一种光电探测器的制造方法技术

本发明专利技术提供一种光电探测器的制造方法。其包括提供衬底；衬底包括具有第一导电类型的衬底本体及位于衬底本体一侧的绝缘层；衬底本体设有朝向绝缘层的具有第一导电类型的第一注入区及具有第二导电类型的第二注入区，第一注入区的掺杂浓度及第二注入区的掺杂浓度均大于衬底本体的掺杂浓度；绝缘层上形成有暴露第一注入区的第一凹槽和暴露第二注入区的第二凹槽；在第一凹槽和第二凹槽及绝缘层背离衬底本体的表面形成第一金属层；在第一金属层的表面形成第二金属层；去除部分层叠的第一金属层和第二金属层，形成分别与第一注入区、第二注入区电性连接的第一金属连接线、第二金属连接线；在电极线背离衬底的一侧形成第一、二外连接键。接键。接键。

【技术实现步骤摘要】
一种光电探测器的制造方法


[0001]本专利技术属于半导体领域，尤其涉及一种光电探测器的制造方法。

技术介绍

[0002]背照式光电二极管相比传统的前照式光电二极管探测器在阵列模块应用中具有贴装可靠性高，像素间距小、易于拼接，串扰小以及一致性好等优势。背照式光电探测器包括多个阵列排布的背照式光电二极管。当前，在对背照式光电探测器封装时需要植入金属球，以实现内部电极线与外界的电气连接。最常见的是植入锡球。背照式光电探测器其电极线通常采用金属铝材质，其与金属锡的结合性不好，锡球与电极线接触不牢。
[0003]相关技术中，会在二者之间设置一层与二者均有较好粘合性的金属粘合层。并且该金属粘合层会在钝化层上形成用植入金属球的开孔后形成覆盖整个钝化层和开孔的金属粘合层，再去除开孔以外区域的金属粘合层，而后才能植球，制备工序负复杂，不利于光电探测器制备成本的控制。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种光电探测器的制造方法，其包括：
[0005]提供衬底；所述衬底包括具有第一导电类型的衬底本体及位于所述衬底本体一侧的绝缘本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光电探测器的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底；所述衬底包括具有第一导电类型的衬底本体及位于所述衬底本体一侧的绝缘层；所述衬底本体设有朝向所述绝缘层的具有第一导电类型的第一注入区及具有第二导电类型的第二注入区，所述第一注入区的掺杂浓度及所述第二注入区的掺杂浓度均大于所述衬底本体的掺杂浓度；所述绝缘层上形成有暴露所述第一注入区的第一凹槽和暴露所述第二注入区的第二凹槽；在所述第一凹槽和第二凹槽及所述绝缘层背离所述衬底本体的表面形成第一金属层；在所述第一金属层的表面形成第二金属层；去除部分层叠的第一金属层和第二金属层，形成分别与所述第一注入区、所述第二注入区电性连接的第一金属连接线、第二金属连接线；形成第一外连接键和第二外连接键，其中，所述第一外连接键与所述第一金属连接线电性连接，所述第二外连接键与所述第二金属连接线电性连接。2.如权利要求1所述的光电探测器的制造方法，其特征在于，采用刻蚀的方法去除部分层叠的第一金属层和第二金属层。3.如权利要求2所述的光电探测器的制造方法，其特征在于，所述采用刻蚀的方法去除部分层叠的第一金属层和第二金属层包括：在所述第二金属层的表面设置第一图形化保护层；对自所述第一图形化保护层外露的第二金属层进行刻蚀，以及对与所述第二金属层的外露部分所对应的第一金属层进行刻蚀，形成所述第一金属连接线及所述第二金属连接线。4.如权利要求3所述的光电探测器的制造方法，其特征在于，所述在所述第二金属层的表面设置第一图形化保护层包括：在所述第二金属层的表面形成光刻胶层；在所述光刻胶层表面设置图形化光刻版并进行曝光，形成所述第一图形化保护层。5.如权利要求3所述的光电探测器的制造方法，其特征在于，在形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄垒，王荣，郑山，龙婧，
申请(专利权)人：杭州海康威视数字技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：