【技术实现步骤摘要】
一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法
[0001]本专利技术涉及半导体器件
,具体涉及一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法。
技术介绍
[0002]绝缘栅双极晶体管作为一种新型电力电子器件,由于它具有输入阻抗高、驱动电路简单、通态压降低、安全工作区宽、电流处理能力强、热稳定性强等优点,且具有简洁、低成本、栅驱动电路易于集成的优势。
[0003]绝缘栅双极晶体管是在功率金属
‑
氧化物半导体场效应晶体管结构的基础上发展起来,相比之下,其具有更大的电流密度,更低的功率损耗,并且绝缘栅双极晶体管内部没有寄生的反向二极管,这使得绝缘栅双极晶体管的效率更高,应用更灵活。
[0004]目前高压绝缘栅双极晶体管不断向高电压大电流的领域发展,随着绝缘栅双极晶体管功率密度的提高,如何提升绝缘栅双极晶体管的工作结温成为高压大功率绝缘栅双极晶体管研发的重要课题。目前平面场截止型绝缘栅双极晶体管仍然为高压大功率绝缘栅双极晶体管的主流设计结构,与之相对的沟槽型绝缘栅双极晶体管结构由于制造工艺复杂,在高压大功率器件领域其实 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种绝缘栅双极晶体管,其特征在于,包括:漂移层;阱区,位于所述漂移层内,所述阱区的部分底部表面为凹陷区,所述凹陷区朝向阱区内凹进;源区,位于所述阱区内;载流子存储区,所述载流子存储区的导电类型与所述阱区的导电类型相反,所述载流子存储区的掺杂浓度大于所述漂移层的掺杂浓度,所述载流子存储区围绕所述阱区的侧面且暴露所述凹陷区,所述凹陷区与所述漂移层接触。2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管,其特征在于,所述阱区的底部表面包括凸起区,所述凸起区朝向所述漂移层凸出,所述凸起区包围所述凹陷区;所述载流子存储区的底点至所述载流子存储区的顶点之间的纵向距离小于或等于所述凸起区的顶点至所述阱区的上表面的距离。3.根据权利要求2所述的绝缘栅双极晶体管,其特征在于,所述载流子存储区的底点至载流子存储区的顶点之间的纵向距离为所述凸起区的顶点至所述阱区的上表面的距离的80%~100%。4.根据权利要求2所述的绝缘栅双极晶体管,其特征在于,所述凹陷区的底点至所述阱区的上表面的距离为所述凸起区的顶点至所述阱区的上表面的距离的60%~90%。5.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管,其特征在于,所述载流子存储区的掺杂浓度比所述漂移层的掺杂浓度高1~3个数量级。6.根据权利要求5所述的绝缘栅双极晶体管,其特征在于,所述漂移层的掺杂浓度为1*10
12
atom*cm
‑3~1*10
14
atom*cm
‑3,所述载流子存储区的掺杂浓度为2.5*10
15
atom*cm
‑3~3.5*10
15
atom*cm
‑3。7.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管,其特征在于,所述阱区的掺杂浓度为4.5*10
17
atom*cm
‑3~5.5*10
17
atom*cm
‑3。8.根据权利要求1~7任一项所述的绝缘栅双极晶体管,其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员:聂瑞芬,李翠,刘江,金锐,王耀华,王鑫,金雨楠,
申请(专利权)人:国家电网有限公司国网安徽省电力有限公司电力科学研究院,
类型:发明
国别省市:
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