提升触摸屏高膜厚二氧化硅镀膜效率的工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种提升触摸屏高膜厚二氧化硅镀膜效率的工艺，通过在真空镀膜设备的第一镀膜室、第二镀膜室和第三镀膜室中分别设置第一对SI靶、第二对SI靶和第三对SI靶，将第一镀膜室和第二镀膜室中通入的氧气的流量设置为恒定值，由成膜机程序控制进入；第三镀膜室由气体反应控制器控制进入第三镀膜室中的氧气的流量，将气体反应控制器的取值电压设置为恒定值。本发明专利技术的提升触摸屏高膜厚二氧化硅镀膜效率的工艺，可以提高生产效率，使制损率降低，同时电压、膜层品质稳定。膜层品质稳定。膜层品质稳定。

【技术实现步骤摘要】
提升触摸屏高膜厚二氧化硅镀膜效率的工艺


[0001]本专利技术属于触摸屏生产工艺
，具体地说，本专利技术提供了一种提升触摸屏高膜厚二氧化硅镀膜效率的工艺。

技术介绍

[0002]触摸屏作为一种最新的电脑输入设备，它是简单、方便、自然的一种人机交互方式。其中以电容屏最为活跃，电容屏是利用人体的电流感应进行工作的，在玻璃表面贴上一层透明的特殊金属导电物质，当有导电物体触碰时，就会改变触点的电容，从而可以探测出触摸的位置。
[0003]电容屏中OGS(One glass solution)产品因其成本低成为热门，但良率一直较低，主要不良为静电击伤。经过设计优化，在触摸屏的ITO膜层下设置一层OC绝缘层或ITO膜层上镀一层SIO2(二氧化硅镀)膜层，OC绝缘层位于BM层上，可以解决此异常提升良率。但是对SIO2膜层的膜厚要求较高，SIO2膜层的膜厚要求达到800
±
100A。同时生产时需降低镀膜速度为0.6m/min。主要是由于现有设备能力不足且BM和OC材料会逸出杂气引起电压不稳定，进而导致镀膜传动速度慢，溅镀功率大，制损率高，生产效率低，生产成本较高。

技术实现思路

[0004]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术提供一种提升触摸屏高膜厚二氧化硅镀膜效率的工艺，目的是提高生产效率。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术采取的技术方案为：提升触摸屏高膜厚二氧化硅镀膜效率的工艺，通过在真空镀膜设备的第一镀膜室、第二镀膜室和第三镀膜室中分别设置第一对SI靶、第二对SI靶和第三对SI靶，将第一镀膜室和第二镀膜室中通入的氧气的流量设置为恒定值，并由气体反应控制器控制进入第三镀膜室中的氧气的流量，将气体反应控制器的电压设置为恒定值。
[0006]所述第一镀膜室、第二镀膜室和第三镀膜室为依次布置。
[0007]所述第一镀膜室中设置第一靶材箱体，所述第一对SI靶设置于第一靶材箱体内所述第二镀膜室中设置第二靶材箱体，所述第二对SI靶设置于第二靶材箱体内；所述第三镀膜室中设置第三靶材箱体，所述第三对SI靶设置于第三靶材箱体内；所述第三镀膜室设置气体反应控制器，所述气体反应控制器设置于第三镀膜室外部顶上。
[0008]通过设置多个氧气管道向第一镀膜室、第二镀膜室和第三镀膜室中通入氧气，并设置流量计监测氧气管道的氧气流量。
[0009]所述氧气管道设置三个，三个氧气管道分别为第一氧气管道、第二氧气管道和第三氧气管道，设置第一流量计监测第一氧气管道的氧气流量，设置第二流量计监测第二氧气管道的氧气流量，设置第三流量计监测第三氧气管道的氧气流量。
[0010]通过设置多个氮气管道向第一镀膜室中通入氮气，并设置流量计监测氮气管道的氮气流量。
[0011]所述氮气管道设置三个，三个氮气管道分别为第一氮气管道、第二氮气管道和第三氮气管道，设置第四流量计监测第一氮气管道的氮气流量，设置第五流量计监测第氮气管道的氮气流量，设置第六流量计监测第三氮气管道的氮气流量。
[0012]所述第一镀膜室中通入的氧气的流量大于所述第二镀膜室中通入的氧气的流量，所述第二镀膜室中通入的氧气的流量大于所述第三镀膜室中通入的氧气的流量。
[0013]所述第一镀膜室中通入的Ar气的流量与所述第二镀膜室和所述第三镀膜室中通入的Ar气的流量相同。
[0014]所述第一对SI靶的电源设定功率与所述第二对SI靶的电源设定功率相同，且大于所述第三对SI靶的电源设定功率。
[0015]本专利技术的提升触摸屏高膜厚二氧化硅镀膜效率的工艺，可以提高生产效率，使制损率降低，同时电压、膜层品质稳定。
附图说明
[0016]本说明书包括以下附图，所示内容分别是：
[0017]图1是镀膜腔体的布置示意图；
[0018]图2是第一对SI靶处的布置示意图；
[0019]图3是第二对SI靶处的布置示意图；
[0020]图4是第三对SI靶处的布置示意图；
[0021]图中标记为：
[0022]1、第一对SI靶；2、第二对SI靶；3、第三对SI靶；4、进口室；5、第一缓冲室；6、第一过渡室；7、第一镀膜室；8、第二镀膜室；9、第三镀膜室；10、第二过渡室；11、第二缓冲室；12、出口室；13、气体反应控制器；14、第一靶材箱体；15、第一氧气管道；16、第二氧气管道；17、第三氧气管道；18、第一氮气管道；19、第二氮气管道；20、第三氮气管道；21、第一流量计；22、第二流量计；23、第三流量计；24、第四流量计；25、第五流量计；26、第六流量计；27、第二靶材箱体；28、第四氧气管道；29、第四氮气管道；30、第五氧气管道；31、第五氮气管道；32、第三靶材箱体。
具体实施方式
[0023]下面对照附图，通过对实施例的描述，对本专利技术的具体实施方式作进一步详细的说明，目的是帮助本领域的技术人员对本专利技术的构思、技术方案有更完整、准确和深入的理解，并有助于其实施。
[0024]需要说明的是，在下述的实施方式中，所述的“第一”、“第二”和“第三”并不代表结构和/或功能上的绝对区分关系，也不代表先后的执行顺序，而仅仅是为了描述的方便。
[0025]如图1所示，本专利技术提供了一种提升触摸屏高膜厚二氧化硅镀膜效率的工艺，通过在真空镀膜设备的第一镀膜室7、第二镀膜室8和第三镀膜室9中分别设置第一对SI靶1、第二对SI靶2和第三对SI靶3，将第一镀膜室7和第二镀膜室8中通入的氧气的流量设置为恒定值，并由气体反应控制器13控制进入第三镀膜室9中的氧气的流量，将气体反应控制器13的电压设置为恒定值。
[0026]具体地说，触摸屏包括玻璃基板、设置于玻璃层上的BM层、设置于BM层上的OC层、
设置于OC层上的IM膜层、设置于IM膜层上的ITO膜层、设置于ITO膜层上的Metal膜层、设置于Metal膜层上的SIO2膜层和设置于SIO2膜层上的Passivation层。为达到改善BM&OC材料逸出杂气引起的电压不稳定，提升镀膜速度，达到生产效率进一步提升的目的，本专利技术对镀膜腔体进行了改造，并调整了镀膜工艺参数。
[0027]如图1至图4所示，真空镀膜设备的镀膜腔体内依次设置进口室4、第一缓冲室5、第一过渡室6、第一镀膜室7、第二镀膜室8、第三镀膜室9、第二过渡室10、第二缓冲室11和出口室12，第一镀膜室7、第二镀膜室8和第三镀膜室9为依次布置。第一镀膜室7中设置第一靶材箱体14，第一对SI靶1设置于第一靶材箱体14内，第一对SI靶1包括两个SI靶材，第一靶材箱体14外部氧气管道与氮气管道对调。第二镀膜室8中设置第二靶材箱体27，第二对SI靶2设置于第二靶材箱体27内，第二对SI靶2包括两个SI靶材。第三镀膜室9中设置第三靶材箱体32，第三对SI靶3设置于第三靶材箱体32内，第三对SI靶3包括两个SI靶材。
[0028]通过设置多个氧气管道向第一镀膜室7中通入氧气，并设置流量计监测氧本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.提升触摸屏高膜厚二氧化硅镀膜效率的工艺，其特征在于，通过在真空镀膜设备的第一镀膜室、第二镀膜室和第三镀膜室中分别设置第一对SI靶、第二对SI靶和第三对SI靶，将第一镀膜室和第二镀膜室中通入的氧气的流量设置为恒定值，并由气体反应控制器控制进入第三镀膜室中的氧气的流量，将气体反应控制器的电压设置为恒定值。2.根据权利要求1所述的提升触摸屏高膜厚二氧化硅镀膜效率的工艺，其特征在于，所述第一镀膜室、第二镀膜室和第三镀膜室为依次布置。3.根据权利要求1所述的提升触摸屏高膜厚二氧化硅镀膜效率的工艺，其特征在于，所述第一镀膜室中设置第一靶材箱体，所述第一对SI靶设置于第一靶材箱体内；所述第二镀膜室中设置第二靶材箱体，所述第二对SI靶设置于第二靶材箱体内；所述第三镀膜室中设置第三靶材箱体，所述第三对SI靶设置于第三靶材箱体内；所述第三镀膜室设置气体反应控制器，所述气体反应控制器设置于第三镀膜室外部顶上。4.根据权利要求3所述的提升触摸屏高膜厚二氧化硅镀膜效率的工艺，其特征在于，通过设置多个氧气管道向第一镀膜室、第二镀膜室和第三镀膜室中通入氧气，并设置流量计监测氧气管道的氧气流量。5.根据权利要求4所述的提升触摸屏高膜厚二氧化硅镀膜效率的工艺，其特征在于，所述氧气管道设置三个，三个氧气管道分别为第一氧气管道、第二氧气管道和第三氧气管道，设置第...

【专利技术属性】
技术研发人员：张杨，陈浩浩，郑建军，余志辉，钟素文，余伟平，
申请(专利权)人：芜湖长信科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：