一种多引脚直插型二极管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种多引脚直插型二极管，属于基础电子元器件技术领域。具体包括二极管芯片、上散热块、下散热块、上电极和下电极；二极管芯片包括若干个平铺的二极管芯片单元，每个二极管芯片单元的上下表面分别覆盖连接有上散热块和下散热块；每个上散热块的外表面连接有上电极，每个下散热块的外表面连接有下电极；二极管芯片、上散热块、下散热块、上电极和下电极通过塑封体包裹，且上电极和下电极的部分外露以用于连接电路。本实用新型专利技术的直插型二极管适于批量化生产和制造；采用的多芯片及多散热块的结构，能够明显提升器件耐受浪涌的能力；可通过接通不同的引脚，使用时实现不同的功能及应用。同的功能及应用。同的功能及应用。

【技术实现步骤摘要】
一种多引脚直插型二极管


[0001]本技术涉及基础电子元器件
，尤其涉及一种多引脚直插型二极管。

技术介绍

[0002]传统半导体芯片的各种封装形态的贴片型保护元件功率都较小，最高也就八千瓦，耐浪涌电流冲击从几十安培到几百安培不等，而直插型元件可以达到几十千瓦甚至更高，耐电流可以达到几千安培甚至几十千安培。
[0003]目前瞬态二极管在电路中普遍都是单个元件保护单个电路，瞬态二极管作为浪涌二级防护使用。在当下设备都追求小型及轻量，电路板面积一再压缩的形态下，我们不仅可以考虑降低元件尺寸，还可以考虑一个元件多用，以减少元件的数量，达到整体小型化的目的。
[0004]瞬态二极管通流能力随温度升高而降低，传统的大功率半导体元器件普遍存在散热能力差，受到浪涌冲击，发热在元件内部累积，短时间无法散热，冲击后器件温度升高，以至器件耐受冲击能力降低，无法承受短时间多次大浪涌冲击等问题。市场对高性能大功率型器件需求以渐形成趋势。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于克服现有技术中的缺陷，并提供一种多引脚直插型二极管，该多本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多引脚直插型二极管，其特征在于，包括二极管芯片(8)、上散热块(901)、下散热块(902)、上电极(101)和下电极(102)；所述二极管芯片(8)包括若干个平铺的二极管芯片单元，每个二极管芯片单元的上下表面分别覆盖连接有上散热块(901)和下散热块(902)；每个上散热块(901)的外表面连接有上电极(101)，每个下散热块(902)的外表面连接有下电极(102)；每个二极管芯片单元对应的上电极(101)、上散热块(901)、下散热块(902)和下电极(102)均同轴堆叠连接；所述二极管芯片(8)、上散热块(901)、下散热块(902)、上电极(101)和下电极(102)通过塑封体(7)包裹，且上电极(101)和下电极(102)的部分外露以用于连接电路。2.根据权利要求1所述的一种多引脚直插型二极管，其特征在于，所述二极管芯片单元、上散热块(901)、下散热块(902)、上电极(101)和下电极(102)均通过焊料(2)焊接。3.根据权利要求2所述的一种多引脚直插型二极管，其特征在于，所述焊料(2)为铅锡银合金、锌锡银合金或导电胶中的一种。4.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：辛和彬，彭伟锦，刘家伟，莫尔荣，李汝铭，
申请(专利权)人：广东赛晶电子有限公司，
类型：新型
国别省市：