一种前驱体涂布气体保护激光制备氮化钽膜装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种前驱体涂布气体保护激光制备氮化钽膜装置，包括底座、喷笔和激光镜头模块，所述的喷笔和激光镜头模块设置在底座上。本实用新型专利技术通过激光镜头模块对待覆膜材料表面进行照射使之表面温度升高，喷笔中通过高压载体气体将液态的有机铵钽雾化并预先混合成前驱体，前驱体喷射到加热后的待覆膜材料表面反应形成氮化钽。在前驱体喷出时，在其外围喷出保护气体形成一圈高压的保护屏蔽，抑制前驱体的流失，避免源料浪费，还可以阻隔外围空气的氧分子参与前驱体成膜反应，有效降低氧化物的形成，成膜质量高。本实用新型专利技术克服了现有氮化钽成膜工艺对成膜设备以及严苛环境的依赖，使之变成一种简易的喷涂工艺，降低了设备成本，且便于操作。且便于操作。且便于操作。

【技术实现步骤摘要】
一种前驱体涂布气体保护激光制备氮化钽膜装置


[0001]本技术涉及氮化钽膜制备装置
，尤其涉及一种前驱体涂布气体保护激光制备氮化钽膜装置。

技术介绍

[0002]氮化钽薄膜硬度高，有很好的化学与热稳定性。钽在耐腐介质中比钼和钨更具塑性和耐蚀性，因此被大量的应用在机械工业上，尤其一些对材料要求较高的领域，会利用氮化钽镀膜技术来提高材料的应用周期和使用极限。近年来，氮化钽材料也被大量应用在电子制造领域，由于氮化钽化学与热稳定性好，对被覆材料起到很好的阻隔保护作用，因此被大量的应用在半导体集成电路以及一些微波的器件制造。同时其高抗磨损、耐腐蚀、化学与热稳定强的特质，也被大量的应用在半导体制程设备上。随着半导体制造工艺的发展，对设备材料的要求也越高，所以大量的镀膜工艺被应用在领域，而氮化钽镀膜工艺是其中之一。
[0003]在氮化钽膜的制备方面，主要釆用磁控溅射法、物理沉积、化学沉积和近期研究提出的浑光放电法。在不同的应用领域对氮化钽薄膜的品质有不同的要求。在半导体集成电路的制造上，对氮化钽薄膜的一些电气特性有比较高的要求，因此在这类应用时，主要采用化学沉积法、物理沉积法、原子层沉积法来制备高纯度、高质量的氮化钽晶体薄膜。沉积法可有很好的控制薄膜厚度的均匀性、晶态结构，但上述工业化的沉积设备不利大尺寸外形复杂的设备零件镀膜。
[0004]在设备零部件应用时，对氮化钽薄膜的纯度、晶态、均匀性比在半导体集成电路制造应用低，而更重视氮化钽薄膜整体被覆的完整性与加工时的便利性。在大型设备工件的镀氮化钽膜时，大多采用磁控溅射、浑光放电等方法，一般是利用高纯度钽当着电极，游离的钽离子与氮原子反应形成氮化钽。上述的方法同样需要专门设计相对应的镀膜设备，且对镀膜环境条件、反应温度都有一定的要求。在小批量、大型、复杂外形的零件镀膜时，设备成本就会变高。

技术实现思路

[0005]针对现有技术存在的问题，本技术的目的在于提供一种前驱体涂布气体保护激光制备氮化钽膜装置，其能够不依赖高成本设备以及严苛的环境条件就能完成氮化钽膜的制备，氮化钽膜质量好，操作便捷。
[0006]为实现上述目的，本技术采用的技术方案是：
[0007]一种前驱体涂布气体保护激光制备氮化钽膜装置，其包括底座、喷笔和激光镜头模块，所述的喷笔和激光镜头模块设置在底座上；
[0008]所述喷笔包括笔管、设置在笔管前端的针头、罩住针头且与笔管旋接的笔帽、设置在笔管后端的进料口、套设在笔管外周的外管、设置在外管前端且圆周均布的若干第一喷气口以及设置在外管后端的第一保护气体进口；所述笔帽上设有与针头相配合的出料孔，旋动笔帽可调节针头与出料孔的间距；
[0009]所述进料口包括用于引入高压载体气体的进气管、以及用于引入原料的进液管，所述进液管设置在进气管上并与进气管相互导通；
[0010]所述激光镜头模块包括管状的壳体、设置在壳体内的第一凸镜、旋接于壳体前端的圆帽、卡嵌在圆帽上的第二凸镜以及设置在壳体后端的光纤波导；旋动所述圆帽可调节第一凸镜和第二凸镜的间距；所述光纤波导用于引入二氧化碳激光束。
[0011]所述壳体的后端设有第二保护气体进口，所述圆帽上围绕所述第二凸镜圆周均布有若干第二喷气口。
[0012]所述第一保护气体进口和第二保护气体进口相同导通。
[0013]所述装置还包括分别与所述进气管和进液管连接的两个流量调节阀。
[0014]所述底座上设有镜头模块夹具，所述镜头模块夹具旋转设置在底座上。
[0015]所述底座包括握柄和托板，所述握柄固定在托板的底部，所述的喷笔和激光镜头模块设置在托板上。
[0016]采用上述方案后，本技术通过激光镜头模块对待覆膜材料表面进行照射使之表面温度升高，喷笔中通过高压载体气体将液态的有机铵钽雾化并预先混合成反应前驱体，前驱体自出料孔喷射到加热后的待覆膜材料表面反应形成氮化钽。在前驱体自出料孔喷出时，出料孔外围的第一喷气口喷出保护气体形成一圈高压的保护屏蔽，可以抑制前驱体的流失，很大程度上避免源料的浪费，以及源料污染镜头，此外，还可以阻隔外围空气的氧分子参与前驱体成膜反应，有效降低氧化物的形成，可在大气下工作，对环境要求低，成膜质量高。本技术克服了现有氮化钽成膜工艺对成膜设备以及严苛环境的依赖，使得氮化钽成膜工艺变成一种简易的喷涂工艺，极大地降低了设备成本，而且便于操作实施。
附图说明
[0017]图1为本技术的示意图；
[0018]图2为喷笔的示意图；
[0019]图3为激光镜头模块的示意图；
[0020]图4为本技术的工作状态示意图。
[0021]标号说明：
[0022]底座10，托板11，握柄12，喷笔夹具13，镜头模块夹具14；
[0023]喷笔20，笔管21，针头22，笔帽23，进气管24，进液管25，外管26，第一喷气口27，第一保护气体进口28；出料孔29；
[0024]激光镜头模块30，壳体31，圆帽32，第一凸镜33，第二凸镜34，光纤波导35，第二喷气口36，第二保护气体进口37；
[0025]待覆膜材料40。
具体实施方式
[0026]如图1所示，本技术揭示了一种前驱体涂布气体保护激光制备氮化钽膜装置，其包括底座10、喷笔20和激光镜头模块30，底座10包括一金属托板11，在托板11的底部设有握柄12，用于手持或者机械臂夹持。在托板11的上方设有喷笔夹具13和镜头模块夹具14，喷笔20和激光镜头模块30分别被这两个夹具夹持固定，其中，镜头模块夹具14可在托板11上
旋转，以调整喷笔20和激光镜头模块30之间的夹角。
[0027]如图2所示，喷笔20包括笔管21、设置在笔管21前端并凸出的针头22、罩住针头22且与笔管21旋接的笔帽23、设置在笔管21后端的进料口、套设在笔管21外周的外管26、设置在外管26前端且圆周均布的若干第一喷气口27以及设置在外管26后端的第一保护气体进口28。在笔帽23上设有与针头22相配合的出料孔29，旋动笔帽23可调节针头22与出料孔29的间距，用以控制出料孔29的排出量以及扩散开开的角度。
[0028]进料口包括进气管24以及设置在进气管24上并相互导通的进液管25，进气管24用于引入成分包括运输气体氮以及反应气体氨/氢的高压载体气体，进液管25则用于引入包含有机铵钽的源料；在进气管24和进液管25端部还可以分别连接设置一个流量调节阀，用以控制流量和压力。当高压载体气体通过进气管24，会从进液管25带入液体源料并雾化，雾化的源料与载体气体形成反应前驱体，前驱体通过出料口以一定的扩散角度喷涂在基础材料表面。
[0029]保护气体采用氮气或者惰性气体，保护气体的气压要求大于高压载体气体的气压，高压的保护气体通过第一喷气口27高速扩散出去，并在离第一喷气口27不远处围成一圈，形成一高压区域，而前驱体的喷出点在这个高压区域的中间，前驱体会因为外围的高压区域形本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种前驱体涂布气体保护激光制备氮化钽膜装置，其特征在于：包括底座、喷笔和激光镜头模块，所述的喷笔和激光镜头模块设置在底座上；所述喷笔包括笔管、设置在笔管前端的针头、罩住针头且与笔管旋接的笔帽、设置在笔管后端的进料口、套设在笔管外周的外管、设置在外管前端且圆周均布的若干第一喷气口以及设置在外管后端的第一保护气体进口；所述笔帽上设有与针头相配合的出料孔，旋动笔帽可调节针头与出料孔的间距；所述进料口包括用于引入高压载体气体的进气管、以及用于引入原料的进液管，所述进液管设置在进气管上并与进气管相互导通；所述激光镜头模块包括管状的壳体、设置在壳体内的第一凸镜、旋接于壳体前端的圆帽、卡嵌在圆帽上的第二凸镜以及设置在壳体后端的光纤波导；旋动所述圆帽可调节第一凸镜和第二凸镜的间距；所述光纤波导用于引入二氧化碳激光束。2.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡志隆，刘崇志，
申请(专利权)人：泰杋科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：