一种超精密磨削参数调整方法和磨削系统技术方案

本发明专利技术公开了一种超精密磨削参数调整方法和磨削系统，其中方法包括：在磨削过程中，实时获取磨削参数的实测值，所述磨削参数为磨削温度和/或磨削力；根据磨削参数的实测值和可行域，计算磨削参数的调整量；利用磨削参数的调整量，根据磨削参数与加工参数的对应关系，计算加工参数的调整量，其中，加工参数包括晶圆转速、砂轮转速和砂轮进给速度中的至少一个。个。个。

【技术实现步骤摘要】
一种超精密磨削参数调整方法和磨削系统


[0001]本专利技术属于半导体晶圆加工
，尤其涉及一种超精密磨削参数调整方法和磨削系统。

技术介绍

[0002]目前半导体行业采用在半导体晶圆的表面上形成有IC（Integrated Circuit，集成电路）或LSI（Large Scale Integration，大规模集成电路）等电子电路来制造半导体芯片。晶圆在被分割为半导体芯片之前，通过磨削加工设备来磨削形成有电子电路的器件面的相反侧的背面，从而将晶圆减薄至预定的厚度。
[0003]在晶圆超精密磨削加工中，晶圆的磨削面型平整度和表面质量主要受磨削设备精度和工艺参数影响。目前在实际生产中主要依靠经验，根据磨削后晶圆的加工精度人为确定工艺参数，不能结合磨削状态实时动态调整工艺参数。通过经验确定磨削工艺参数的方法不仅依赖于大量的磨削实验，费时费力，而且很难对磨削状态进行合理的评估，不能快速准确的确定合适的工艺参数。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供了一种超精密磨削参数调整方法和磨削系统，旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。
[0005]本专利技术实施例的第一方面提供了一种超精密磨削参数调整方法，包括：在磨削过程中，实时获取磨削参数的实测值，所述磨削参数为磨削温度和/或磨削力；根据磨削参数的实测值和可行域，计算磨削参数的调整量；利用磨削参数的调整量，根据磨削参数与加工参数的对应关系，计算加工参数的调整量，其中，加工参数包括晶圆转速、砂轮转速和砂轮进给速度中的至少一个。r/>[0006]在一个实施例中，在获取实测值之前，所述方法还包括：设置不同的加工参数进行磨削，采集磨削参数，并测量磨削后的晶圆TTV；拟合磨削参数与晶圆TTV的对应关系；设定晶圆TTV的阈值，根据磨削参数与晶圆TTV的对应关系，确定磨削参数的可行域；拟合磨削参数与加工参数的对应关系。
[0007]在一个实施例中，利用四次多项式拟合磨削参数与晶圆TTV的对应关系，具体包括：括：其中，为磨削温度，为系数，为磨削力，为系数。
[0008]在一个实施例中，利用指数模型拟合磨削参数与加工参数的对应关系，具体包括：在一个实施例中，利用指数模型拟合磨削参数与加工参数的对应关系，具体包括：其中，为磨削温度，为磨削力，为晶圆转速，为砂轮转速，为砂轮进给速度，为系数，为系数。
[0009]在一个实施例中，根据以下算式，计算磨削参数的调整量：在一个实施例中，根据以下算式，计算磨削参数的调整量：其中，为磨削温度的调整量，为磨削温度的实测值，为磨削温度的可行域，为磨削力的调整量，为磨削力的实测值，为磨削力的可行域。
[0010]在一个实施例中，根据以下算式，计算加工参数的调整量：在一个实施例中，根据以下算式，计算加工参数的调整量：其中，为磨削温度的调整量，为磨削力的调整量，为晶圆转速的调整量，为砂轮转速的调整量，为砂轮进给速度的调整量。
[0011]在一个实施例中，将晶圆TTV的阈值范围代入磨削参数与晶圆TTV的对应关系式，计算得到磨削温度T的可行域、和/或磨削力F的可行域。
[0012]本专利技术实施例的第二方面提供了一种磨削系统，包括：吸盘转台，用于保持晶圆并带动晶圆旋转；磨削工具，用于对晶圆进行磨削减薄处理；传感器组件，设置在所述吸盘转台内，用于采集磨削参数，所述磨削参数为磨削温度和/或磨削力；控制装置，用于实现如权利要求1至7任一项所述的超精密磨削参数调整方法。
[0013]本专利技术实施例的第三方面提供了一种控制装置，包括存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时
实现如上所述的超精密磨削参数调整方法。
[0014]本专利技术实施例的第四方面提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上所述的超精密磨削参数调整方法。
[0015]本专利技术实施例的有益效果包括：实时检测磨削区域的磨削温度和/或磨削力的大小，用以调节磨削参数，保证晶圆TTV。
附图说明
[0016]通过结合以下附图所作的详细描述，本专利技术的优点将变得更清楚和更容易理解，但这些附图只是示意性的，并不限制本专利技术的保护范围，其中：图1示出了本专利技术一实施例提供的磨削系统的一部分的立体图；图2示出了磨削原理；图3示出了本专利技术一实施例提供的吸盘转台；图4示出了本专利技术一实施例提供的超精密磨削参数调整方法的流程图。
具体实施方式
[0017]下面结合具体实施例及其附图，对本专利技术所述技术方案进行详细说明。在此记载的实施例为本专利技术的特定的具体实施方式，用于说明本专利技术的构思；这些说明均是解释性和示例性的，不应理解为对本专利技术实施方式及本专利技术保护范围的限制。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。除在此记载的实施例外，本领域技术人员还能够基于本申请权利要求书及其说明书所公开的内容采用显而易见的其它技术方案，这些技术方案包括采用对在此记载的实施例的做出任何显而易见的替换和修改的技术方案。应当理解的是，除非特别予以说明，为了便于理解，以下对本专利技术具体实施方式的描述都是建立在相关设备、装置、部件等处于原始静止的未给与外界控制信号和驱动力的自然状态下描述的。
[0018]此外，还需要说明的是，本申请中使用的例如前、后、上、下、左、右、顶、底、正、背、水平、垂直等表示方位的术语仅仅是为了便于说明，用以帮助对相对位置或方向的理解，并非旨在限制任何装置或结构的取向。
[0019]为了说明本专利技术所述的技术方案，下面将参考附图并结合实施例来进行说明。
[0020]在本申请中，晶圆（wafer）也称为晶片、硅片、基片或基板（substrate）等，其含义和实际作用等同。
[0021]图1示出了本申请一实施例的磨削系统1的一部分的立体图，所示磨削系统1包括：工作台10，用于支承多个吸盘转台11；吸盘转台11，用于保持晶圆并带动晶圆旋转；磨削工具20，用于对晶圆进行磨削减薄处理；厚度测量装置30，用于测量晶圆厚度以获取晶圆的磨削面形；传感器组件，设置在吸盘转台11内，用于采集磨削参数，磨削参数为磨削温度和/或磨削力；控制装置，用于实现磨削参数调整。
[0022]图1中示出了工作台10，工作台10可绕其竖向中轴线旋转，其内部设置有驱动装置、支撑轴系等结构。工作台10上设置有三个用于保持晶圆W的可单独旋转的吸盘转台11。吸盘转台11用于载置晶圆W。
[0023]图1中示出了磨削工具20，磨削工具20包括用于对晶圆W进行粗磨削的粗磨部和用于对晶圆W进行精磨削的精磨部。
[0024]如图1所示，三个吸盘转台11的位置分别对应三个工位，即粗磨工位、精磨工位和装卸工位，其中相对砂轮的两个工位分别用于进行粗磨削和精磨削，剩下一个工位用于晶圆W的装卸和清洗。通过工作台10的旋转可带动三个吸盘转台11在这三个工位间切换，以实现吸盘转台11载着晶圆按照装卸工位—粗本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超精密磨削参数调整方法，其特征在于，包括：在磨削过程中，实时获取磨削参数的实测值，所述磨削参数为磨削温度和/或磨削力；根据磨削参数的实测值和可行域，计算磨削参数的调整量；利用磨削参数的调整量，根据磨削参数与加工参数的对应关系，计算加工参数的调整量，其中，加工参数包括晶圆转速、砂轮转速和砂轮进给速度中的至少一个。2.如权利要求1所述的超精密磨削参数调整方法，其特征在于，在获取实测值之前，所述方法还包括：设置不同的加工参数进行磨削，采集磨削参数，并测量磨削后的晶圆TTV；拟合磨削参数与晶圆TTV的对应关系；设定晶圆TTV的阈值，根据磨削参数与晶圆TTV的对应关系，确定磨削参数的可行域；拟合磨削参数与加工参数的对应关系。3.如权利要求2所述的超精密磨削参数调整方法，其特征在于，利用四次多项式拟合磨削参数与晶圆TTV的对应关系，具体包括：削参数与晶圆TTV的对应关系，具体包括：其中，为磨削温度，为系数，为磨削力，为系数。4.如权利要求2所述的超精密磨削参数调整方法，其特征在于，利用指数模型拟合磨削参数与加工参数的对应关系，具体包括：参数与加工参数的对应关系，具体包括：其中，为磨削温度，为磨削力，为晶圆转速，为砂轮转速，为砂轮进给速度，为系数，为系数。5.如权利要求1所述的超精密磨削参数调整方法，其特征在于，根据以下算式，计算磨削参数的调整量：削...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘远航，陶红飞，赵德文，路新春，
申请(专利权)人：华海清科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：