半导体装置以及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

实施方式主要涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置具有第一电极、第二电极、第一半导体区域、第二半导体区域、第三半导体区域、导电部、第一绝缘部、栅极电极、第二绝缘部以及第三绝缘部。第一半导体区域设置于第一电极与第二电极之间。第二半导体区域设置于第一半导体区域与第二电极之间。第三半导体区域设置于第二半导体区域与第二电极之间。导电部具有第一导电部和设置于第二电极侧且具有比第一导电部小的杂质浓度的第二导电部。第一绝缘部设置于第一导电部与第一半导体区域之间。栅极电极设置于第二半导体区域与第二导电部之间。第二绝缘部设置于第二导电部与栅极电极之间。第三绝缘部设置于第二半导体区域与栅极电极之间。半导体区域与栅极电极之间。半导体区域与栅极电极之间。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置以及半导体装置的制造方法
[0001]相关申请
[0002]本申请享受以日本专利申请2021
‑
37198号(申请日：2021年3月9日)为基础申请的优先权。本申请通过参考该基础申请而包括基础申请的全部内容。


[0003]实施方式主要涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0004]金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal
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Oxide
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Semiconductor Field
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Effect Transistor，MOSFET)等半导体装置被用作开关元件。在半导体装置中，要求抑制破坏发生、降低导通动作时的电阻等。

技术实现思路

[0005]实施方式提供能够抑制破坏发生的半导体装置以及半导体装置的制造方法。
[0006]实施方式的半导体装置具备：第一电极；第二电极；第一导电型的第一半导体区域，设置于所述第一电极与所述第二电极之间，与所述第一电极电连接；第二导电型的多个第二半导体区域，设置于所述第一半导体区域与所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，具备：第一电极；第二电极；第一导电型的第一半导体区域，设置于所述第一电极与所述第二电极之间，与所述第一电极电连接；第二导电型的多个第二半导体区域，设置于所述第一半导体区域与所述第二电极之间；第一导电型的第三半导体区域，设置于所述第二半导体区域与所述第二电极之间，与所述第二电极电连接；导电部，设置于所述第一电极与所述第二电极之间，且包括：第一导电部，在从所述第一电极朝向所述第一半导体区域的第一方向上设置于所述导电部的所述第一电极侧；和第二导电部，在所述第一方向上设置于所述导电部的所述第二电极侧，在与所述第一方向相交的第二方向上位于所述第二半导体区域之间，且具有比所述第一导电部的杂质浓度小的杂质浓度；第一绝缘部，设置于所述第一导电部与所述第一半导体区域之间；栅极电极，在所述第二方向上设置于所述第二半导体区域与所述第二导电部之间；第二绝缘部，设置于所述第二导电部与所述栅极电极之间；以及第三绝缘部，设置于所述第二半导体区域与所述栅极电极之间。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，还具备第四绝缘部，该第四绝缘部设置于所述第二电极与所述栅极电极之间以及所述第二电极与所述第三半导体区域之间，所述第二电极的一部分还设置于在所述第二方向上隔着所述第四绝缘部而与所述第三半导体区域相邻的区域，所述第二电极的一部分与所述第二导电部连接。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述半导体装置具有元件区域和包围所述元件区域的终端区域，在所述元件区域中，所述第二电极与所述第二导电部连接。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在所述第一方向上，所述第一电极侧的第二导电部的一部分与所述第一绝缘部相邻，所述半导体装置还具有设置于所述第二导电部的一部分与所述第一绝缘部之间的第三导电部。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述第二方向上的所述第二导电部与所述第三导电部的宽度之和，大于所述栅极电极间的...

【专利技术属性】
技术研发人员：下村纱矢，加藤浩朗，西口俊史，
申请(专利权)人：东芝电子元件及存储装置株式会社，
类型：发明
国别省市：