性的一种重要方法是使用脱保反应活化能低的保护基团保护对羟基苯乙烯中的酚羟基,因为这类保护基团非常容易酸解,脱保护反应甚至能在室温下进行,使空气中的碱性物质来不及扩散进入胶膜,无法干扰脱保护反应和形成氨盐,从而保证了对环境的稳定性。现有技术中开发出的低活化能的商品化248nm光刻胶,如缩酮基团保护体系,虽然对中烘温度的敏感性低,但这种保护基团极易水解,在制备过程中的重复性和再现性很差,贮存期短,影响了它在实际中的应用。
技术实现思路
[000
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种1
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乙氧基乙氧基)
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乙烯基苯的合成方法,其特征是步骤如下:a、将对羟基苯甲醛、乙烯基乙醚和三氟乙酸加入到第一溶剂中,在惰性气体氛围下进行加成反应,得到反应液;b、将甲基三苯基溴化磷分散在第一溶剂或第一溶剂与第二溶剂的混合溶剂中,制得甲基三苯基溴化磷溶液;c、将甲醇钠分散在第一溶剂或第一溶剂与第二溶剂的混合溶剂中,制得甲醇钠溶液;d、将步骤c的甲醇钠溶液滴加在步骤b的甲基三苯基溴化磷溶液中,得到反应混合液;e、将步骤a得到的反应液滴加在步骤d得到的反应混合液中,反应后,再经后处理,制得1
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乙氧基乙氧基)
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乙烯基苯。2.按权利要求1所述1
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乙氧基乙氧基)
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乙烯基苯的合成方法,其特征是:步骤a中所述的对羟基苯甲醛和乙烯基乙醚的投料摩尔比为1:1.8~2.2,对羟基苯甲醛和三氟乙酸的投料摩尔比为8~12:1。3.按权利要求1所述1
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乙氧基乙氧基)
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乙烯基苯的合成方法,其特征是:步骤b中所述的甲基三苯基溴化磷和对羟基苯甲醛的投料摩尔比为1~2:1,步骤c中所述的甲醇钠和对羟基苯甲醛的投料摩尔比为2~2.8:1。4.按权利要求2所述1
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乙氧基乙氧基)
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乙烯基苯的合成方法,其特征是:步骤b中所述的甲基三苯基溴化磷和对羟基苯甲醛的投料摩尔比为1~2:1,步骤c中所述的甲醇钠和对羟基苯甲醛的投料摩尔比为2~2.8:...
【专利技术属性】
技术研发人员:王怡星,母滨源,田原,周友,唐安斌,郭磊,
申请(专利权)人:四川东材科技集团成都新材料有限公司,
类型:发明
国别省市:
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