一种复合磁片制造技术

本发明专利技术属于磁片技术领域，公开了一种复合磁片，包括第一屏蔽层和第二屏蔽层，所述第一屏蔽层包括置于靠近干扰磁场源一侧的第一软磁合金磁片，所述第一软磁合金磁片被配置为具有高饱和磁感强度；所述第二屏蔽层包括置于所述第一屏蔽层远离所述干扰磁场源的一侧的第二软磁合金磁片，所述第二软磁合金磁片被配置为具有高初始磁导率；所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层复合固定。该复合磁片适用于干扰磁场强度中等、磁敏感要求较高的使用场合。磁敏感要求较高的使用场合。

【技术实现步骤摘要】
一种复合磁片


[0001]本专利技术涉及磁片
，尤其涉及一种复合磁片。

技术介绍

[0002]近年来，消费类电子产品中永磁体使用场合越来越多，如扬声器、耳机、无线充电等器件均会用到永磁体。与此同时，由于消费类电子产品小型化、多功能化的趋势，内部的元器件越来越多，永磁体的使用对周围元器件产生的静磁干扰的问题也日益突出。使用软磁磁屏蔽材料是解决上述问题的常用的方法之一。
[0003]材料的饱和磁感应强度、磁导率和厚度是影响静磁屏蔽效果的三个关键性能指标，提高饱和磁感应强度、磁导率和厚度均有利于改善材料的静磁屏蔽效果。然而，由于电子产品设计空间的紧张，对材料的厚度要求越来越严格，一般不会超过0.4mm，因此，如何在厚度一定的情况下改善材料的静磁屏蔽效果成为一个亟待解决的问题。
[0004]目前，用于静磁屏蔽的材料主要分为两类：一类是高饱和磁感应强度的材料，包括电工纯铁、硅钢、铁钴合金等，这类材料饱和磁感应强度通常在1.8T 以上，但磁导率较低，主要适用于高磁场干扰的场合；一类是高磁导率的材料，包括铁镍合金等，这类材料的初始磁导率本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种复合磁片，其特征在于，包括：第一屏蔽层，所述第一屏蔽层包括置于靠近干扰磁场源一侧的第一软磁合金磁片，所述第一软磁合金磁片被配置为具有高饱和磁感强度；第二屏蔽层，所述第二屏蔽层包括置于所述第一屏蔽层远离所述干扰磁场源的一侧的第二软磁合金磁片，所述第二软磁合金磁片被配置为具有高初始磁导率；所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层复合固定。2.根据权利要求1所述的复合磁片，其特征在于，所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层复合固定后的总厚度≤0.5mm。3.根据权利要求1所述的复合磁片，其特征在于，所述第一屏蔽层为单一或多种第一材质的所述第一软磁合金磁片复合而成，所述第一材质要求具有高饱和磁感应强度Bs，所述Bs≥1.8T。4.根据权利要求3所述的复合磁片，其特征在于，所述第一材质包括但不限于电工纯铁、硅钢以及铁钴合金。5.根据权利要求1所述的复合磁片，其特征在于，所述第一屏蔽层的所述第一软磁合金磁片为两层...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘立东，石枫，唐子舜，付亚奇，朱航飞，单震，陈新彬，
申请(专利权)人：横店集团东磁股份有限公司，
类型：发明
国别省市：