一种光伏魔芋大棚及其种植技术制造技术

技术编号:34930921 阅读:28 留言:0更新日期:2022-09-15 07:26
本发明专利技术涉及农业种植技术领域,公开了一种光伏魔芋大棚及其种植技术,包括采用光伏板、透明阳光板交错设置的大棚棚顶、设置于四周底部的承重底座和若干用于支撑大棚屋顶的承重架,集水斗的底面开设有下水孔,大棚内顶部及四周设置有活动遮阳网,承重底座的外壁底部设置有排水沟渠。本发明专利技术通过将魔芋种植于光伏大棚中,并以魔芋种植产业周期发展魔芋种植产业为前提,以产业周期繁殖良种为供给,魔芋生长旺盛,发病率低,球茎加工品质好,健康安全,且产率高,产量提高量为15

【技术实现步骤摘要】
一种光伏魔芋大棚及其种植技术


[0001]本专利技术涉及农业种植
,具体为一种光伏魔芋大棚及其种植技术。

技术介绍

[0002]由于魔芋生长周期长,生长规律独特之个性,魔芋种植、产业需要先有专业技术后职业化来完成。那首先必须技术统一,也就是依据魔芋的生长习性、生长周期,生长规律、种植周期、种植规律;制定魔芋种植模式、管理方法,统一魔芋种植区域及适合生长土质土壤选择、防病治病、水肥管理等技术;让魔芋在正常适宜生长的环境中生长为我们利用中为人类服务。
[0003]公开(公告)号:CN107087491A公开了一种魔芋种芋培育种植方法,包括以下步骤:选地、整地施肥、种植、产中管理和产后管理,本专利技术的有益效果是:能通过该种植方法培育出优良的种芋,进而才能得到高质量的商品芋和仔芋,形成良性循环,创造更高的经济效益。
[0004]公开(公告)号:CN105557240A公开了一种魔芋的种植方法,包括:S1:种植地的选择;S2:种植前处理:将饱满健康的魔芋种子和细土与农家肥粉末混合;S3:播种;S4:底肥:在移栽前进行施底肥,底肥包括农家肥和腐化肥,然后再进行移栽;S5:施肥:分别在植株拔高期、换头期以及魔芋生长膨大期进行施肥;S6:除草;S7:浇水:保持土壤湿润。该专利技术种植的魔芋生长旺盛,果实质量和口味好,健康安全,产率高,成本低,且绿色环保,能够大规模种植。
[0005]公开(公告)号:CN111869527A公开了一种魔芋种植的科学栽培方法,包括以下步骤:1)、适生区规划:一、在适生区,选择适生地,并选择适生土壤;西边荫坡地,夜潮土,河沟河沿田;东边河沟好田好地;大行距经济林下地;以农业秋收为期,进行土地流转;二、土地流转后,先进行耕地待种。本专利技术创建按以魔芋种植产业周期发展魔芋种植产业为前提,以产业周期繁殖良种为供给;以循环植物互补,物理防疫为预防;以滴灌补潮根系发达抗病生长为保证;形成标准化按魔芋生长周期栽培,按魔芋生长規律管理的操作规程;解决了魔芋种植产业良种供给,循环发展的问题,同时也形成产业周期商品芋高产、高放的产业致富模式。
[0006]上述各个技术方案中魔芋种植均种植在野外,环境不容易控制,使得魔芋生长条件不能进行控制,导致魔芋发病率高、收获球茎数量少个头小,产量低下。

技术实现思路

[0007]本专利技术的目的在于提供一种光伏魔芋大棚及其种植技术,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0008]为实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:
[0009]一种光伏魔芋大棚,包括采用光伏板、透明阳光板交错设置的大棚屋顶、设置于四周底部的承重底座和设置于承重底座上用于支撑大棚屋顶的承重架,大棚屋顶两侧均设置
有集雨结构,所述集雨结构包括集雨槽,所述集雨槽的两端部设置有集水斗,所述集水斗的底面开设有下水孔,所述大棚内顶部及四周设置有活动遮阳网,大棚的四周底部设置有埋设于土壤中的排水沟渠。
[0010]作为优选,大棚的宽度5

8米,大棚长度≥10米,棚肩高≥2.0米、棚顶高≥2.5米,所述光伏板和透明阳光板的单块宽度统一≤0.8米、倾斜角度统一为25

30
°
;所述活动遮阳网的遮阳率为50%,所述光伏板、透明阳光板与集雨槽的连接处均采用防水处理。
[0011]作为优选,所述集水斗的下方设置有集雨过滤罩,所述集雨过滤罩内设置有用于收集杂物的过滤网,所述集雨过滤罩的底部连接有排水管,所述排水管的底部安装有弯头。
[0012]另一方面,本专利技术还提供一种光伏魔芋大棚的种植技术,具体包括如下步骤:精选种植地块

整地开墒、灭菌杀虫

选用良种、播前芋种消毒

施足底肥

适期播种

管理养护

适时采收。
[0013]作为优选,所述精选种植地块具体为:选用三年内未种植过十字花科作物、薯芋类的地块种植魔芋,且同一地块种植魔芋两年后轮作间隔至少3年。
[0014]作为优选,所述整地开墒具体为:进行土地翻挖晒垡,精心捡除草根和杂物;依地形方便操作开墒,墒面宽1.2米,沟宽沟深30厘米;灭菌杀虫具体为播种前犁地耙地时每亩分别用40公斤生石灰、3%辛硫磷颗粒剂4千克均匀撒施在土壤灭菌杀虫。
[0015]作为优选,所述选用良种具体为:播前选芽眼饱满、芽窝浅、无破损、无病虫危害、外观周正、50克以下的一代或二代球茎作播种材料,品种选用鄂魔芋1号、楚魔花1号、楚魔花2号、云芋1号花魔芋、金江白魔芋或珠芽黄魔芋中的一种或多种;所述播前芋种消毒具体为:精选出待播的的种芋先用62.5%精甲咯菌腈1000倍液加上50%氯溴异氰尿酸1000倍药液喷施芋种表面,并将种芋散置阳光下晾晒至少2天后进行播种。
[0016]作为优选,所述施足底肥具体为播种前每亩施用腐熟农家肥3000千克

4000千克或颗粒型生物有机肥300千克,钙镁磷肥30千克,控释复合肥30千克,将3种肥料耙地前分别撒施混匀在40厘米表土层后待播。
[0017]作为优选,所述适期播种具体为:3月中旬

4月中旬期间播种,低海拔区最迟3月底,高海拔区则相反,魔芋播种结束拉平墒面,使用芽前除草剂后即在墒面覆盖松毛或秸秆。
[0018]作为优选,所述管理养护包括遮荫种植、喷滴灌给水、综合除草、适时追肥和病虫害预防,所述遮荫种植具体为魔芋出苗展叶后晴天无云光照较强时,拉开顶部及四周活动遮阳网43遮荫。
[0019]与现有技术相比,本专利技术的有益效果是:
[0020]1、本光伏魔芋大棚及其种植技术中,通过将魔芋种植于光伏大棚中,光伏大棚将光能转为电能,可以在后期滴灌喷灌中节省资源,也可以在光线差时,为灯管供电,绿色环保,并以魔芋种植产业周期发展魔芋种植产业为前提,以产业周期繁殖良种为供给;以循环植物互补,物理防疫为预防;以滴灌补潮根系发达抗病生长为保证;形成标准化按魔芋生长周期栽培,按魔芋生长規律管理的操作规程;解决了魔芋种植产业良种供给,循环发展的问题,同时也形成产业周期商品芋高产、高效的产业致富模式。
[0021]2、本专利技术的光伏魔芋大棚及其种植技术中,魔芋生长旺盛,发病率低、球茎加工品质好,健康安全,且产率高,产量提高量为15

20%,成本低,且绿色环保,能够大规模种植,
能通过该种植方法培育出优良的种芋,进而才能得到高质量的商品芋和仔芋,形成良性循环,创造更高的经济效益。
附图说明
[0022]图1为本专利技术的光伏魔芋大棚的结构示意图;
[0023]图2为本专利技术图1中A处的放大结构示意图。
[0024]图中各标号的含义为:
[0025]10、光伏板;
[0026]20、透明阳光板;
[0027]30、集雨结构;31、集雨槽;32、集水斗;33、下水孔;34、集雨过滤罩;35、排水管;36、弯头本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光伏魔芋大棚,其特征在于:包括采用光伏板(10)、透明阳光板(20)交错设置的大棚屋顶、设置于四周底部的承重底座(40)和设置于承重底座(40)上用于支撑大棚屋顶的承重架(41),大棚屋顶两侧均设置有集雨结构(30),所述集雨结构(30)包括集雨槽(31),所述集雨槽(31)的两端部设置有集水斗(32),所述集水斗(32)的底面开设有下水孔(33),所述大棚内顶部及四周均设置有活动遮阳网(43),大棚的四周底部设置有埋设于土壤中的排水沟渠(42)。2.根据权利要求1所述的光伏魔芋大棚,其特征在于:大棚的宽度5

8米,大棚长度≥10米,棚肩高≥2.0米、棚顶高≥2.5米,所述光伏板(10)和透明阳光板(20)的单块宽度统一≤0.8米、倾斜角度统一为25

30
°
,所述活动遮阳网(43)的遮阳率为50%,或所述光伏板(10)、透明阳光板(20)与集雨槽(31)的连接处均采用防水处理。3.根据权利要求1所述的光伏魔芋大棚,其特征在于:所述集水斗(32)的下方设置有集雨过滤罩(34),所述集雨过滤罩(34)内设置有用于收集杂物的过滤网,所述集雨过滤罩(34)的底部连接有排水管(35),所述排水管(35)的底部安装有弯头(36)。4.一种光伏魔芋大棚的种植技术,包括权利要求1

3任一所述光伏魔芋大棚,其特征在于:具体包括如下步骤:精选种植地块

整地开墒

土壤灭菌杀虫、选用良种

播前种芋消毒、施足底肥

适期播种

管理养护

适时采收。5.根据权利要求4所述的光伏魔芋大棚的种植技术,其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员:张燕何彩霞何尚福杨发明秦梅
申请(专利权)人:楚雄彝族自治州农业科学院
类型:发明
国别省市:

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