一种高稳定性的SOI硅压力传感器芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高稳定性的SOI硅压力传感器芯片，所述传感器芯片包括芯片本体和芯片壳体，芯片本体与芯片壳体通过紧固件相互固定安装，芯片本体的外表面上还设置有防水层，防水层的外表面上设置有耐磨层，耐磨层的外表面上还设置有耐腐蚀层，所述耐腐蚀层的外表面上还设置有超疏水纳米层，本实用新型专利技术构建多种性能涂层，包括防水层，防水层封闭型涂覆，对传感器芯片内部起到了全封闭防水的作用，防水层外层的耐磨层提升了芯片本身的耐磨性能，耐磨层外层的耐腐蚀层帮助提升了芯片本身的耐腐蚀性，耐腐蚀性外表面设置的超疏水纳米层，起到了对芯片本体的疏水效果，加上超疏水纳米层外层的散热层，解决了芯片本体表层积水的问题。的问题。的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种高稳定性的SOI硅压力传感器芯片


[0001]本专利技术属于半导体芯片领域，具体涉及一种高稳定性的SOI硅压力传感器芯片。

技术介绍

[0002]硅压阻式压力传感器在民用及国防中得到了广泛的应用，国内己有专门从事压力传感器生产的企业，创造出了突出的业绩。目前国内能够生产的压力传感器主要属低端和中端产品，生产数量很多，经济效益不明显。经过近十年的研究，现已突破了高端产品的技术瓶颈，研制出了高性能的压力传感器。该传感器采用压阻式工作原理，用SOl材料制作压力敏感元件,采用半导体平面工艺制作芯片，该传感器具有高精度、高稳定等特点，产品性能及可靠性均可达到了国外同类产品水平，但就目前的耐腐蚀耐磨防水性能还有待提高。

技术实现思路

[0003]为达到上述目的，本专利技术的技术方案如下：一种高稳定性的SOI硅压力传感器芯片，所述传感器芯片包括芯片本体和芯片壳体，芯片本体与芯片壳体通过紧固件相互固定安装，芯片本体的外表面上还设置有防水层，防水层的外表面上设置有耐磨层，耐磨层的外表面上还设置有耐腐蚀层，所述耐腐蚀层的外表面上还设置有超疏水纳米层。
[0004]基于上述技术方案，在本技术中所述的SOI硅压力传感器芯片上构建多种性能涂层，其中包括防水层，防水层封闭型涂覆，对传感器芯片内部起到了全封闭防水的作用，防水层外层的耐磨层提升了芯片本身的耐磨性能，耐磨层外层的耐腐蚀层帮助提升了芯片本身的耐腐蚀性，耐腐蚀性外表面设置的超疏水纳米层，起到了对芯片本体的疏水效果，加上超疏水纳米层外层的散热层，解决了芯片本体表层积水的问题。
[0005]作为本技术的一种改进，所述超疏水纳米层为碳化钛多孔网状纳米结构涂层，所述防水层为丙烯酸防水涂层，所述耐磨层为聚酯树脂层和酚醛树脂层，所述酚醛树脂层在所述聚酯树脂层的外表面，所述耐腐蚀层为过氯乙烯涂层、碳纤维层以及氯磺化聚乙烯涂层，所述过氯乙烯涂层的外表面设置的为所述碳纤维层，所述碳纤维层的外表面设置的为所述氯磺化聚乙烯涂层。
[0006]基于上述技术方案，防水层选用丙烯酸防水涂层，特别适用于薄壳轻型结构的防水处理，聚酯树脂层固化后硬度高作为耐磨层基底层，酚醛树脂因其高稳定性将其做为耐磨层的表层，耐腐蚀层选用的过氯乙烯涂层具有很强的耐候性和抗变形性，作为耐腐蚀层的基层，碳纤维层作为耐腐蚀层的中间层，氯磺化聚乙烯涂层作为耐腐蚀层的表层，三者结合能够较大程度提升芯片本体的耐腐蚀性。
[0007]作为本技术的一种改进，所述芯片本体的外表面还包括散热层，散热层设置在超疏水纳米层的外表面上，散热层具有多个散热凸部。
[0008]基于上述技术方案，散热层的作用为散热及透气。
[0009]作为本技术的一种改进，所述散热凸部形成于一个散热底板上，散热凸部的顶部可以与芯片壳体连接，也可以设置为与芯片壳体存在一定的空间距离，散热凸部和散
热凸部之间形成散热凹部，散热凸部与散热凹部整体形成波峰与波谷结构。
[0010]基于上述技术方案，散热凸部和散热凸部之间形成散热凹部，散热凸部与散热凹部整体形成波峰与波谷结构，形成对芯片结构内部空气流通，形成一定的导流作用。
[0011]作为本技术的一种改进，所述散热凸部为柔性注塑散热体。
[0012]基于上述技术方案，柔性注塑散热体，具体地，可以选用柔性硅胶材质的散热体。
[0013]作为本技术的一种改进，所述散热凸部为锥形状，散热凸部从底部至顶部直径逐渐变小。
[0014]基于上述技术方案，锥形状的散热凸部，顶部形成空气流通空间，形成散热空间，提升散热能力。
[0015]相对于现有技术,本专利技术的有益效果为：在本技术中所述的SOI硅压力传感器芯片上构建多种性能涂层，其中包括防水层，防水层封闭型涂覆，对传感器芯片内部起到了全封闭防水的作用，防水层外层的耐磨层提升了芯片本身的耐磨性能，耐磨层外层的耐腐蚀层帮助提升了芯片本身的耐腐蚀性，耐腐蚀性外表面设置的超疏水纳米层，起到了对芯片本体的疏水效果，加上超疏水纳米层外层的散热层，解决了芯片本体表层积水的问题，锥形状的散热凸部，顶部形成空气流通空间，形成散热空间，提升散热能力。
附图说明
[0016]图1为本技术中传感器芯片结构示意图。
[0017]图2为图1中A出放大图。
[0018]图3为本技术中散热层结构示意图。
[0019]附图标识列表：100
‑
芯片本体、101
‑
芯片壳体、102
‑
防水层、103
‑
耐磨层、104
‑
耐腐蚀层、105
‑
散热层、106
‑
散热底板、107
‑
散热凹部、108
‑
波峰、109
‑
波谷、110
‑
流通空间、111
‑
散热凸部。
具体实施方式
[0020]下面结合附图和具体实施方式，进一步阐明本专利技术，应理解下述具体实施方式仅用于说明本专利技术而不用于限制本专利技术的范围。
[0021]实施例：参阅图1至图3，一种高稳定性的SOI硅压力传感器芯片，所述传感器芯片包括芯片本体100和芯片壳体101，芯片本体100与芯片壳体101通过紧固件相互固定安装，芯片本体100的外表面上还设置有防水层102，防水层102的外表面上设置有耐磨层103，耐磨层103的外表面上还设置有耐腐蚀层104，所述耐腐蚀层104的外表面上还设置有超疏水纳米层，在本技术中所述的SOI硅压力传感器芯片上构建多种性能涂层，其中包括防水层102，防水层102封闭型涂覆，对传感器芯片内部起到了全封闭防水的作用，防水层102外层的耐磨层103提升了芯片本身的耐磨性能，耐磨层103外层的耐腐蚀层104帮助提升了芯片本身的耐腐蚀性，耐腐蚀性外表面设置的超疏水纳米层，起到了对芯片本体100的疏水效果，加上超疏水纳米层外层的散热层105，解决了芯片本体100表层积水的问题。
[0022]进一步地，所述超疏水纳米层为碳化钛多孔网状纳米结构涂层，所述防水层102为丙烯酸防水涂层，所述耐磨层103为聚酯树脂层和酚醛树脂层，所述酚醛树脂层在所述聚酯树脂层的外表面，所述耐腐蚀层104为过氯乙烯涂层、碳纤维层以及氯磺化聚乙烯涂层，所
述过氯乙烯涂层的外表面设置的为所述碳纤维层，所述碳纤维层的外表面设置的为所述氯磺化聚乙烯涂层，防水层102选用丙烯酸防水涂层，特别适用于薄壳轻型结构的防水处理，聚酯树脂层固化后硬度高作为耐磨层103基底层，酚醛树脂因其高稳定性将其做为耐磨层103的表层，耐腐蚀层104选用的过氯乙烯涂层具有很强的耐候性和抗变形性，作为耐腐蚀层104的基层，碳纤维层作为耐腐蚀层104的中间层，氯磺化聚乙烯涂层作为耐腐蚀层104的表层，三者结合能够较大程度提升芯片本体100的耐腐蚀性。
[0023]进一步地，所述芯片本体100的外表面还包括散热层105，散本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高稳定性的SOI硅压力传感器芯片，其特征在于，所述传感器芯片包括芯片本体（100）和芯片壳体（101），芯片本体（100）与芯片壳体（101）通过紧固件相互固定安装，芯片本体（100）的外表面上还设置有防水层（102），防水层（102）的外表面上设置有耐磨层（103），耐磨层（103）的外表面上还设置有耐腐蚀层（104），所述耐腐蚀层（104）的外表面上还设置有超疏水纳米层。2.根据权利要求1所述的一种高稳定性的SOI硅压力传感器芯片，其特征在于，所述超疏水纳米层为碳化钛多孔网状纳米结构涂层，所述防水层（102）为丙烯酸防水涂层，所述耐磨层（103）为聚酯树脂层和酚醛树脂层，所述酚醛树脂层在所述聚酯树脂层的外表面，所述腐蚀层为过氯乙烯涂层、碳纤维层以及氯磺化聚乙烯涂层，所述过氯乙烯涂层的外表面设置为所述碳纤维层，所述碳纤维层的外表面设置为所述氯磺化聚乙烯涂...

【专利技术属性】
技术研发人员：高国民，赵建兵，黄炜，田开芳，周岚生，牛孟霄，
申请(专利权)人：中化天康科技南京有限公司，
类型：新型
国别省市：