一种高功率八路合成器制造技术

本实用新型专利技术提出了一种高功率八路合成器，涉及微波射频领域。一种高功率八路合成器，其包括一个印制板，印制板上设置有一个输出端口、八个输入端口、四组微带线和多个隔离件。本实用新型专利技术通过对微带线宽度、间距的设计，和印制板材料的选择，减小合成器的插入损耗，提高合成效率，并且最多能同时对八个输入功率进行合成，以得到较高的输出功率，可广泛适用于各种微波电路中。种微波电路中。种微波电路中。

【技术实现步骤摘要】
一种高功率八路合成器


[0001]本技术涉及微波射频领域，具体而言，涉及一种高功率八路合成器。

技术介绍

[0002]在微波射频领域中，由于单个固态功放器件输出功率有限，很难满足系统要求，所以大功率的固态功放一般都采用多管级联和多管合成技术，即功率合成技术。功率合成器的合成效率对提高功放单元合成后的整体效率起到关键作用。
[0003]一般的四合一功率合成器，在每两个支线的输入端口间使用一个电阻。这样的功率合成器结构简单，但输入输出端口的插入损耗偏高，难以应用于更高功率合成的场景中。

技术实现思路

[0004]为了克服上述问题或者至少部分地解决上述问题，本技术实施例提供一种高功率八路合成器，能够对多个电子器件的输出功率进行叠加合成，以获得较高的输出功率，可广泛适用于各种微波电路中。
[0005]本技术的实施例是这样实现的：
[0006]本申请实施例提供一种高功率八路合成器，其包括一个印制板，印制板上设置有输出端口、第一输入端口、第二输入端口、第三输入端口、第四输入端口、第五输入端口、第六输入端口、第七输入端口、第八输入端口，以及第I1微带线、第I2微带线、第I3微带线、第I4微带线、第I5微带线、第I6微带线、第I7微带线、第I8微带线、第Ⅱ1微带线、第Ⅱ2微带线、第Ⅱ3微带线、第Ⅱ4微带线、第Ⅲ1微带线、第Ⅲ2微带线、第IV1微带线，其中输出端口设在印制板中部，第一输入端口、第二输入端口、第三输入端口、第四输入端口依次设在印制板的右侧，第五输入端口、第六输入端口、第七输入端口、第八输入端口依次设在印制板的左侧；
[0007]任意相邻两输入端口之间均设置有隔离件，输出端口与第四输入端口、输出端口与第五输入端口之间也分别设置有隔离件；
[0008]第I1微带线和第I2微带线的一端均与第Ⅱ1微带线的一端连接，第I3微带线和第I4微带线的一端均与第Ⅱ2微带线的一端连接，第I5微带线和第I6微带线的一端均与第Ⅱ3微带线的一端连接，第I7微带线和第I8微带线的一端均与第Ⅱ4微带线的一端连接，第Ⅱ1微带线和第Ⅱ2微带线的另一端均与第Ⅲ1微带线的一端连接，第Ⅱ3微带线和第Ⅱ4微带线的另一端均与第Ⅲ2微带线的一端连接，第Ⅲ1微带线和第Ⅲ2微带线的另一端均与第IV1微带线的一端连接，第IV1微带线的另一端与输出端口连接。
[0009]在本技术的一些实施例中，上述第一输入端口和第二输入端口之间、第三输入端口和第四输入端口之间、第五输入端口和第六输入端口之间、第七输入端口和第八输入端口之间设置的隔离件均为隔离负载，输出端口与第四输入端口、输出端口与第五输入端口之间设置的隔离件为腔体。
[0010]在本技术的一些实施例中，上述隔离负载为功率电阻。
[0011]在本技术的一些实施例中，上述隔离负载包括两个功率电阻，两个功率电阻之间、功率电阻和两个输入端口之间，分别通过电感连接。
[0012]在本技术的一些实施例中，上述电感为漆包线绕制的螺线圈电感。
[0013]在本技术的一些实施例中，上述印制板的介电常数＝2.55。
[0014]ε
r
[0015]在本技术的一些实施例中，上述合成器还包括长方体外壳，外壳内部的左右两侧壁上设置有两条平行凹槽，平行凹槽用于卡接印制板，左右两侧壁靠近凹槽的上方开设有接线口，外壳的后侧壁上也开设有与输出端口相对应的接线口。
[0016]在本技术的一些实施例中，上述外壳的顶壁上开设有散热孔。
[0017]在本技术的一些实施例中，上述外壳的前侧壁采用透明材料制成。
[0018]在本技术的一些实施例中，上述外壳的前侧壁的一边与外壳通过铰接件铰接，另一边与外壳扣接。
[0019]相对于现有技术，本技术的实施例至少具有如下优点或有益效果：本技术通过对微带线宽度、间距的设计，和印制板材料的选择，减小了合成器的插入损耗，提高了合成效率，并且最多能同时对八个输入功率进行合成，以得到较高的输出功率。整体电路对称设置，布局更合理，且结构紧凑，生产成本较低，可广泛适用于各种微波电路中，例如调制解调、平衡混频器等。
附图说明
[0020]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0021]图1为本技术一种高功率八路合成器一实施例的俯视图；
[0022]图2为本技术一种高功率八路合成器一实施例中隔离件的电路结构图；
[0023]图3为本技术一种高功率八路合成器一实施例中外壳的立体图。
[0024]图标：1、第一输入端口；2、第二输入端口；3、第三输入端口；4、第四输入端口；5、第五输入端口；6、第六输入端口；7、第七输入端口；8、第八输入端口；9、输出端口；10、隔离负载；11、腔体；12、第I1微带线；13、第I2微带线；14、第I3微带线；15、第I4微带线；16、第I5微带线；17、第I6微带线；18、第I7微带线；19、第I8微带线；20、第Ⅱ1微带线；21、第Ⅱ2微带线；22、第Ⅱ3微带线；23、第Ⅱ4微带线；24、第Ⅲ1微带线；25、第Ⅲ2微带线；26、第IV1微带线；27、外壳；28、凹槽；29、接线口；30、散热孔；31、铰接件。
具体实施方式
[0025]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0026]因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求
保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0027]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
[0028]在本技术实施例的描述中，需要说明的是，若出现术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，若出现术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高功率八路合成器，其特征在于，包括印制板，所述印制板上设置有输出端口、第一输入端口、第二输入端口、第三输入端口、第四输入端口、第五输入端口、第六输入端口、第七输入端口、第八输入端口，以及第I1微带线、第I2微带线、第I3微带线、第I4微带线、第I5微带线、第I6微带线、第I7微带线、第I8微带线、第Ⅱ1微带线、第Ⅱ2微带线、第Ⅱ3微带线、第Ⅱ4微带线、第Ⅲ1微带线、第Ⅲ2微带线、第IV1微带线，其中所述输出端口设在印制板中部，所述第一输入端口、第二输入端口、第三输入端口、第四输入端口依次设在印制板的右侧，所述第五输入端口、第六输入端口、第七输入端口、第八输入端口依次设在印制板的左侧；任意相邻两所述输入端口之间均设置有隔离件，所述输出端口与所述第四输入端口、所述输出端口与所述第五输入端口之间也分别设置有所述隔离件；所述第I1微带线和第I2微带线的一端均与所述第Ⅱ1微带线的一端连接，所述第I3微带线和第I4微带线的一端均与所述第Ⅱ2微带线的一端连接，所述第I5微带线和第I6微带线的一端均与所述第Ⅱ3微带线的一端连接，所述第I7微带线和第I8微带线的一端均与所述第Ⅱ4微带线的一端连接，所述第Ⅱ1微带线和第Ⅱ2微带线的另一端均与所述第Ⅲ1微带线的一端连接，所述第Ⅱ3微带线和第Ⅱ4微带线的另一端均与所述第Ⅲ2微带线的一端连接，所述第Ⅲ1微带线和第Ⅲ2微带线的另一端均与所述第IV1微带线的一端连接，所述第IV1微带线的另一端与所述输出端口连接。2.根据权利要求1所述的一种高功率八路合成器，其特征在于，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈德亚，
申请(专利权)人：成都华之兴电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：