一种SiC坩埚的制备方法及得到的坩埚技术

技术编号:34929897 阅读:78 留言:0更新日期:2022-09-15 07:24
本申请涉及一种SiC坩埚的制备方法及得到的坩埚,所述制备方法包括以下步骤:S1:将所述SiC坩埚的原料进行搅拌混匀后置于筒形模具中,将筒形模具置于等静压装置中进行等静压处理成型;S2:等静压处理完毕后,将坩埚脱模并于坩埚表面涂刷表面材料和2000目的SiC细粉,所述表面材料由SiC细粉与粘结剂和水组成,涂刷后的坩埚再次置入筒形模具中,并在倾斜旋转装置上以40

【技术实现步骤摘要】
一种SiC坩埚的制备方法及得到的坩埚


[0001]本申请属于新能源配套用耐火材料
,尤其是涉及一种SiC坩埚的制备方法及得到的坩埚。

技术介绍

[0002]碳化硅具有化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数低,所以碳化硅坩埚的应用范围越来越广。在新能源电池负极材料碳化方面,也需要使用碳化硅坩埚来作为盛放容器。
[0003]中国专利文献CN107162612A公开了一种碳化硅坩埚及其制备方法碳化硅坩埚,所述碳化硅坩埚由主料和辅料制成,所述主料由以下重量份的原料组成:石墨25~35份,碳化硅45~55份,粘土15~20份,金属硅3~5份;所述辅料由以下重量份的原料组成:木质素磺酸盐0.5~2.5份,稀土化合物0.7~1.8份,釉料2~5份。
[0004]然而现有技术中的碳化硅,一般使用同一种粒径的物料,进而导致其孔隙率偏高。

技术实现思路

[0005]本专利技术要解决的技术问题是:为解决现有技术中的不足,从而提供一种结构更加紧密的SiC坩埚的制备方法及得到的坩埚。
[0006]本专利技术解决其技术问题所采用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SiC坩埚的制备方法,其特征在于,所述SiC坩埚的原料包括,以质量百分比计:3mm

5mm粒径的SiC颗粒,20%

30%;1mm

3mm粒径的SiC颗粒,40%

50%;320目粒径的SiC颗粒,10

18%;耐火黏土,4

6%;长石,3%

6%;粘结剂为2

9%;所述制备方法包括以下步骤:S1:将所述SiC坩埚的原料进行搅拌混匀后置于筒形模具中,将筒形模具置于等静压装置中进行等静压处理成型;S2:等静压处理完毕后,将坩埚脱模并于坩埚表面涂刷表面材料和2000目的SiC细粉,所述表面材料由SiC细粉与粘结剂和水组成,涂刷后的坩埚再次置入筒形模具中,并在倾斜旋转装置上以40

60
°
的倾角进行旋转;S3:将坩埚进行烧结得到SiC坩埚产品。2.根据权利要求1所述的SiC坩埚的制备方法,其特征在于,所述SiC坩埚的原料还包括氧化锆,使用量为1%。3.根据权利要求1或2所述的SiC坩埚的制备方法,其特征在于,所述粘结剂为糊精:1

6%和羧甲基纤维素钠:1

3%,为...

【专利技术属性】
技术研发人员:谈盛康
申请(专利权)人:宜兴市旭日耐材制品有限公司
类型:发明
国别省市:

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