本发明专利技术涉及硅片冷却技术领域，具体而言，涉及一种光刻设备中的硅片承载装置。光刻设备中的硅片承载装置包括承载体，承载体的内部开设有水道，水道具有依次连通的前端水道段、中部水道段和后端水道段；前端水道段由靠近承载体的边缘的部位延伸至承载体的中部，前端水道段的靠近承载体的边缘的一端为冷却液入口，前端水道段的另一端与中部水道段的一端连通，中部水道段的另一端与后端水道段的一端连通，后端水道段的另一端为冷却液出口，后端水道段环绕在中部水道段的外围；前端水道段内设置有第一隔档条，第一隔档条沿前端水道段的延伸方向设置，第一隔档条用于将前端水道段分隔为至少两个第一分流通道。本发明专利技术提供的光刻设备中的硅片承载装置，不易变形，且温度均衡，便于提高硅片的曝光质量。硅片的曝光质量。硅片的曝光质量。
【技术实现步骤摘要】
一种光刻设备中的硅片承载装置
[0001]本专利技术涉及硅片冷却
，具体而言，涉及一种光刻设备中的硅片承载装置。
技术介绍
[0002]光刻设备中的硅片承载装置属于超精密光刻设备中的重要部件，是直接影响光刻机的成形对象
‑
硅片曝光成功与否的关键因素。
[0003]目前，对硅片进行冷却的承载装置有外接冷却系统与内置冷却系统两种，对于光刻设备应用中，涉及到空间及精度要求，目前，更多是采用内置冷却水路，通过往内置冷却水路中通入冷却液，实现对置于光刻设备中的硅片承载装置上的硅片进行冷却的效果。然而，现有的光刻设备中的硅片承载装置中的冷却水路，温度不均衡，容易导致硅片存在曝光质量缺陷或有报废的风险。
[0004]综上，如何克服现有的光刻设备中的硅片承载装置的上述缺陷是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
[0005]本专利技术的目的在于提供一种光刻设备中的硅片承载装置，以缓解现有技术中的光刻设备中的硅片承载装置存在的温度不均衡的技术问题。
[0006]本专利技术提供的光刻设备中的硅片承载装置，包括承载体，所述承载体的内部开设有水道，所述水道具有依次连通的前端水道段、中部水道段和后端水道段。
[0007]所述前端水道段由靠近所述承载体的边缘的部位延伸至所述承载体的中部，所述前端水道段的靠近所述承载体的边缘的一端为冷却液入口，所述前端水道段的另一端与所述中部水道段的一端连通，所述中部水道段的另一端与所述后端水道段的一端连通，所述后端水道段的另一端为冷却液出口，所述后端水道段环绕在所述中部水道段的外围。
[0008]所述前端水道段内设置有第一隔档条，所述第一隔档条沿所述前端水道段的延伸方向设置，所述第一隔档条用于将所述前端水道段分隔为至少两个第一分流通道。
[0009]优选地，作为一种可实施方式，所述第一隔档条用于将所述前端水道段分隔为横截面积相等的两个所述第一分流通道；
[0010]和/或，各个所述第一分流通道的横截面积的总和，与所述中部水道段的横截面积的比值范围为0.8
‑
1。
[0011]优选地，作为一种可实施方式，所述承载体为一体成型结构，和/或，所述承载体的材质为碳化硅、氧化铝或氮化硅，和/或，所述冷却液出口靠近所述冷却液入口设置，和/或，所述水道的体积与所述承载体的体积的比值范围为3％
‑
10％。
[0012]优选地，作为一种可实施方式，所述中部水道段包括若干圈环形水道段，所述环形水道段对应的环形均具有开口，形成两个端部；最内圈的所述环形水道段与所述前端水道段连通，各圈所述环形水道段通过两个开口端由内而外依次连通，最外圈的所述环形水道段与所述后端水道段连通。
[0013]优选地，作为一种可实施方式，所述前端水道段的靠近两端的部位为弧形水道，中间部位为直线水道，所述弧形水道与所述直线水道平滑过渡；
[0014]和/或，最内圈的所述环形水道段的进液端与所述前端水道段的出液端相切；
[0015]优选地，作为一种可实施方式，相邻两圈所述环形水道段的开口端通过第一弧形过渡段连通；
[0016]和/或，最外圈的所述环形水道段与所述后端水道段通过第二弧形过渡段连通；
[0017]和/或，所述后端水道段的轨迹为环形。
[0018]优选地，作为一种可实施方式，所述第一弧形过渡段的横截面积与所述环形水道段的横截面积的差值大于零，所述第二弧形过渡段的横截面积与所述环形水道段的横截面积的差值大于零。
[0019]优选地，作为一种可实施方式，所述前端水道段、所述环形水道段和所述后端水道段的供流体通过的横截面积均相等。
[0020]优选地，作为一种可实施方式，最外圈的所述环形水道段内设置有第二隔档条，所述第二隔档条沿所述环形水道段的延伸方向设置，所述第二隔档条用于将最外圈的所述环形水道段分隔为至少两个第二分流通道。
[0021]优选地，作为一种可实施方式，相邻两圈所述环形水道段的间距为第一间距，最外圈的所述环形水道段与所述后端水道段的间距为第二间距，任意两个所述第一间距的差值的绝对值均大于零，任意一个所述第一间距与所述第二间距的差值的绝对值均大于零。
[0022]与现有技术相比，本专利技术的有益效果在于：
[0023]本专利技术提供的光刻设备中的硅片承载装置，在承载体的内部开设水道，更加符合光刻设备应用中对空间及精度的要求。
[0024]需要说明的是，外部冷却液由水道的冷却液入口刚进入前端水道段内时，流速较快，第一隔档条的设置，对流入的冷却液进行阻挡，同时能够加强承载体的前端水道段处的刚度，进而，缓解因水流冲击引起的该处结构变形的问题，从而，减小硅片的局部面型变化，提高硅片的曝光质量。此外，冷却液入口处的水流较快，将其设置在靠近承载体边缘的部位，不易导致承载体变形，间接地，也会缓解硅片的局部面型变化的问题，便于提高硅片的面型精度，从而，提高硅片的曝光质量。
[0025]特别地，将冷却液入口设置在靠近承载体的边缘的部位，相对于设置在中间部位而言，对温度场的影响较小；相应地，处于外围的后端水道段的端部冷却液出口，当然也会靠近承载体的边缘，对温度场的影响也较小，从而，承载体的各个部位温度较均衡，可保证硅片下表面温度均衡，进而，置于承载体上的硅片便不易引起局部面型变化。
[0026]此外，利用前端水道段将从边缘部位的冷却液入口流入的冷却液率先导向承载体的中部，再使其沿中部水道段流向外围的后端水道段，如此，硅片可获得较佳的冷却效果，便于提高硅片的曝光质量。
附图说明
[0027]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据
提供的附图获得其他的附图。
[0028]图1为本专利技术实施例提供的承载体的水道布局图；
[0029]图2为本专利技术实施例提供的承载有硅片的承载体的剖视图。
[0030]附图标记说明：
[0031]100
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承载体；110
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前端水道段；111
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冷却液入口；112
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第一隔档条；113
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第一分流通道；120
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环形水道段；121
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第二隔档条；122
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第二分流通道；130
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后端水道段；131
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冷却液出口；140
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第一弧形过渡段；150
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第二弧形过渡段；
[0032]200
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硅片。
具体实施方式
[0033]下面将结合附图对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种光刻设备中的硅片承载装置，其特征在于，包括承载体(100)，所述承载体(100)的内部开设有水道，所述水道具有依次连通的前端水道段(110)、中部水道段和后端水道段(130)；所述前端水道段(110)由靠近所述承载体(100)的边缘的部位延伸至所述承载体(100)的中部，所述前端水道段(110)的靠近所述承载体(100)的边缘的一端为冷却液入口(111)，所述前端水道段(110)的另一端与所述中部水道段的一端连通，所述中部水道段的另一端与所述后端水道段(130)的一端连通，所述后端水道段(130)的另一端为冷却液出口(131)，所述后端水道段(130)环绕在所述中部水道段的外围；所述前端水道段(110)内设置有第一隔档条(112)，所述第一隔档条(112)沿所述前端水道段(110)的延伸方向设置，所述第一隔档条(112)用于将所述前端水道段(110)分隔为至少两个第一分流通道(113)。2.根据权利要求1所述的光刻设备中的硅片承载装置，其特征在于，所述第一隔档条(112)用于将所述前端水道段(110)分隔为横截面积相等的两个所述第一分流通道(113)；和/或，各个所述第一分流通道(113)的横截面积的总和，与所述中部水道段的横截面积的比值范围为0.8
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1。3.根据权利要求1所述的光刻设备中的硅片承载装置，其特征在于，所述承载体(100)为一体成型结构；和/或，所述承载体(100)的材质为碳化硅、氧化铝或氮化硅；和/或，所述冷却液出口(131)靠近所述冷却液入口(111)设置；和/或，所述水道的体积与所述承载体(100)的体积的比值范围为3％
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10％。4.根据权利要求1
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3任一项所述的光刻设备中的硅片承载装置，其特征在于，所述中部水道段包括若干圈环形水道段(120)，所述环形水道段(120)对应的环形均具有开口，形成两个端部；最内圈的所述环形水道段(120)与所述前...
【专利技术属性】
技术研发人员：王军，张利，朱啸爽，
申请(专利权)人：北京华卓精科科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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