一种高海拔规范化有机种植霍山石斛的方法技术

本发明专利技术公开了一种高海拔规范化有机种植霍山石斛的方法，其选择海拔大于1000米且小于等于1500m，春季、夏季和秋季日照时间均不低于8小时的区域作为种植地；并在大棚两侧设置防虫网和薄膜，控制高温和越冬管理过程，使霍山石斛在高海拔地区进行了种植，且病虫害发生率低，无化学农药肥料，有机种植，安全，高海拔种植，昼夜温差大，霍山石斛抗逆性强，产品品质好。好。好。

【技术实现步骤摘要】
一种高海拔规范化有机种植霍山石斛的方法


[0001]本专利技术涉及种植
，具体涉及一种高海拔规范化有机种植霍山石斛的方法。

技术介绍

[0002]霍山石斛具有清音明目、养胃清热、增强免疫和抗御肿瘤的功效。随着霍山石斛需求量的增大和野生资源的减少，人工种植霍山石斛产业迅速发展，种植规模日益扩大，但是霍山石斛对生长环境要求极高，地方标准上显示，霍山石斛最佳种植海拔区间在300
‑
900m，基本没有超过900m，大多数在海拔600m以下，在这种人工控制的温湿度、光照条件下，其病虫害发生率高，导致农残也高，同时昼夜温差较低，种植的霍山石斛品质欠佳。公开号为CN105612989A的中国专利申请文献中公开了一种高海拔种植霍山石斛的方法，其选择通风良好的阔叶林疏林地，海拔600
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800m作为种植场地，充分利用高海拔地区的林地，但是其海拔仅为600
‑
800m，昼夜温差仍不是很大。

技术实现思路

[0003]本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种高海拔种植霍山石斛的方法。
[0004]本专利技术通过以下技术手段实现解决上述技术问题：
[0005]一种高海拔规范化有机种植霍山石斛的方法，包括以下步骤：
[0006]A、海拔及位置选择
[0007]选择海拔大于1000米且小于等于1500m，春季、夏季和秋季日照时间均不低于8小时的区域作为种植地；
[0008]B、基础设施建设
[0009](1)整地建棚：对选择的种植地进行整理，并在整理后的种植地上搭建大棚，并在相邻两大棚间开挖排水沟；其中，所述大棚的两肩部分别设有纵向的腰部卡槽，所述腰部卡槽正下方设有纵向的底部卡槽，在大棚两腰部卡槽以上的顶部范围内覆盖薄膜；在所述腰部卡槽与所述底部卡槽之间安装防虫网，在所述防虫网外覆盖一层薄膜一直延伸到大棚底部，所述薄膜下端安装卷膜器，能将薄膜卷起卡到腰部卡槽位置进行通风，需要保温时放到大棚底部；
[0010](2)喷灌安装：在大棚纵梁下方纵向安装支撑件，使所述支撑件的高度与所述腰部卡槽的高度一致；在所述支撑件上安装微喷吊喷；
[0011](3)铺设园艺地布：在地面上全棚铺设园艺地布；
[0012](4)苗床搭建：沿大棚纵向方向，在所述微喷吊喷的正下方搭建苗床；
[0013](5)基质铺设：先铺设一层铺设厚度为5cm、直径不超过5cm的松树皮或树心碎块，再铺设一层铺设厚度为5cm的树心锯末或直径不超过2cm的松树皮；
[0014]C、栽种
[0015]种植时间为3
‑
6月；在3月份种植时，在棚内支撑件上方全棚拉上拉毛布，下午5点
后放下大棚两边的薄膜进行保温，早上棚内气温超过28摄氏度时拉开两边的薄膜进行透风；栽种时4
‑
6株种苗为一丛，按照行间距10cm
×
10cm间距进行种植；
[0016]D、日常养护
[0017](1)浇水：在春季发芽的季节，每天对叶面进行多次喷雾补水，每次喷雾补水的时间不超过2min；当基质上面3cm深处湿度下降至60％以下时浇透水；在夏季时，每次浇水截止时间不超过上午11点；
[0018](2)施肥：在栽种后的第2个月，采用发酵后的羊粪作为肥料，按每亩苗床100kg/次施加；栽种后的第二年开始每年按每亩苗床20
‑
30kg/次的量施加三次发酵菜籽粕，其中施加时间分别为3月、6月、10月；
[0019](3)除草：采用人工除草的方式；
[0020]E、高温及越冬管理
[0021](1)高温预防：8月、9月进行高温预防，当苗床上方10
‑
50cm处的温度超过28摄氏度时，将大棚两边的薄膜卷起来；将薄膜卷起后，若棚内苗床上方10～50cm高度处的温度超过35摄氏度时，在棚顶加装遮阳网；加装遮阳网后，若棚内温度超过30摄氏度时，将浇水的次数改为10
‑
15天一次；
[0022](2)越冬管理：在11月
‑
次年3月，控制两边的薄膜，使薄膜白天卷起，夜间放下控制温度；10月开始控水，当最低温度高于0摄氏度低于10摄氏度时，每10
‑
15天浇水一次；当最低温度低于零下5摄氏度，至少提前1周停止浇水，并在霍山石斛上面覆盖拉毛布；当最低气温高于5摄氏度时掀开拉毛布，最低气温高于10摄氏度时，开始浇透水，进入日常管理；
[0023]F、开春管理
[0024]当最低气温均为零上时，开始进行开春管理，具体包括如下操作：浇透苗床基质控制湿度；展开棚内拉毛布，放下两边的薄膜确保棚内温度上升；当棚内苗床上方50cm高度处的温度超过30摄氏度时，打开棚头以及两侧薄膜通风；当苗床上方50cm高度处的温度处于20
‑
30℃之间时，每两天打开棚头和两边的薄膜通风一次，时间选择中午，每次通风时间半小时；当苗床上方50cm高处的温度低于20摄氏度时放下两边的薄膜并关闭棚头保温。
[0025]有益效果：选择了海拔大于1000米且小于等于1500m的地区作为种植地，昼夜温差大，病虫害发生率低；大棚两侧设置防虫网和薄膜，通过薄膜的卷起放下控制棚内的温度，使石斛正常生长，同时延长了石斛的生长期，积累更多的有效物质，并避免了大部分的病虫害；在支撑件上方覆盖拉毛布，拉毛布具有透气、吸水的特性，可以透散热气，夜间吸收冷凝水，保温可以让栽种时间提前15
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30天不等，且可以保证栽种石斛的成活率及发芽率，温度低会影响发芽时间，过低会发生冻害，能提前保温，可以刺激石斛春季的复苏，可以延迟生长期；本专利技术拉毛布覆盖的位置在喷灌管子的上面，和腰部卡槽高度等同，在冬天时不动拉毛布的情况下可以对苗子进行浇水补水；全棚铺设地布进行物理防治，覆盖部分3
‑
4年时间内99％不会长草；大棚顶部薄膜全覆盖，腰部加装防虫网，同时地面覆盖园艺地布；最大程度上减少了草的来源，在人工除草方面大量节约了人工；病虫害的发生多是因为高温高湿，高海拔地区昼夜温差大，在病害方面，像白娟病基本不会发生，而大棚顶部的薄膜，避免了雨水带来的病害来源；在虫害方面，霍山石斛主要是蜗牛和斜纹夜蛾的幼虫及稻飞虱，而在高海拔地区，没有田间稻谷等其他作物，避免了稻飞虱等一类虫害的来源，同时加装的防虫网避免了蛾类虫害的进入繁殖，高海拔的水源温度低，不适合蜗牛蛞蝓的繁殖，因此在高山
区很少见；在种植初期无需遮阳网，通过大棚两边的薄膜的卷放调节棚内温度，且不进行完全控水，而是进行了适当控水，让基质始终保持适当的水分；多种措施使本专利技术实现昼夜温差大，病虫害发生率低，品质好，生长期长的效果。
[0026]优选地，在大棚搭建过程中，所述腰部卡槽距离地面1.5m；所述底部卡槽距离地面0.1
‑
0.15m。
[0027]优选地，在大棚中间纵梁上安装落地支撑，落地支撑底部用砖块垫起。
[0028]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高海拔规范化有机种植霍山石斛的方法，其特征在于，包括以下步骤：A、海拔及位置选择选择海拔大于1000米且小于等于1500m，春季、夏季和秋季日照时间均不低于8小时的区域作为种植地；B、基础设施建设(1)整地建棚：对选择的种植地进行整理，并在整理后的种植地上搭建大棚，并在相邻两大棚间开挖排水沟；其中，所述大棚的两肩部分别设有纵向的腰部卡槽，所述腰部卡槽正下方设有纵向的底部卡槽，在大棚两腰部卡槽以上的顶部范围内覆盖薄膜；在所述腰部卡槽与所述底部卡槽之间安装防虫网，在所述防虫网外覆盖一层薄膜一直延伸到大棚底部，所述薄膜下端安装卷膜器，能将薄膜卷起卡到腰部卡槽位置进行通风，需要保温时放到大棚底部；(2)喷灌安装：在大棚纵梁下方纵向安装支撑件，使所述支撑件的高度与所述腰部卡槽的高度一致；在所述支撑件上安装微喷吊喷；(3)铺设园艺地布：在地面上全棚铺设园艺地布；(4)苗床搭建：沿大棚纵向方向，在所述微喷吊喷的正下方搭建苗床；(5)基质铺设：先铺设一层铺设厚度为5cm、直径不超过5cm的松树皮或树心碎块，再铺设一层铺设厚度为5cm的树心锯末或直径不超过2cm的松树皮；C、栽种种植时间为3
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6月；在3月份种植时，在棚内支撑件上方全棚拉上拉毛布，下午5点后放下大棚两边的薄膜进行保温，早上棚内气温超过28摄氏度时拉开两边的薄膜进行透风；栽种时4
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6株种苗为一丛，按照行间距10cm
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10cm间距进行种植；D、日常养护(1)浇水：在春季发芽的季节，每天对叶面进行多次喷雾补水，每次喷雾补水的时间不超过2min；当基质上面3cm深处湿度下降至60％以下时浇透水；在夏季时，每次浇水截止时间不超过上午11点；(2)施肥：在栽种后的第2个月，采用发酵后的羊粪作为肥料，按每亩苗床100kg/次施加；栽种后的第二年开始每年按每亩苗床20
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30kg/次的量施加三次发酵菜籽粕，其中施加时间分别为3月、6月、10月；(3)除草：采用人工除草的方式；E、高温及越冬管理(1)高温预防：8月、9月进行高温预防，当苗床上方10
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50cm处的温度超过28摄氏度时，将大棚两边的薄膜卷起来；将薄膜卷起后，若棚内苗床上方10～50cm高度处的温度超过35摄氏度时，在棚顶加装遮阳网；加装遮阳网后，若棚内温度超过30摄氏度时，将浇水的次数改为10
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15天一次；(2)越冬管理：在11月
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次年3月，控制两边的薄膜，使薄膜白天卷起，夜间放下控制温度；10月开始控水，当最低温度高于0摄氏度低于...

【专利技术属性】
技术研发人员：王诗文，王秀松，万露露，
申请(专利权)人：六安岭上生态农业有限公司，
类型：发明
国别省市：