电机磁屏蔽结构及核磁兼容婴儿培养箱制造技术

本实用新型专利技术提供一种电机磁屏蔽结构及核磁兼容婴儿培养箱。所述电机磁屏蔽结构包括内屏蔽罩和外屏蔽罩，所述内屏蔽罩和所述外屏蔽罩适于依次罩设于电机的外侧；所述外屏蔽罩的饱和磁感应强度大于所述内屏蔽罩的饱和磁感应强度，所述外屏蔽罩的磁导率低于所述内屏蔽罩的磁导率。该电机磁屏蔽结构先采用磁导率低且不容易磁饱和的外屏蔽罩提供低磁阻的磁通路对磁场进行分流，将腔内空间磁场强度衰减到较低的程度，然后采用磁导率高的内屏蔽罩把残余磁通量屏蔽掉，从而对电机的磁屏蔽效果更佳；能够避免直接采用高磁导率材料进行单层磁屏蔽处理时因容易磁饱和导致的磁屏蔽失效；能够增强对电机的磁屏蔽作用，可以用于强磁环境下对电机的磁屏蔽。下对电机的磁屏蔽。下对电机的磁屏蔽。

【技术实现步骤摘要】
电机磁屏蔽结构及核磁兼容婴儿培养箱


[0001]本技术涉及婴儿培养箱
，具体而言，涉及一种电机磁屏蔽结构及核磁兼容婴儿培养箱。

技术介绍

[0002]在一些强磁环境下仍需要使用电机满足相应的驱动需求，例如，在将婴儿培养箱用于MRI(Magnetic Resonance Imaging，核磁共振成像)时，电机仍需要工作从而保持婴儿所处的培养环境。
[0003]而磁共振的场强越高，成像越清晰，目前，磁共振的场强一般为1.5T，2.0T，3.0T，目前最高可以达到7.0T，进行磁共振时，电机很容易受到这种强磁干扰，无法正常工作，给强磁环境下电机的使用带来了困难。

技术实现思路

[0004]本技术旨在一定程度上解决如何实现电机在强磁环境下使用的问题。
[0005]为至少在一定程度上解决上述问题的至少一个方面，第一方面，本技术一方面提供一种电机磁屏蔽结构，包括内屏蔽罩和外屏蔽罩，所述内屏蔽罩和所述外屏蔽罩适于依次罩设于电机的外侧；
[0006]所述外屏蔽罩的饱和磁感应强度大于所述内屏蔽罩的饱和磁感应强度，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电机磁屏蔽结构，其特征在于，包括内屏蔽罩(1)和外屏蔽罩(2)，所述内屏蔽罩(1)和所述外屏蔽罩(2)适于依次罩设于电机(3)的外侧；所述外屏蔽罩(2)的饱和磁感应强度大于所述内屏蔽罩(1)的饱和磁感应强度，所述外屏蔽罩(2)的磁导率低于所述内屏蔽罩(1)的磁导率。2.根据权利要求1所述的电机磁屏蔽结构，其特征在于，还包括无磁支撑结构(4)，所述无磁支撑结构(4)包括第一支撑垫(41)和第二支撑垫(42)，所述内屏蔽罩(1)用于与所述电机(3)连接，所述第一支撑垫(41)用于设置于所述内屏蔽罩(1)和所述电机(3)之间，所述内屏蔽罩(1)和所述外屏蔽罩(2)连接，所述第二支撑垫(42)设置于所述内屏蔽罩(1)和所述外屏蔽罩(2)之间。3.根据权利要求2所述的电机磁屏蔽结构，其特征在于，所述内屏蔽罩(1)包括第一罩主体(11)和第一盖体(12)，所述第一罩主体(11)设置有用于安装所述电机(3)的第一容置槽(111)，所述第一盖体(12)盖设于所述第一容置槽(111)的槽口。4.根据权利要求3所述的电机磁屏蔽结构，其特征在于，所述第一罩主体(11)远离所述槽口的一端设置有用于所述电机(3)的输出轴穿设的第二通孔，所述第一罩主体(11)在远离所述槽口的一端处与所述电机(3)相连接，且连接处设置有所述第一支撑垫(41)。5.根据权利要求4所述的电机磁屏蔽结构，其特征在于，所述外屏蔽罩(2)包括第二罩主体(21)和连接端板(22)，所述第二罩主体(21)与所述连接端板(22)连接并共同形成所述内屏蔽罩(1)的容置空间；所述连接端板(22)包括板本体(221)和环形凸出结构(222)，所述环形凸出结构(222)凸出于所述板本体(221)设置并形成第二容置槽，所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈再宏，陶程，李海磊，白辉全，宋艳青，
申请(专利权)人：宁波戴维医疗器械股份有限公司，
类型：新型
国别省市：